GaN 基宽带隙半导体材料是发展高温大功率电子器件和紫外激光器件的最优选材料之一。至今为止．GaN 器件结构的外延生长主要采用 SiC、AlO和 Si 等作为衬底．但是 GaN 与上述几种材料相比存在较大的晶格失配和热失配,由于缺乏合适的衬...
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GaN 基宽带隙半导体材料是发展高温大功率电子器件和紫外激光器件的最优选材料之一。至今为止．GaN 器件结构的外延生长主要采用 SiC、AlO和 Si 等作为衬底．但是 GaN 与上述几种材料相比存在较大的晶格失配和热失配,由于缺乏合适的衬底材料。目前外延生长的 GaN 材料中存在较高的缺陷密度,这已经成为了高温功率氮化镓器件研究和发展的一个瓶颈,而可用于同质外延的高质量 GaN 体材料却非常难以制备。氢化物气相外延（HVPE）是生长 GaN 外延材料的常用手段之一．具有设备简单、价格低廉、生长速率高的特点,因此在直接生长 GaN 单晶体材料非常困难的情况下, 利用 HVPE 的优势制备出高质量的厚膜 GaN 外延层．然后经与衬底剥离,作为 GaN 基器件结构生长的衬底,是解决这个瓶颈问题的一个途径。
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