检索结果-内蒙古大学图书馆

第八届中国微米/纳米技术学术年会

作者：顾盼刘景全陈迪孙洪文上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

摩擦和粘附问题已经成为影响微机电系统(MEMS)工艺性能和可靠性的主要因素.本文针对MEMS/NEMS中微构件表面改性问题,采用反应离子刻蚀(RIE)在硅片表面沉积氟化物薄膜,以达到降低硅片的表面能,减少其摩擦和粘附的目的.实验还将RIE沉积法... 详细信息

摩擦和粘附问题已经成为影响微机电系统(MEMS)工艺性能和可靠性的主要因素.本文针对MEMS/NEMS中微构件表面改性问题,采用反应离子刻蚀(RIE)在硅片表面沉积氟化物薄膜,以达到降低硅片的表面能,减少其摩擦和粘附的目的.实验还将RIE沉积法制得的薄膜与自组装(SAMs)薄膜在浸润角、表面能、表面粗糙度等方面进行了对比.

关键词：反应离子刻蚀表面能微机电系统防粘连膜

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三维微弹簧型MEMS探卡的设计和制备

三维微弹簧型MEMS探卡的设计和制备

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第八届中国微米/纳米技术学术年会

作者：靖向萌陈迪张晔张保增刘景全陈翔朱军上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

随着IC器件上的I/O尺寸减小和密度增加,与之通过接触来进行电性能测试的探卡密度也要相应增加,传统手工制作的环氧树脂针形探卡难以满足使用要求,使用MEMS技术制作探卡成为发展的趋势,但是当前MEMS探卡的主要问题是不能承受和产生破坏... 详细信息

随着IC器件上的I/O尺寸减小和密度增加,与之通过接触来进行电性能测试的探卡密度也要相应增加,传统手工制作的环氧树脂针形探卡难以满足使用要求,使用MEMS技术制作探卡成为发展的趋势,但是当前MEMS探卡的主要问题是不能承受和产生破坏焊垫表面氧化层和污染层所需的应力.本文提出了一种简支梁结构、通过多次电镀工艺制作的三维弹性MEMS探卡,这种探卡可以承受更大应力,并且具有较小的自身电阻.针对间距为250 μm阵列排布的器件I/O,使用ANSYS有限元方法对弹簧型探卡进行了结构分析和设计,采用UV-LIGA工艺制备探卡,最后对探卡的力学性能进行了测试.

关键词：探卡微弹簧 MEMS IC器件

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场发射硅锥阵列的干法制备与研究

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微细加工技术 2006年第1期 56-60页

作者：王芸徐东吴茂松王莉钱开友叶枝灿蔡炳初上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030 Honey well公司上海传感器实验室上海200030

阐述了用于场发射压力传感器发射阴极的硅锥阵列的干法制备工艺,用反应离子刻蚀(RIE)的方法在76 mm(3 in.)的低阻硅片上制备出52个均匀分布的10×12的硅锥阵列,得到了曲率半径为25 nm^35 nm且具有良好一致性的尖锥。当阵列的场发射... 详细信息

阐述了用于场发射压力传感器发射阴极的硅锥阵列的干法制备工艺,用反应离子刻蚀(RIE)的方法在76 mm(3 in.)的低阻硅片上制备出52个均匀分布的10×12的硅锥阵列,得到了曲率半径为25 nm^35 nm且具有良好一致性的尖锥。当阵列的场发射起始电压为1.4 V/μm,场强为9.2 V/μm时,单个硅锥的发射电流达到8.3 nA,并且性能较为稳定。

关键词：硅锥干法刻蚀 RIE 场发射

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新兴的纳米结构亚波长光学器件及其发展

新兴的纳米结构亚波长光学器件及其发展

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2006年国防光学及光电子学学术研讨会暨中国兵工学会光学专业委员会成立25周年年会

作者：刘汉玉王庆康上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室和薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

介绍了新颖的纳米结构亚波长光学器件的特点,从器件的基本功能特性和工作机理两个方面详细讨论了其应用状况,并阐述了纳米制造技术对亚波长光学器件发展的重要推动作用及这一领域今后的研究热点。

关键词：亚波长光学器件纳米制造纳米结构

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几种纳米加工技术的原理、特点及其应用

几种纳米加工技术的原理、特点及其应用

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2006第五届中国(国际)纳米科技西安研讨会

作者：赵保军王英张亚非上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030

纳米加工技术的发展将带来现代工业和社会文明的极大进步.本文从整体上介绍了基于传统半导体加工的纳米加工技术,纳米掩膜刻蚀加工技术,探针直接书写式纳米加工技术,纳米复制加工技术,以及其衍生的纳米加工技术的原理、特点及其应用.

关键词：纳米加工掩膜刻蚀浸笔纳米印刷微接触印刷纳米压印半导体加工

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压电型微悬臂梁制备中RIE刻蚀硅工艺的研究

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微细加工技术 2006年第5期 47-50,54页

作者：董璐方华斌刘景全徐东徐峥谊蔡炳初上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030 Honeywell公司上海传感器实验室上海200030

介绍了一种压电型微悬臂梁的制作工艺流程,重点研究了其中硅的反应离子刻蚀(RIE)工艺,分析了工艺参数对刻蚀速率、均匀性和选择比的影响,提出通过适当调整气体流量、射频功率和工作气压,以加快刻蚀速率,改善均匀性,提高选择比。研究表明... 详细信息

介绍了一种压电型微悬臂梁的制作工艺流程,重点研究了其中硅的反应离子刻蚀(RIE)工艺,分析了工艺参数对刻蚀速率、均匀性和选择比的影响,提出通过适当调整气体流量、射频功率和工作气压,以加快刻蚀速率,改善均匀性,提高选择比。研究表明,在SF6流量为20 mL/min,射频功率为20 W,工作气压为8.00 Pa的工艺条件下,硅刻蚀速率可以提高到401 nm/min,75 mm(3 in.)基片范围内的均匀性为±3.85%,硅和光刻胶的刻蚀选择比达到7.80。为制备压电悬臂梁或其它含功能薄膜的微结构提供了良好的参考。

关键词：压电型微悬臂梁反应离子刻蚀刻蚀速度均匀性选择比

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射频螺线管微电感的设计和仿真

射频螺线管微电感的设计和仿真

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第八届中国微米/纳米技术学术年会

作者：方东明赵小林王西宁周勇上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

为了获得高性能MEMS螺线管微电感,本文考虑了几何结构参数对微电感性能的影响,用HFSS软件对特定结构的微电感进行仿真,仿真结果与实验研制的测量结果基本相符.测试结果表明微电感在较宽的工作频率范围内具有高Q值,可以应用在无线通讯领域.

关键词：螺线管微电感 HFSS 品质因素射频微机电系统

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应用于集成光电子领域的先进散热器关键技术的研究

应用于集成光电子领域的先进散热器关键技术的研究

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第十届全国热管会议

作者：戴旭涵赵小林丁桂甫蔡炳初薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海交通大学微纳科学技术研究院上海200030

本文将单晶硅片的湿法刻蚀工艺与微电铸掩膜制备技术及刻蚀液体系的研制相结合，为工业规模生产微通道散热器及微热管提供了一种实用的先进高技术工艺，所研制的样品，其肋片厚度、间隙均小于50微米，结构深宽比大于10;在硅硼玻璃上所... 详细信息

本文将单晶硅片的湿法刻蚀工艺与微电铸掩膜制备技术及刻蚀液体系的研制相结合，为工业规模生产微通道散热器及微热管提供了一种实用的先进高技术工艺，所研制的样品，其肋片厚度、间隙均小于50微米，结构深宽比大于10;在硅硼玻璃上所加工的沟槽底部粗糙度＜0.5um，深度>220um;散热片与导水板的键合强度最高能够承受6个大气压的高压水流。可以为国内这方面的器件研究提供可靠的加工技术服务。

关键词：热管散热器微通道湿法刻蚀微电铸掩膜集成光电子

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适于MEMS器件的低应力Ni-W纳米晶薄膜的制备

适于MEMS器件的低应力Ni-W纳米晶薄膜的制备

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2006上海电子互联技术及材料国际论坛

作者：汪红丁桂甫赵小林姚锦元朱军王志民上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030

以高强度、高耐腐蚀性Ni-W合金为研究对象,探讨了柠檬酸胺-HEDP体系中,各种电沉积工艺参数以及热处理条件对Ni-W合金薄膜应力的影响规律及其在微喷嘴模具上的应用.研究结果表明,在优化的工艺条件下,可获得应力为230 MPa、硬度高达988 H... 详细信息

以高强度、高耐腐蚀性Ni-W合金为研究对象,探讨了柠檬酸胺-HEDP体系中,各种电沉积工艺参数以及热处理条件对Ni-W合金薄膜应力的影响规律及其在微喷嘴模具上的应用.研究结果表明,在优化的工艺条件下,可获得应力为230 MPa、硬度高达988 HV、无裂纹的纳米晶Ni-W薄膜材料,为其在MEMS微器件、微模具制备上的应用提供了有效途径。

关键词： MEMS器件 NiW纳米晶薄膜微机电系统电沉积工艺热处理

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LB技术制备金纳米粒子单层膜

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微纳电子技术 2006年第2期43卷 85-88+106页

作者：曲鹏王英张亚非上海200030 上海交通大学DNA计算机交叉团队上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室

利用LB技术在Si(100)基片上制作了金纳米粒子单层膜,采用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对单层膜的表面形貌进行表征。实验结果表明,将表面压控制在22mN/m～26mN/m进行拉膜,可以得到大面积金纳米粒子的均匀致密单层膜。研究结... 详细信息

利用LB技术在Si(100)基片上制作了金纳米粒子单层膜,采用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对单层膜的表面形貌进行表征。实验结果表明,将表面压控制在22mN/m～26mN/m进行拉膜,可以得到大面积金纳米粒子的均匀致密单层膜。研究结果对于采用金纳米粒子单层膜构建DNA传感器和单电子器件方面具有重要的应用价值。

关键词：金纳米粒子 LB技术扫描电子显微镜原子力显微镜

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