检索结果-内蒙古大学图书馆

生物工程学报 2006年第2期22卷 334-337页

作者：梁杰王英张亚非上海交通大学DNA计算机交叉团队微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海交通大学微纳科学技术研究院上海200030

将链长不同的两种DNA溶解在超纯水中,分别测定它们在不同浓度不同温度下的电导行为。试验证明,同种DNA的电导率随着溶液中DNA的浓度增大而显著增大。而对于两种不同的DNA,短链DNA(1000bp)好。在本文测试的浓度范围内,短链DNA水溶液常温... 详细信息

将链长不同的两种DNA溶解在超纯水中,分别测定它们在不同浓度不同温度下的电导行为。试验证明,同种DNA的电导率随着溶液中DNA的浓度增大而显著增大。而对于两种不同的DNA,短链DNA(<50bp)的电导能力较长链DNA(>1000bp)好。在本文测试的浓度范围内,短链DNA水溶液常温下电导率达到0.99×10-4S/cm。而且,电导率随DNA浓度的变化规律与指数方程(δ/δ0=aCm)符合得很好。当温度升高时长链和短链DNA溶液的电导率都有明显增大,并且随温度的变化趋势基本一致。

关键词： DNA 电导率温度浓度

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三明治结构FeNi/Cu/FeNi多层膜巨磁阻抗效应研究

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功能材料与器件学报 2006年第3期12卷 182-186页

作者：周勇丁文曹莹商干兵周志敏高孝裕余先育上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

采用MEMS技术在玻璃基片上制备了三明治结构FeNi／Cu／FeNi多层膜，在1—40MHz范围内研究了FeNi／Cu／FeNi多层膜中的巨磁阻抗效应特性。当磁场日。施加在薄膜的长方向时，巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加，在某一磁场下达到最大值，然... 详细信息

采用MEMS技术在玻璃基片上制备了三明治结构FeNi／Cu／FeNi多层膜，在1—40MHz范围内研究了FeNi／Cu／FeNi多层膜中的巨磁阻抗效应特性。当磁场日。施加在薄膜的长方向时，巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加，在某一磁场下达到最大值，然后随磁场的增加而下降到负的巨磁阻抗效应。在频率为5MHz时，巨磁阻抗效应在磁场以：800A／m时达到最大值26．6％。巨磁阻抗效应的最大值及负的巨磁阻抗效应与多层膜中磁各向异性轴的取向及发散有关。另外，当磁场施加在薄膜的短方向时，薄膜表现出负的巨磁阻抗效应，在频率5MHz、磁场Ha=9600A／m时，巨磁阻抗效应可达-15．6％。

关键词：巨磁阻抗效应三明治结构FeNi/Cu/FeNi多层膜 MEMS技术

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弯曲形FeSiB/Cu/FeSiB多层膜的应力阻抗效应

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电子元件与材料 2006年第1期25卷 5-7页

作者：丁文周勇茅昕辉陈吉安曹莹上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

用磁控溅射法制备弯曲形FeSiB／Cu／FeSiB多层膜，在1～40MHz范围内研究FeSiB膜和Cu膜厚度对多层膜结构应力阻抗效应的影响。结果表明：多层膜的应力阻抗效应随着其形变位移的增加近似线性增加，在自由端变形1mm、电流频率5MHz时，应力... 详细信息

用磁控溅射法制备弯曲形FeSiB／Cu／FeSiB多层膜，在1～40MHz范围内研究FeSiB膜和Cu膜厚度对多层膜结构应力阻抗效应的影响。结果表明：多层膜的应力阻抗效应随着其形变位移的增加近似线性增加，在自由端变形1mm、电流频率5MHz时，应力阻抗效应达-17.3％，在新型力敏传感器方面具有广阔的应用前景。

关键词：无机非金属材料应力阻抗 FeSiB/Cu/FeSiB多层膜磁控溅射弯曲形

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MEMS微拾振器制备工艺研究

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电子元件与材料 2006年第7期25卷 69-71页

作者：方华斌刘景全董璐陈迪蔡炳初上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

采用微机电系统(MEMS)技术制作了悬臂梁式压电微拾振器,该技术主要包括:sol-gel法制备PZT压电膜、干法刻蚀、湿法化学刻蚀、UV-LIGA等工艺。研制的拾振器悬臂梁结构尺寸为:长2000μm,宽600μm,硅膜厚度12μm,PZT压电膜厚1.5μm,Ni质量块... 详细信息

采用微机电系统(MEMS)技术制作了悬臂梁式压电微拾振器,该技术主要包括:sol-gel法制备PZT压电膜、干法刻蚀、湿法化学刻蚀、UV-LIGA等工艺。研制的拾振器悬臂梁结构尺寸为:长2000μm,宽600μm,硅膜厚度12μm,PZT压电膜厚1.5μm,Ni质量块长600μm、高500μm。测试表明其固有频率为610Hz,适合低频振动源环境的应用。在1gn加速度谐振激励下,电压输出达562mV。

关键词：电子技术微拾振器微机电系统固有频率电压输出

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基于金刚石薄膜的微间隙室制备

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压电与声光 2006年第6期28卷 692-695页

作者：王芸龙沪强侯中宇徐东谢宽仲蔡炳初卞建江上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030 上海交通大学电子信息与电气工程学院上海200030 上海大学材料科学与材料工程学院上海200072

采用金刚石薄膜作为阴-阳极间绝缘介质层是一种新型的微间隙室（MGC）结构。该文详细介绍和讨论了采用常规的微细加工工艺制备基于金刚石薄膜介质层的MGC的制备技术，其典型结构为阳极微条宽20μm，微条间隔180μm，器件探测区面积为38m... 详细信息

采用金刚石薄膜作为阴-阳极间绝缘介质层是一种新型的微间隙室（MGC）结构。该文详细介绍和讨论了采用常规的微细加工工艺制备基于金刚石薄膜介质层的MGC的制备技术，其典型结构为阳极微条宽20μm，微条间隔180μm，器件探测区面积为38mm×34mm。采用热丝CVD法制备的金刚石薄膜作为阴-阳极间绝缘介质层，厚7～8μm，具有（100）晶面结构。金刚石的刻蚀采用反应离子刻蚀，Cr作掩膜，O2和SF6为刻蚀气体，刻蚀速率为79nm／min，与Cr的刻蚀比约为20：1。实验结果表明，采用的微加工结合自套准工艺可很好地解决金刚石薄膜的制备、图形化及金属阳极电极与金刚石薄膜的相互套准等金刚石薄膜的可加工性及兼容性问题，并制备出采用金刚石薄膜作为电极间绝缘介质层的新型MGC结构。

关键词：微间隙室金刚石薄膜反应离子刻蚀热丝CVD

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曲折形三层等宽FeCuNbSiB/Cu/FeCuNbSiB多层膜巨磁阻抗效应研究

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电子元件与材料 2006年第1期25卷 23-26页

作者：余先育曹莹周勇丁文商干兵周志敏高孝裕上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

采用磁控溅射方法，在玻璃基片上制备了曲折形三层等宽FeCuNbSiB／Cu／FeCuNbSiB多层膜。在1．40MHz下，研究了多层膜材料的巨磁阻抗（GMI）效应随外加磁场的变化关系。结果表明：在频率为5MHz、磁场强度为12kA／m下，横向和纵向GMI效... 详细信息

采用磁控溅射方法，在玻璃基片上制备了曲折形三层等宽FeCuNbSiB／Cu／FeCuNbSiB多层膜。在1．40MHz下，研究了多层膜材料的巨磁阻抗（GMI）效应随外加磁场的变化关系。结果表明：在频率为5MHz、磁场强度为12kA／m下，横向和纵向GMI效应分别达-23．5％和-16．8％。薄膜材料的纵向、横向GMI效应随外加磁场变化呈现先增后降，而纵向表现尤为明显。

关键词：电子技术巨磁阻抗效应三层等宽结构FeCuNbSiB/Cu/FeCuNbSiB薄膜微细加工技术

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基于Sn/Bi合金的低温气密性封装工艺研究

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功能材料与器件学报 2006年第3期12卷 211-214页

作者：张东梅丁桂甫汪红姜政姚锦元上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

研究了采用Sn/B i合金作为中间层的键合封装技术。通过电镀的方法在基片上形成Cr/N i/Cu/Sn、芯片上形成Cr/N i/Cu/B i多金属层,在513K、150Pa的真空环境中进行共晶键合,键合过程不需使用助焊剂,避免了助焊剂对微器件的污染。实验表明:... 详细信息

研究了采用Sn/B i合金作为中间层的键合封装技术。通过电镀的方法在基片上形成Cr/N i/Cu/Sn、芯片上形成Cr/N i/Cu/B i多金属层,在513K、150Pa的真空环境中进行共晶键合,键合过程不需使用助焊剂,避免了助焊剂对微器件的污染。实验表明:这种键合工艺具有较好的气密性,键合区合金层分布均匀,无缝隙、气泡等缺陷,键合强度较高,能够满足电子元器件和微机电系统(MEMS)可动部件低温气密性封装的要求。

关键词：微机电系统气密性封装低温键合

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磁悬浮转子微陀螺虚拟仪器测试系统

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电测与仪表 2006年第5期43卷 18-21页

作者：黄晓刚刘武陈文元张卫平吴校生上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家重点实验室上海200030

针对悬浮转子微陀螺的静态角度测试和漂移度测试任务,对微陀螺信号拾取电路的输出进行了分析,使用虚拟仪器技术研制了基于LabVIEW的测试软件。使用图形控件实现了实时线性度计算和漂移曲线的计算及绘制。该系统简化了悬浮转子微陀螺的... 详细信息

针对悬浮转子微陀螺的静态角度测试和漂移度测试任务,对微陀螺信号拾取电路的输出进行了分析,使用虚拟仪器技术研制了基于LabVIEW的测试软件。使用图形控件实现了实时线性度计算和漂移曲线的计算及绘制。该系统简化了悬浮转子微陀螺的测试过程,减少了人工操作,提高了检测效率,并且可以在测试过程中监测到实时数据,具有直观、准确的特点,成为悬浮转子微陀螺性能测试的高效工具。

关键词：微陀螺测试系统虚拟仪器电容检测

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金纳米粒子LB单层膜的制备及其I-V特性

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电子元件与材料 2006年第2期25卷 18-21页

作者：曲鹏王英张亚非上海交通大学DNA计算机交叉团队薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海交通大学微纳科学技术研究院上海交通大学DNA计算机交叉团队薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海交通大学微纳科学技术研究院上海200030

在不同条件下采用LB技术制备了金纳米粒子单层膜,并利用SEM对所得到的薄膜的表面形貌进行表征。结果表明决定薄膜质量的关键因素是表面压。将表面压控制在22;6mN/m的范围内以较慢的拉膜速度在Si（100）基底上进行拉膜,可以得到大面积金... 详细信息

在不同条件下采用LB技术制备了金纳米粒子单层膜,并利用SEM对所得到的薄膜的表面形貌进行表征。结果表明决定薄膜质量的关键因素是表面压。将表面压控制在22;6mN/m的范围内以较慢的拉膜速度在Si（100）基底上进行拉膜,可以得到大面积金纳米粒子的均匀致密单层膜。在室温下测量两点之间单层膜的I-V特性,得到了非欧姆特性,这是由电子在电场作用下发生隧穿产生的。

关键词：电子技术金纳米粒子 LB技术扫描电子显微镜(SEM) I-V曲线

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Y/Ni催化剂中FeS的添加对SWNTs制备的影响

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材料科学与工程学报 2006年第2期24卷 215-217,214页

作者：刘小康覃文张亚非上海交通大学DNA计算机交叉团队微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海交通大学微纳科学技术研究院上海200030

Y/Ni是电弧放电法制备单壁碳纳米管(SWNTs)时常用的催化剂。本文研究了FeS在Y/Ni催化剂中的添加对SWNTs制备的影响。结果发现FeS的添加不仅能增加网状产物的百分比,还能使网状产物中SWNTs的含量明显增多。这表明Y/Ni中FeS的添加能使更... 详细信息

Y/Ni是电弧放电法制备单壁碳纳米管(SWNTs)时常用的催化剂。本文研究了FeS在Y/Ni催化剂中的添加对SWNTs制备的影响。结果发现FeS的添加不仅能增加网状产物的百分比,还能使网状产物中SWNTs的含量明显增多。这表明Y/Ni中FeS的添加能使更多的石墨转化为SWNTs。导致这一结果的原因可能有两个:(1)硫可能会扩大反应腔体中适合SWNTs生长的空间;(2)硫作为交联剂能促进碳元素的石墨化。

关键词： SWNTs 制备电弧放电法硫化物

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