检索结果-内蒙古大学图书馆

复合材料学报 2007年第4期24卷 88-94页

作者：吴惠箐丁桂甫王裕超汪红上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

通过复合电沉积技术制备了锌基碳纳米管复合薄膜。其中,碳纳米管表面的锌沉积层平滑连续,无明显界面缺陷,与其它金属基碳纳米管复合材料相比,这种独特的界面形貌是值得注意的。在对材料变形区的观察中发现,在薄膜变形的过程中,适中的结... 详细信息

通过复合电沉积技术制备了锌基碳纳米管复合薄膜。其中,碳纳米管表面的锌沉积层平滑连续,无明显界面缺陷,与其它金属基碳纳米管复合材料相比,这种独特的界面形貌是值得注意的。在对材料变形区的观察中发现,在薄膜变形的过程中,适中的结合强度将允许碳纳米管与基体发生界面脱黏,碳纳米管被拔出基体后桥联在裂纹中。虽然界面结合受到损伤,但是仍然可以有效地传递应力。当裂纹继续扩展,碳纳米管石墨片层开裂,直至完全断裂。同时,这些桥连在裂纹中的碳纳米管趋向于向垂直于裂纹的方向滑移,它们在基体中移动时会对基体造成一定程度的损伤。这些过程都将消耗大量的破断能,从而起到对基体的增强效果。锌基碳纳米管复合薄膜的平均硬度由HV178.3上升至HV493.5。

关键词：碳纳米管纤维增强金属基复合材料界面特性增强机制

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带反射回馈的高效光子晶体多路滤波器件

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光学精密工程 2007年第8期15卷 1208-1214页

作者：吴斌王庆康上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

光子晶体制备的滤波器件在光通信中有巨大应用潜力，但普通的基于2D光子晶体的多分路滤波器因为抽取效率不够高，无法达到实用化的要求。本文通过给上述滤波器加入新结构，提出了性能更好的分路滤波器模型。具体的改进结构有两种：一种... 详细信息

光子晶体制备的滤波器件在光通信中有巨大应用潜力，但普通的基于2D光子晶体的多分路滤波器因为抽取效率不够高，无法达到实用化的要求。本文通过给上述滤波器加入新结构，提出了性能更好的分路滤波器模型。具体的改进结构有两种：一种是在主波导末端放置一个反射微腔，另一种是在主波导两侧放置多个反射微腔。通过时域有限差分（FDTD）法对光波在这两种结构中的传播进行了模拟分析，并绘出了光波能量传播示意图。结果表明，该结构可以明显地减少光波损耗，提高抽取效率。这两种结构器件的理论抽取效率达到了60％～90％，大大高于普通结构的30％～40％的水平。这也说明了反射微腔的新颖结构对改进光子晶体滤波器的重要作用。

关键词：光子晶体多分路滤波器反射微腔时域有限差分法

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纳米尺度压电薄膜PZT的结构特征和性能

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压电与声光 2007年第1期29卷 68-70页

作者：李敏惠春徐爱兰汪静孙建平上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

采用改进的溶胶-凝胶(Sol-Gel)方法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备锆钛酸铅(PZT)纳米晶薄膜,研究了不同的热处理方式对PZT薄膜的晶粒结构、尺寸及电学性能的影响。X-射线衍射(XRD)分析表明:传统的热处理方式更有利于得到具有一定择优取向性... 详细信息

采用改进的溶胶-凝胶(Sol-Gel)方法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备锆钛酸铅(PZT)纳米晶薄膜,研究了不同的热处理方式对PZT薄膜的晶粒结构、尺寸及电学性能的影响。X-射线衍射(XRD)分析表明:传统的热处理方式更有利于得到具有一定择优取向性的PZT薄膜。原子力显微镜(AFM)显示:快速热处理方式使PZT薄膜的晶粒具有自形晶结构,晶粒的排布更为有序,从而改善了薄膜的致密性。阻抗分析仪的测试结果表明:经快速热处理的薄膜,漏电流大约比传统热处理处理的薄膜的漏电流降低了20倍左右。

关键词： PZT薄膜传统热处理快速热处理

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水相中合成CdTe半导体量子点

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上海交通大学学报 2007年第10期41卷 1690-1694页

作者：尤晓刚贺蓉田红叶高峰崔大祥上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240

用不同修饰剂在水相中合成了CdTe半导体量子点(Quantum Dots,QDs).通过紫外吸收光谱(UV-VIS)、荧光发射光谱(PL)、Zeta电位等方法对制备的样品进行了表征.实验结果表明:选用同一修饰剂,紫外吸收和荧光发射峰随反应时间的延长有明显红移... 详细信息

用不同修饰剂在水相中合成了CdTe半导体量子点(Quantum Dots,QDs).通过紫外吸收光谱(UV-VIS)、荧光发射光谱(PL)、Zeta电位等方法对制备的样品进行了表征.实验结果表明:选用同一修饰剂,紫外吸收和荧光发射峰随反应时间的延长有明显红移,即粒径在不断长大;选用不同的修饰剂,反应相同的时间,可以得到不同粒径的量子点;合成CdTe量子点的发射谱的平均半峰宽约为50 nm,单分散性很好;以巯基乙酸为修饰剂,反应时间为240 min时,是水相合成CdTe量子点的最佳条件;量子点水溶液的Zeta电位受修饰剂和pH值的影响;水溶性的、带有官能团的量子点适合于进一步的生物应用.

关键词：量子点修饰剂荧光

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纳米压印技术中模板表面的气相法抗粘连修饰

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上海交通大学学报 2007年第10期41卷 1687-1689,1694页

作者：李海华李小丽王庆康上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家重点实验室上海200240

研究了采用全氟四氢辛基硅烷(F13-TCS)对纳米压印技术中所用SiO2模板进行表面修饰的情况,分析了用气相法在SiO2模板表面形成F13-TCS单分子膜的形成过程及化学机理,并用X射线光电子能谱仪(XPS)和视频光学接触角测试仪对模板修饰表面的元... 详细信息

研究了采用全氟四氢辛基硅烷(F13-TCS)对纳米压印技术中所用SiO2模板进行表面修饰的情况,分析了用气相法在SiO2模板表面形成F13-TCS单分子膜的形成过程及化学机理,并用X射线光电子能谱仪(XPS)和视频光学接触角测试仪对模板修饰表面的元素成分、价态和表面能进行了测试表征,用原子力显微镜(AFM)对压印过程中的模板结构及模板复制结构进行了对比分析.结果表明,通过F13-TCS对SiO2模板的表面修饰,可以大大降低模板与压印聚合物层之间的相互作用力,在纳米压印过程中实现结构较好的转移、复制.

关键词：纳米压印气相法表面修饰

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曲柄摇杆扑翼机构的联合仿真及优化设计

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系统仿真学报 2007年第8期19卷 1758-1761页

作者：彭松林左德参张卫平陈文元上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

采用曲柄摇杆扑翼机构,通过UG实体建模和动力学仿真验证了这一设计的可行性。通过MATLAB和ADAMS建立了微型直流电机和曲柄摇杆扑翼机构的耦合模型,分析了不同定负载条件下齿轮传动机构减速比和曲柄摇杆的参数变化对扑动频率的影响,它为... 详细信息

采用曲柄摇杆扑翼机构,通过UG实体建模和动力学仿真验证了这一设计的可行性。通过MATLAB和ADAMS建立了微型直流电机和曲柄摇杆扑翼机构的耦合模型,分析了不同定负载条件下齿轮传动机构减速比和曲柄摇杆的参数变化对扑动频率的影响,它为曲柄摇杆扑翼机构的实物快速制造提供了理论依据,也对进一步优化设计具有借鉴意义。

关键词： ADAMS MATLAB 动力学联合仿真扑翼机构

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CPW馈电缝隙耦合蝶形毫米波贴片天线

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电子与信息学报 2007年第10期29卷 2392-2395页

作者：顾东华丁桂甫陈伟强孙晓峰沈民谊黎滨洪上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细加工技术教育部重点实验室上海200030

该文研究了一种工作在Ka波段共面波导(CPW)馈电缝隙耦合的蝶形贴片天线。耦合缝隙位于接地板上,而不需要额外的缝隙耦合层,使天线更易与电路相集成。耦合缝隙的存在改变了接地板上原有表面电流的分布,使电流沿着缝隙边缘流动,因此馈线... 详细信息

该文研究了一种工作在Ka波段共面波导(CPW)馈电缝隙耦合的蝶形贴片天线。耦合缝隙位于接地板上,而不需要额外的缝隙耦合层,使天线更易与电路相集成。耦合缝隙的存在改变了接地板上原有表面电流的分布,使电流沿着缝隙边缘流动,因此馈线与辐射源的电磁耦合效率得到提高。用有限元分析软件(Ansoft HFSS)对衬底厚度、贴片角度、耦合缝隙大小等参数变化时的天线性能进行了仿真。比较并分析了S_(11),增益等天线性能参数的变化规律,并在带宽最优的条件下给出了一组参数值,此时天线的工作频率为35.5GHz,带宽为1.22GHz,增益为6.38dB。

关键词：共面波导蝶形天线贴片天线缝隙耦合

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基于Si掺杂Sb2Te3薄膜的相变存储器研究

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物理学报 2007年第7期56卷 4224-4228页

作者：张祖发张胤冯洁蔡燕飞林殷茵蔡炳初汤庭鳌 Bomy Chen 上海交通大学"薄膜与微细技术"教育部重点实验室"微米/纳米加工技术"国家级重点实验室微纳科学技术研究院上海200030 复旦大学专用集成电路和系统国家重点实验室上海200433 Silicon Storage Technology Inc. Sunnyvale

采用磁控三靶(Si,Sb及Te)共溅射法制备了Si掺杂Sb2Te3薄膜,作为对比,制备了Ge2Sb2Te5和Sb2Te3薄膜,并且采用微加工工艺制备了单元尺寸为10μm×10μm的存储器件原型来研究器件性能.研究表明,Si掺杂提高了Sb2Te3薄膜的晶化温度以及... 详细信息

采用磁控三靶(Si,Sb及Te)共溅射法制备了Si掺杂Sb2Te3薄膜,作为对比,制备了Ge2Sb2Te5和Sb2Te3薄膜,并且采用微加工工艺制备了单元尺寸为10μm×10μm的存储器件原型来研究器件性能.研究表明,Si掺杂提高了Sb2Te3薄膜的晶化温度以及薄膜的晶态和非晶态电阻率,使得其非晶态与晶态电阻率之比达到106,提高了器件的电阻开/关比;同Ge2Sb2Te5薄膜相比,16at%Si掺杂Sb2Te3薄膜具有较低的熔点和更高的晶态电阻率,这有利于降低器件的RESET电流.研究还表明,采用16at%Si掺杂Sb2Te3薄膜作为存储介质的存储器器件原型具有记忆开关特性,可以在脉高3V、脉宽500ns的电脉冲下实现SET操作,在脉高4V、脉宽20ns的电脉冲下实现RESET操作,并能实现反复写/擦,而采用Ge2Sb2Te5薄膜的相同结构的器件不能实现RESET操作.

关键词：相变存储器硫系化合物 Si掺杂Sb2Te3 薄膜 SET/RESET转变

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适于MEMS器件的低应力Ni-W纳米晶薄膜的制备

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上海交通大学学报 2007年第S2期41卷 12-15页

作者：汪红丁桂甫赵小林姚锦元朱军王志民上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030

以高强度、高耐腐蚀性Ni-W合金为研究对象,探讨了柠檬酸胺-HEDP体系中,各种电沉积工艺参数以及热处理条件对Ni-W合金薄膜应力的影响规律及其在微喷嘴模具上的应用.研究结果表明,在优化的工艺条件下,可获得应力为230 MPa、硬度高达988 H... 详细信息

以高强度、高耐腐蚀性Ni-W合金为研究对象,探讨了柠檬酸胺-HEDP体系中,各种电沉积工艺参数以及热处理条件对Ni-W合金薄膜应力的影响规律及其在微喷嘴模具上的应用.研究结果表明,在优化的工艺条件下,可获得应力为230 MPa、硬度高达988 HV、无裂纹的纳米晶Ni-W薄膜材料,为其在MEMS微器件、微模具制备上的应用提供了有效途径.

关键词：内应力 Ni-W纳米晶微机电系统电沉积热处理

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基于加速度采集系统的无线输入设备的研究

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计算机应用研究 2007年第2期24卷 260-263页

作者：黄得志陈文元杨华峰钱莉张卫平上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030

研究基于加速度采集系统的无线输入设备,介绍了硬件系统的组成和工作原理,重点讨论了有限状态机FSM和COM组件软件技术的应用,用C++语言给出了FSM的实现框架和COM接口函数的描述,并基于加速度信息采集平台用C#语言开发了一个测试程序,既... 详细信息

研究基于加速度采集系统的无线输入设备,介绍了硬件系统的组成和工作原理,重点讨论了有限状态机FSM和COM组件软件技术的应用,用C++语言给出了FSM的实现框架和COM接口函数的描述,并基于加速度信息采集平台用C#语言开发了一个测试程序,既充分展示了采用FSM和COM技术的优点,同时说明了基于该系统的虚拟键盘鼠标系统实现方案的可行性。

关键词：有限状态机 COM技术微加速度传感器虚拟键盘鼠标系统

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