检索结果-内蒙古大学图书馆

传感技术学报 2005年第3期18卷 525-530页

作者：董林玺孙玲玲车录锋王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 杭州电子科技大学微电子CAD研究所杭州310018

分析了梳齿电容式传感器在三种电容驱动方式下,梳齿电容极板的不平行对传感器受到阶跃加速度信号作用时可靠工作条件的影响。得到了梳齿倾斜效应对传感器阶跃加速度响应影响的分析模型。结果表明梳齿电容在同样的电压驱动下,若电容极板... 详细信息

分析了梳齿电容式传感器在三种电容驱动方式下,梳齿电容极板的不平行对传感器受到阶跃加速度信号作用时可靠工作条件的影响。得到了梳齿倾斜效应对传感器阶跃加速度响应影响的分析模型。结果表明梳齿电容在同样的电压驱动下,若电容极板的倾斜角变到0.5°时,对于单边电容结构、双边电容结构和有力反馈的双边电容结构,传感器能够承受的临界阶跃加速度分别变为电容极板完全平行时的0.34、0.44、0.52。并针对DRIE工艺刻蚀梳齿的原理,讨论了改进梳齿不平行的方法。

关键词：电容式传感器惯性传感器可靠工作范围阶跃信号

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基于柔性MEMS皮肤技术温度传感器阵列的研究

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光学精密工程 2005年第6期13卷 674-680页

作者：肖素艳车录锋李昕欣王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

采用MEMS皮肤技术,在聚酰亚胺柔性衬底上成功研制出8×8阵列铂薄膜热敏电阻温度传感器。实验采用热氧化硅片为机械载体,以便于旋涂液态聚酰亚胺柔性衬底上器件的加工。最后用湿法腐蚀方法将柔性器件从载体上释放下来。试验表明聚酰... 详细信息

采用MEMS皮肤技术,在聚酰亚胺柔性衬底上成功研制出8×8阵列铂薄膜热敏电阻温度传感器。实验采用热氧化硅片为机械载体,以便于旋涂液态聚酰亚胺柔性衬底上器件的加工。最后用湿法腐蚀方法将柔性器件从载体上释放下来。试验表明聚酰亚胺衬底上的铂薄膜热敏电阻与温度的变化具有良好的线性,其电阻温度系数达0.0023/℃。与固态聚酰亚胺膜衬底相比,采用旋涂液态聚酰亚胺解决了制备中遇到的两大主要困难:其一,消除了涂聚酰亚胺衬底与载体界面之间的气泡,聚酰亚胺衬底表面能保持良好平整度;其二,制备过程中由于热循环而使柔性衬底产生的热膨胀明显减小。这种柔性温度传感器阵列易贴于高曲率物体表面以探测小面积温度场分布。

关键词：皮肤技术聚酰亚胺柔性衬底铂薄膜电阻温度传感器

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基于NEMS技术的硅基纳机电探针阵列器件研究

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传感技术学报 2005年第4期18卷 766-770页

作者：杨尊先于映林丽华李昕欣福州大学电子科学与应用物理系福州350002 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

进行一种用于高密度存储的硅基纳机电探针阵列器件研究。并采用理论计算和有限元模拟相结合方法对器件进行了设计;使用先进的微纳加工工艺技术将压阻敏感器和电阻加热器集成到超薄悬臂梁—针尖结构纳机电探针阵列器件上,实现器件制作;随... 详细信息

进行一种用于高密度存储的硅基纳机电探针阵列器件研究。并采用理论计算和有限元模拟相结合方法对器件进行了设计;使用先进的微纳加工工艺技术将压阻敏感器和电阻加热器集成到超薄悬臂梁—针尖结构纳机电探针阵列器件上,实现器件制作;随后,进行器件电热特性及其敏感特性测试,测试结果与模拟结果相吻合;借助于原子力学显微镜在聚合物有机薄膜上实现了数据写入,优化写入条件后,数据记录面密度达31.6 GB/in2。

关键词： NEMS 压阻敏感器纳机电探针数据存储

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1×32硅基二氧化硅阵列波导光栅的研制

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Journal of Semiconductors 2005年第9期26卷 1798-1803页

作者：龙文华李广波贾科淼屈红昌唐衍哲吴亚明杨建义王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

采用高精度光刻版、PECVD材料生长、反应离子刻蚀和端面8°角抛光等技术,设计并研制了1×32硅基二氧化硅阵列波导光栅.研制的AWG芯片,其相邻通道引起的通道串扰小于-28dB,非相邻通道引入的串扰小于-35dB.通道的插入损耗在进行... 详细信息

采用高精度光刻版、PECVD材料生长、反应离子刻蚀和端面8°角抛光等技术,设计并研制了1×32硅基二氧化硅阵列波导光栅.研制的AWG芯片,其相邻通道引起的通道串扰小于-28dB,非相邻通道引入的串扰小于-35dB.通道的插入损耗在进行光纤耦合封装后进一步提高,平均损耗约为4.9dB,不均匀性约为1.72dB.

关键词：阵列波导光栅硅基二氧化硅光波导光波分复用器/解复用器集成光学

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偏置电压极性对差分电容微传感器可靠工作条件的影响分析

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机械强度 2005年第4期27卷 465-469页

作者：董林玺孙玲玲王跃林杭州电子科技大学微电子CAD研究所杭州310018 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

为了测得电容式传感器的电容变化,一般需要有直流偏置电压的交流驱动信号加到传感器上,然而驱动信号产生的静电力会干扰传感器的测量和可靠工作条件。文中分析差分电容传感器受到阶跃加速度信号作用时,不同偏置电压极性对可靠工作条件... 详细信息

为了测得电容式传感器的电容变化,一般需要有直流偏置电压的交流驱动信号加到传感器上,然而驱动信号产生的静电力会干扰传感器的测量和可靠工作条件。文中分析差分电容传感器受到阶跃加速度信号作用时,不同偏置电压极性对可靠工作条件的影响,得到不同偏置电压极性下传感器的临界阶跃加速度与随测试信号电压和反馈系数的关系表达式及其变化曲线。结果表明若偏置电压极性为正—正或正—负配置,其电子机械反馈本质上是负反馈,且偏置电压极性为正—负配置时,传感器承受阶跃加速度冲击的能力最强。若偏置电压极性为负—负或负—正配置,其电子机械反馈本质上是正反馈,偏置电压极性为负—正配置时,其抗阶跃加速度冲击的能力最低。

关键词：电容式传感器惯性传感器可靠工作范围阶跃信号偏置电压极性

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压阻式微机械陀螺接口电路的数学原理

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传感器技术 2005年第8期24卷 8-10页

作者：陈雪萌李昕欣王跃林焦继伟杨恒刘民中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

压阻式微机械陀螺是MEMS研究的重要方向之一,有效的接口电路是发挥陀螺性能的重要保证。用数学方法完整地推导了陀螺驱动和信号检测的内在机理,并据此设计了一种简单的压阻式陀螺接口电路。接口电路的最小分辨力为0.33°/s。测量结... 详细信息

压阻式微机械陀螺是MEMS研究的重要方向之一,有效的接口电路是发挥陀螺性能的重要保证。用数学方法完整地推导了陀螺驱动和信号检测的内在机理,并据此设计了一种简单的压阻式陀螺接口电路。接口电路的最小分辨力为0.33°/s。测量结果证明了数学推导的正确性。

关键词：微机械陀螺压阻接口电路数学推导

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硅KOH腐蚀<100>晶向凸角补偿技术及应用

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传感器技术 2005年第7期24卷 22-24页

作者：王浙辉李昕欣王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

在(100)硅上制作边沿晶向的长方形掩模,用KOH各向异性腐蚀液腐蚀可制得竖直微镜,这种微镜存在凸角削角问题。研究了边沿晶向掩模的凸角补偿技术,提出了2种凸角补偿图形,并应用于竖直微镜制作。实验表明“工”形补偿可获得方正的反射面;... 详细信息

在(100)硅上制作边沿<100>晶向的长方形掩模,用KOH各向异性腐蚀液腐蚀可制得竖直微镜,这种微镜存在凸角削角问题。研究了边沿<100>晶向掩模的凸角补偿技术,提出了2种凸角补偿图形,并应用于竖直微镜制作。实验表明“工”形补偿可获得方正的反射面;“Y”形补偿的微镜,反射面呈底角为75.96°的梯形。经补偿后的微镜,可提高光开关切换光束效率。讨论了(100)硅的<100>晶向掩模凸角补偿技术应用于微机械加速度计质量块制作的可能性。

关键词：各向异性腐蚀削角补偿微镜微机械加工

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高量程MEMS加速度计封装工艺研究

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传感器技术 2005年第2期24卷 83-85页

作者：蒋玉齐程迎军许薇张鲲李昕欣罗乐中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

对一种先进的双悬臂梁高量程MEMS加速度计的单芯片封装工艺进行了失效机理分析。手工粘贴芯片盖板可靠性不高,加速度计失效是由于胶粘剂(粘贴胶或灌封胶 )从芯片盖板和芯片的间隙流淌进入悬臂梁的过载保护间隙,阻碍了悬臂梁的摆动。高... 详细信息

对一种先进的双悬臂梁高量程MEMS加速度计的单芯片封装工艺进行了失效机理分析。手工粘贴芯片盖板可靠性不高,加速度计失效是由于胶粘剂(粘贴胶或灌封胶 )从芯片盖板和芯片的间隙流淌进入悬臂梁的过载保护间隙,阻碍了悬臂梁的摆动。高量程加速度计采用单芯片封装方法时,存在芯片正面和背面保护的可靠性问题,更好的封装方法是采用圆片级封装。黑胶不适宜用作加速度计的贴片胶,至少使用聚酰亚胺膜作背面保护时如此。

关键词：高量程MEMS加速度计胶粘工艺圆片级封装

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反应离子刻蚀ZnTe的THz辐射和探测研究

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物理学报 2005年第10期54卷 4938-4943页

作者：贺莉蓉顾春明沈文忠曹俊诚小川博司郭其新上海交通大学物理系凝聚态光谱与光电子物理实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室佐贺大学理工学部电气与电子工程系

运用电光采样技术揭示了反应离子刻蚀(RIE)ZnTe晶体表面THz辐射的光学整流产生机制,观察到0·25ps的THz场分布.通过比较刻蚀前后以及不同刻蚀条件下ZnTe样品在不同激发功率下的THz辐射强度,发现由于反应离子刻蚀破坏了ZnTe样品表面... 详细信息

运用电光采样技术揭示了反应离子刻蚀(RIE)ZnTe晶体表面THz辐射的光学整流产生机制,观察到0·25ps的THz场分布.通过比较刻蚀前后以及不同刻蚀条件下ZnTe样品在不同激发功率下的THz辐射强度,发现由于反应离子刻蚀破坏了ZnTe样品表面的有序性,晶体的电光系数随射频功率的增加而减小.借助于计算不同刻蚀条件下ZnTe晶体的频率响应函数,分析了随射频功率增加ZnTe晶体响应频谱展宽的现象.

关键词： THz辐射反应离子刻蚀 ZnTe 频率响应函数晶体表面探测射频功率电光系数采样技术辐射强度

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InGaAsSb多量子阱材料的光致发光特性研究

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功能材料与器件学报 2005年第2期11卷 183-186页

作者：唐田张永刚郑燕兰李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

研究了InGaAsSb多量子阱材料光致发光特性。通过实验数据分析和理论计算,发现对于分子束外延(MBE)法生长的InGaAsSb多量子阱材料,生长时的衬底温度决定着材料的质量,合适的衬底温度可以明显的增加其发射的光致发光强度;组分相同时,在一... 详细信息

研究了InGaAsSb多量子阱材料光致发光特性。通过实验数据分析和理论计算,发现对于分子束外延(MBE)法生长的InGaAsSb多量子阱材料,生长时的衬底温度决定着材料的质量,合适的衬底温度可以明显的增加其发射的光致发光强度;组分相同时,在一定范围内,随着阱厚的增加,其发射的光致发光波长也随着增加,但是随着阱厚增大,波长增加趋于平缓。

关键词： InGaAsSb 分子束外延多量子阱光致发光

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