检索结果-内蒙古大学图书馆

传感器与微系统 2006年第4期25卷 52-54,57页

作者：董明惠春徐爱兰上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030

介绍了现有四臂压电式加速度计的工作原理及ANSYS软件在压电式加速度计方面的应用。将传统的四臂压电式加速度的悬臂梁改用沟槽式结构。并使用ANSYS软件进行仿真分析,发现沟槽结构的加速度计的灵敏度可以高达0.633 5mV/gn,远高于平坦基... 详细信息

介绍了现有四臂压电式加速度计的工作原理及ANSYS软件在压电式加速度计方面的应用。将传统的四臂压电式加速度的悬臂梁改用沟槽式结构。并使用ANSYS软件进行仿真分析,发现沟槽结构的加速度计的灵敏度可以高达0.633 5mV/gn,远高于平坦基体表面结构式加速度计的灵敏度(0.281 95mV/gn)。

关键词：微机电系统加速度计沟槽

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高性能螺线管微电感的制作

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Journal of Semiconductors 2006年第8期27卷 1422-1425页

作者：方东明周勇赵小林上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

利用MEMS技术制作了高性能的空芯螺线管型射频微机械电感.这种微电感采用铜线圈以减小线圈寄生电阻,整个微电感的面积是880μm×350μm,与平面螺旋型微电感相比,有效地节省了芯片面积.测试结果表明,微电感在较宽的工作频率范围内具... 详细信息

利用MEMS技术制作了高性能的空芯螺线管型射频微机械电感.这种微电感采用铜线圈以减小线圈寄生电阻,整个微电感的面积是880μm×350μm,与平面螺旋型微电感相比,有效地节省了芯片面积.测试结果表明,微电感在较宽的工作频率范围内具有高Q值,微电感最大Q值为38(@6GHz),对应的电感量为1·82nH.

关键词：螺线管电感射频微机电系统品质因素三维

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基于微加速度传感器的无线鼠标的设计

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传感器与微系统 2006年第1期25卷 50-52,55页

作者：黄得志陈文元杨华锋钱莉张卫平上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030

研究基于微加速度传感器的无线鼠标的设计,讨论了MEMS无线鼠标的软件、硬件设计和系统组成,给出了M atlab环境下系统的模型和算法。模拟结果说明:无线鼠标的设计是合理可行的,提出的二次积分近似算法是简捷有效的。

关键词：微加速度传感器微机电系统无线鼠标

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一种用于测试坡莫合金薄膜机械性能的拉伸模型

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传感技术学报 2006年第5A期19卷 1595-1598页

作者：李雪萍丁桂甫安藤妙子式田光宏佐藤一雄上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030 名古屋大学微纳系统工程系

坡莫合金(Ni80Fe20)薄膜是微机电系统常用的磁性材料之一.介绍了一种用于测试其机械性能的单轴拉伸试验模型.此模型的特点是微小试件两端固定、且与加载机构集成在基片上,从而可减少操作工作量、提高对准精度.整个机构以微细加工方法制... 详细信息

坡莫合金(Ni80Fe20)薄膜是微机电系统常用的磁性材料之一.介绍了一种用于测试其机械性能的单轴拉伸试验模型.此模型的特点是微小试件两端固定、且与加载机构集成在基片上,从而可减少操作工作量、提高对准精度.整个机构以微细加工方法制成:坡莫合金拉伸试件以光刻和电镀技术成型,其余的加载机构以湿法蚀刻制成.实验表明:使用此机构可以简单且高精度地对薄膜试件进行拉伸试验,获得多项力学性能参数,从而为MEMS器件设计和分析提供可靠的理论基础.

关键词：微机电系统机械性能坡莫合金拉伸试验

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一种快速可变剪接模式搜索算法的研究

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高技术通讯 2006年第10期16卷 1051-1055页

作者：张欣赵静王庆康曹志伟上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030 上海交通大学生命科学技术学院 200240 上海生物信息技术研究中心上海200235

提出了一种快速可变剪接模式搜索算法--ASDT.该算法通过计算cDNA与基因序列的联配结构来寻找基因的可变剪接模式.ASDT计算中引入已知剪接信息,并采用增强后缀数组、块联配延伸和K最大参考路径等技术和方法来提高计算速度.与国外的BLAT... 详细信息

提出了一种快速可变剪接模式搜索算法--ASDT.该算法通过计算cDNA与基因序列的联配结构来寻找基因的可变剪接模式.ASDT计算中引入已知剪接信息,并采用增强后缀数组、块联配延伸和K最大参考路径等技术和方法来提高计算速度.与国外的BLAT软件的比较结果显示,在达到相同计算精度的前提下,ASDT的搜索速度是BLAT的2到16倍.根据ASDT算法开发的工具可以在以下网址获得： http：//***/ASDT/.

关键词：可变剪接联配搜索算法 EST

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新型检测癌细胞的谐振式生物传感器

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传感器与微系统 2006年第3期25卷 65-67页

作者：卢蔚君惠春徐爱兰上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

研究了一种新型利用磁微球的间接检测癌细胞的生物传感器。利用磁微球分离细胞,将分离细胞过程和检测过程分开,避免了现有方法制作敏感膜的步骤。实验结果表明:这种检测方法操作简单、快速,具有明显的灵敏性和选择性。

关键词：压电谐振式生物传感器磁微球

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磁悬浮转子微陀螺电容结构设计

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传感器与微系统 2006年第1期25卷 41-43页

作者：黄晓刚刘武邵诗逸陈文元张卫平上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

为了实现磁悬浮转子微陀螺的电容检测,使用数值积分方法计算了新型磁悬浮转子微陀螺的电容值与转子倾斜角度的关系。计算确定了电容极板尺寸,电容的连接采用了差动电容的连接方式。通过电容检测电路,检测到了小角度输入范围内的陀螺输... 详细信息

为了实现磁悬浮转子微陀螺的电容检测,使用数值积分方法计算了新型磁悬浮转子微陀螺的电容值与转子倾斜角度的关系。计算确定了电容极板尺寸,电容的连接采用了差动电容的连接方式。通过电容检测电路,检测到了小角度输入范围内的陀螺输出信号。检测结果表明:该电容结构对于静态角度输入具有较好的线性响应,该微陀螺原形的电容结构能够检测到的转子倾斜角度可达到0.1°,对应的电容变化约为1 000 aF,满足了微陀螺对电容检测的要求。

关键词：磁悬浮微陀螺电容检测

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反干涉齿轮集微机电系统密码锁鉴码问题

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上海交通大学学报 2006年第7期40卷 1103-1107页

作者：张卫平陈文元赵小林李胜勇吴校生冯敏华谈顺毅上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

反干涉齿轮集微机电系统密码锁是一种用于要害系统的机电一体化装置,通过访问意图密码与锁体内部固化的机械授权密码比对鉴别实现安全保证.研究了三相四对极轴向磁场微电机的步进控制逻辑,建立了鉴码系统的动力学模型,分析了系统的模态... 详细信息

反干涉齿轮集微机电系统密码锁是一种用于要害系统的机电一体化装置,通过访问意图密码与锁体内部固化的机械授权密码比对鉴别实现安全保证.研究了三相四对极轴向磁场微电机的步进控制逻辑,建立了鉴码系统的动力学模型,分析了系统的模态和不同摩擦参数下的动力学响应.分析表明,密码锁实现鉴码功能不仅要考虑驱动器的电气控制,还要考虑鉴码轴系的动态特性.通过控制棘轮棘爪处的摩擦力矩可有效提高微机电系统密码锁的鉴码性能.

关键词：反干涉齿轮集微机电系统密码锁鉴码步进控制动力学

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氧分压对磁控溅射BST薄膜及其介电性能的影响

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上海交通大学学报 2006年第1期40卷 108-111页

作者：唐逸杨春生张丛春上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

为了应用平板式射频磁控溅射设备制备出良好介电性能的钛酸锶钡(BST)纳米薄膜,研究了溅射过程中不同氧分压(pO2)对沉积薄膜的化学成分、结晶性、表面形貌、电学性能的影响.实验结果表明:纯氩无氧气氛沉积的BST纳米薄膜化学成分符合化学... 详细信息

为了应用平板式射频磁控溅射设备制备出良好介电性能的钛酸锶钡(BST)纳米薄膜,研究了溅射过程中不同氧分压(pO2)对沉积薄膜的化学成分、结晶性、表面形貌、电学性能的影响.实验结果表明:纯氩无氧气氛沉积的BST纳米薄膜化学成分符合化学计量比,经750℃、30 min氧气保护热处理后,呈现出BST材料固有的钙钛矿相,有较高的介电常数(rε=700)和较低的漏电流密度(1.9μA/cm2);氧氩混合气氛沉积的BST纳米薄膜,由于氧负离子反溅射作用,使薄膜的化学成分偏离化学计量比,经相同热处理后,不能形成相应的晶体结构,导致薄膜的rε下降、漏电流密度提高,介电性能变坏;pO2的变化对沉积薄膜的化学成分影响不大.

关键词：钛酸锶钡射频磁控溅射氧分压 X射线衍射介电性能

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MEMS器件气密性封装的低温共晶键合工艺研究

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传感器与微系统 2006年第1期25卷 82-84页

作者：张东梅丁桂甫汪红姜政姚锦元上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

介绍了一种采用Pb-Sn共晶合金作为中间层的键合封装技术,通过电镀的方法在芯片与基片上形成Cr/N i/Cu/Pb-Sn多金属层,在温度为190℃、压强为150 Pa的真空中进行键合,键合过程不需使用助焊剂,避免了助焊剂对微器件的污染。试验表明:这种... 详细信息

介绍了一种采用Pb-Sn共晶合金作为中间层的键合封装技术,通过电镀的方法在芯片与基片上形成Cr/N i/Cu/Pb-Sn多金属层,在温度为190℃、压强为150 Pa的真空中进行键合,键合过程不需使用助焊剂,避免了助焊剂对微器件的污染。试验表明:这种键合工艺具有较好的气密性,键合区合金分布均匀、无缝隙、气泡等脱焊区,键合强度较高,能够满足电子元器件和微机电系统(MEMS)可动部件低温气密性封装的要求。

关键词：微机电系统气密性封装共晶键合低温封装

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