检索结果-内蒙古大学图书馆

科学技术与工程 2012年第6期20卷 1268-1271,1280页

作者：陈翔齐家敏陈佳品上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米纳米加工技术国家级重点实验室上海200240

BOC(二进制偏移载波,Binary Offset Carrier)信号现已广泛用于各全球卫星定位系统中。但BOC信号的自相关函数具有多峰,在同步时有捕获困难和歧异跟踪的问题。对此,由BOC(1,1)自相关函数结构入手分析,进而提出了一种适用于BOC(n,n)的新... 详细信息

BOC(二进制偏移载波,Binary Offset Carrier)信号现已广泛用于各全球卫星定位系统中。但BOC信号的自相关函数具有多峰,在同步时有捕获困难和歧异跟踪的问题。对此,由BOC(1,1)自相关函数结构入手分析,进而提出了一种适用于BOC(n,n)的新型同步算法。其在保持相关函数主峰的同时完全移除了副峰,从而使同步变得简单准确。仿真结果表明,提出的跟踪环路能实现精确同步,并且多径性能优良,检测概率只略有下降。

关键词：二进制偏移载波同步跟踪歧异性

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一种新型电流控制CMOS振荡器电路设计

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电源技术 2012年第11期36卷 1697-1699页

作者：徐慧敏戴庆元罗超上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240 上海交通大学微纳科学技术研究院微米纳米加工技术国家级重点实验室上海200240

设计了一种基于华虹0.35 mm BCD工艺的新型电流控制CMOS振荡器电路,中心频率为1 MHz,宽温度范围内具有占空比高稳定性。不同于传统电流控制CMOS振荡器拓扑,结构简单,通过反相器阈值电压控制电流对电容的充放电状态切换,消除了延迟时间... 详细信息

设计了一种基于华虹0.35 mm BCD工艺的新型电流控制CMOS振荡器电路,中心频率为1 MHz,宽温度范围内具有占空比高稳定性。不同于传统电流控制CMOS振荡器拓扑,结构简单,通过反相器阈值电压控制电流对电容的充放电状态切换,消除了延迟时间引起的上冲、下冲问题,具有良好的可移植性。Cadence Spectre仿真结果表明:-45～125℃范围内,振荡频率和占空比相对中心值的上下偏差分别为5.01%(-)到3.31%(+)、1.95%(-)到1.84%(+);方差分别为0.000 9、0.000 1。

关键词：振荡器电流控制占空比延迟时间开关电源

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基于磁性的CTCs捕获芯片的优化设计

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功能材料与器件学报 2012年第4期18卷 302-308页

作者：魏世隽蔡贤华陈翔陈迪陈景东湖北省中国人民解放军武汉总医院骨科武汉430070 微米纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海交通大学微纳科学技术研究院上海200240

本文主要研究基于磁性的CTC捕获芯片中细胞受力情况,提出该类芯片中细胞捕获可分为偏移阶段和吸附阶段,并使用COMOSL软件分析了各个阶段的受力特点。通过模拟计算及实验结果可以看出,传统的垂直捕获模式由于其受流场作用力影响,不适合... 详细信息

本文主要研究基于磁性的CTC捕获芯片中细胞受力情况,提出该类芯片中细胞捕获可分为偏移阶段和吸附阶段,并使用COMOSL软件分析了各个阶段的受力特点。通过模拟计算及实验结果可以看出,传统的垂直捕获模式由于其受流场作用力影响,不适合在高流速下进行CTC细胞捕获。基于此我们提出一种新型的平行捕获模式芯片的设计,该设计可以显著减少流场对CTC细胞捕获的影响。优化后的芯片流速可以达到6ml/h。

关键词： CTC细胞磁柱微流控平行捕获模式

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AFM电场诱导氧化加工技术制备微纳米结构

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航空精密制造技术 2012年第3期48卷 1-4,13页

作者：胡克想王庆康胡晓东上海交通大学薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家重点实验室上海200240 天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室天津300072

大气状态下利用接触模式原子力显微镜(AFM)动态电场和静态电场及轻敲模式AFM静态电场制备了一维纳米光栅,对纳米光栅结构的特征进行了比较并对电场诱导阳极氧化加工的机理作了相应的理论分析。

关键词：调制电场静电场接触模式轻敲模式阳极氧化纳米光栅

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超陷光黑硅结构研究

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光学学报 2011年第10期31卷 53-57页

作者：钱超峰王庆康李海华上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200240

研究了超陷光黑硅表面圆锥阵列结构的设计。将圆锥结构分为五层,利用等效媒质理论进行了参数设计。考虑了硅材料折射率随波长的变化,用严格耦合波理论对不同入射角,圆锥阵列结构高度以及占空比时的反射率进行了计算分析。发现,圆锥阵列... 详细信息

研究了超陷光黑硅表面圆锥阵列结构的设计。将圆锥结构分为五层,利用等效媒质理论进行了参数设计。考虑了硅材料折射率随波长的变化,用严格耦合波理论对不同入射角,圆锥阵列结构高度以及占空比时的反射率进行了计算分析。发现,圆锥阵列超陷光结构的周期为135nm,高度为480nm时,在0°～60°入射角范围内,对波长为300～1200nm的入射光的反射率都小于5%。

关键词：衍射黑硅等效媒质理论超陷光圆锥阵列结构

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一种微尺度有序增强复合材料的制备及其力学性能表征

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功能材料 2011年第10期42卷 1836-1839,1843页

作者：张振杰汪红杨卓青丁桂甫赵小林上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240

选择聚氨酯改性环氧树脂作为基体,利用微加工工艺制备了一种以电镀镍丝作为增强体的微尺寸有序增强聚合物基体复合材料。ANSYS有限元仿真结果表明基体完全包裹增强体能够很好地缓解应力集中,当增强体的排布角度为45°,体积含量为62... 详细信息

选择聚氨酯改性环氧树脂作为基体,利用微加工工艺制备了一种以电镀镍丝作为增强体的微尺寸有序增强聚合物基体复合材料。ANSYS有限元仿真结果表明基体完全包裹增强体能够很好地缓解应力集中,当增强体的排布角度为45°,体积含量为62.5%时,复合材料变形过程中应力集中程度相对最弱。对制备的微尺寸复合材料进行了DMA拉伸测试,结果表明相比单一的聚合物基体材料,有序增强复合结构材料的抗拉强度和弹性模量分别约提高了4倍和3倍,最后,通过扫描电镜观察了试样断口,对其拉伸断裂过程进行了合理分析。

关键词： MEMS 复合材料 ANSYS 有序增强微尺度

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多沟道碳纳米晶体管SPICE模型与环形振荡器设计

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固体电子学研究与进展 2011年第4期31卷 354-358页

作者：张旭琛戴庆元张亚非彭敏杜涛上海交通大学薄膜与微细技术教育部重点实验室微米纳米加工技术国家级重点实验室上海200240

针对多沟道碳纳米晶体管(MC-CNTFET)越来越接近实用化的发展现状,提出了一种多沟道碳纳米晶体管的集成电路仿真SPICE(Simulation program with integrated ciruit emphasis)模型,并基于此模型,对用多沟道碳纳米晶体管构成的环形振荡器... 详细信息

针对多沟道碳纳米晶体管(MC-CNTFET)越来越接近实用化的发展现状,提出了一种多沟道碳纳米晶体管的集成电路仿真SPICE(Simulation program with integrated ciruit emphasis)模型,并基于此模型,对用多沟道碳纳米晶体管构成的环形振荡器进行了分析。结果表明,该模型能够很好地模拟多沟道碳纳米晶体管的电学特性,进一步分析表明,基于50 nm多沟道碳纳米晶体管环形振荡器的振荡频率可达90 GHz,显示出多沟道碳纳米晶体管电路具有很大的性能优势。

关键词：碳纳米管多沟道碳纳米晶体管环形振荡器

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移动数字电视接收机中宽带RF RSSI的设计

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固体电子学研究与进展 2011年第2期31卷 169-173页

作者：褚敏戴庆元蔡新午上海交通大学微纳米科技研究所微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240

基于UMC 0.18μm RF CMOS工艺,设计并实现了一个应用于移动数字电视接收机射频前端的接收信号强度指示仪(RF RSSI)。提出了一种全新的功率检测电路,相对于传统的非平衡源级耦合对整流器,具有设计简单、功耗低以及良好的宽带功率指示功能... 详细信息

基于UMC 0.18μm RF CMOS工艺,设计并实现了一个应用于移动数字电视接收机射频前端的接收信号强度指示仪(RF RSSI)。提出了一种全新的功率检测电路,相对于传统的非平衡源级耦合对整流器,具有设计简单、功耗低以及良好的宽带功率指示功能;电路中前置放大器采用恒定跨导(Gm)偏置技术,输出放大器为三运放仪表放大器(IA),其增益均为片上电阻的比值,因此受工艺、温度、电源电压影响较小。芯片测试结果表明,在1.8 V电源电压下,工作频率470～860 MHz范围内,该RF RSSI的动态功率检测范围为-25～-15 dBm,非线性误差小于±1.5 dB,同时功耗仅为7 mW。满足接收机系统要求。

关键词：互补型金属氧化物半导体射频集成电路恒定跨导偏置接收信号强度指示仪表放大器

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应用于等离子体显示器的铝电极及其介质层制备研究

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真空科学与技术学报 2011年第4期31卷 419-423页

作者：刘启发王艳汪红丁桂甫上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240

提出用铝取代银作为寻址电极,氧化铝取代玻璃粉作为其上介质层的新型等离子体显示器(PDP)电极单元,对单项工艺进行了优化,并形成了完整可行的整体工艺路线,有望为PDP生产成本的降低提供一条新的技术途径。选用非连续磁控溅射和光刻-刻... 详细信息

提出用铝取代银作为寻址电极,氧化铝取代玻璃粉作为其上介质层的新型等离子体显示器(PDP)电极单元,对单项工艺进行了优化,并形成了完整可行的整体工艺路线,有望为PDP生产成本的降低提供一条新的技术途径。选用非连续磁控溅射和光刻-刻蚀工艺制备铝电极,阳极氧化工艺制备氧化铝介质层。用扫描电子显微镜对铝膜、氧化铝介质层及电极单元的整体形貌进行了表征;分别对所制备的铝电极的导电性能和氧化铝介质层的耐击穿性能进行了测定,结果表明在优化的实验条件下铝电极电阻率可以达到5.0×10-8Ω·m,氧化铝耐击穿强度大于100 V/μm,完全可以满足实际应用的技术要求。

关键词：等离子体显示器寻址电极氧化铝介质层磁控溅射阳极氧化

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具有自检自标定功能的高负载电容式金属微加速度计的研究

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传感技术学报 2011年第6期24卷 829-834页

作者：李凯陈文元汪红崔峰张卫平上海交通大学微纳科学技术研究院微米纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240

提出一种由圆形板和大量扇形梁构成活动部件的新型高负载电容式微加速度计。通过将固定电极分为检测电极与驱动电极,可实现自检自标定功能。该微加速度计以金属为核心部件材料,并采用UV-LIGA微工艺进行加工。虽然活动部件因全柔性而具... 详细信息

提出一种由圆形板和大量扇形梁构成活动部件的新型高负载电容式微加速度计。通过将固定电极分为检测电极与驱动电极,可实现自检自标定功能。该微加速度计以金属为核心部件材料,并采用UV-LIGA微工艺进行加工。虽然活动部件因全柔性而具有复杂变形、器件内存在复杂机电耦合,但该传感器所建立的计算模型具有精确、快速的特点。采用AD7747对该加速度计进行了测试,并实现了结构参数、材料参数的标定及支撑梁发生破坏、尘粒进入腔室等故障的检查。

关键词：微加速度计高负载电容式金属

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