检索结果-内蒙古大学图书馆

采用射频磁控溅射与微细加工技术,制得Cu/BST/Pt/Ti/SiO2/Si的MIM(金属-绝缘体-金属)微电容结构。研究了不同退火时间、薄膜厚度对钛酸锶钡(BST)纳米薄膜介电常数和漏电流密度的影响,结果表明,随着退火时间的延长,BST纳米薄膜结晶度提高,介电常数增加,退火30 min的纳米薄膜具有最高的介电常数和较小的漏电流密度。同时还得出介电常数随薄膜厚度的减少而减少,在0.1 MV/cm下,90 nm和50 nm薄膜的漏电流密度分别为5.35×10-8A/cm2和6×10-6A/cm2。

关键词： BST 磁控溅射膜厚介电性能

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于NRF9E5射频无线遥控系统的设计

基于NRF9E5射频无线遥控系统的设计

引用

2006年全国电子机械和微波结构工艺学术会议

作者：左德参冯敏华彭松林曹雯陈文元上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室

介绍了一种基于8051内核的无线射频传输芯片 nRF9E5,采用该芯片制作了扑翼微型飞行器的遥控系统,对遥控系统的收发装置进行了硬件设计,并对设计出的硬件系统进行了软件编程和系统的调试,实验表明,该系统具有成本少、功耗低、尺寸小的特... 详细信息

介绍了一种基于8051内核的无线射频传输芯片 nRF9E5,采用该芯片制作了扑翼微型飞行器的遥控系统,对遥控系统的收发装置进行了硬件设计,并对设计出的硬件系统进行了软件编程和系统的调试,实验表明,该系统具有成本少、功耗低、尺寸小的特点,能以较高质量在200～300米范围内进行信号的无线传输。

关键词：扑翼微型飞行器遥控系统射频 nRF9E5

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

射频螺线管微电感的设计和仿真

射频螺线管微电感的设计和仿真

引用

第八届中国微米/纳米技术学术年会

作者：方东明赵小林王西宁周勇上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

为了获得高性能MEMS螺线管微电感,本文考虑了几何结构参数对微电感性能的影响,用HFSS软件对特定结构的微电感进行仿真,仿真结果与实验研制的测量结果基本相符.测试结果表明微电感在较宽的工作频率范围内具有高Q值,可以应用在无线通讯领域.

关键词：螺线管微电感 HFSS 品质因素射频微机电系统

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

应用于集成光电子领域的先进散热器关键技术的研究

应用于集成光电子领域的先进散热器关键技术的研究

引用

第十届全国热管会议

作者：戴旭涵赵小林丁桂甫蔡炳初薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海交通大学微纳科学技术研究院上海200030

本文将单晶硅片的湿法刻蚀工艺与微电铸掩膜制备技术及刻蚀液体系的研制相结合，为工业规模生产微通道散热器及微热管提供了一种实用的先进高技术工艺，所研制的样品，其肋片厚度、间隙均小于50微米，结构深宽比大于10;在硅硼玻璃上所... 详细信息

本文将单晶硅片的湿法刻蚀工艺与微电铸掩膜制备技术及刻蚀液体系的研制相结合，为工业规模生产微通道散热器及微热管提供了一种实用的先进高技术工艺，所研制的样品，其肋片厚度、间隙均小于50微米，结构深宽比大于10;在硅硼玻璃上所加工的沟槽底部粗糙度＜0.5um，深度>220um;散热片与导水板的键合强度最高能够承受6个大气压的高压水流。可以为国内这方面的器件研究提供可靠的加工技术服务。

关键词：热管散热器微通道湿法刻蚀微电铸掩膜集成光电子

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

适于MEMS器件的低应力Ni-W纳米晶薄膜的制备

适于MEMS器件的低应力Ni-W纳米晶薄膜的制备

引用

2006上海电子互联技术及材料国际论坛

作者：汪红丁桂甫赵小林姚锦元朱军王志民上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030

以高强度、高耐腐蚀性Ni-W合金为研究对象,探讨了柠檬酸胺-HEDP体系中,各种电沉积工艺参数以及热处理条件对Ni-W合金薄膜应力的影响规律及其在微喷嘴模具上的应用.研究结果表明,在优化的工艺条件下,可获得应力为230 MPa、硬度高达988 H... 详细信息

以高强度、高耐腐蚀性Ni-W合金为研究对象,探讨了柠檬酸胺-HEDP体系中,各种电沉积工艺参数以及热处理条件对Ni-W合金薄膜应力的影响规律及其在微喷嘴模具上的应用.研究结果表明,在优化的工艺条件下,可获得应力为230 MPa、硬度高达988 HV、无裂纹的纳米晶Ni-W薄膜材料,为其在MEMS微器件、微模具制备上的应用提供了有效途径。

关键词： MEMS器件 NiW纳米晶薄膜微机电系统电沉积工艺热处理

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

压电型微悬臂梁制备中RIE刻蚀硅工艺的研究

引用

微细加工技术 2006年第5期 47-50,54页

作者：董璐方华斌刘景全徐东徐峥谊蔡炳初上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030 Honeywell公司上海传感器实验室上海200030

介绍了一种压电型微悬臂梁的制作工艺流程,重点研究了其中硅的反应离子刻蚀(RIE)工艺,分析了工艺参数对刻蚀速率、均匀性和选择比的影响,提出通过适当调整气体流量、射频功率和工作气压,以加快刻蚀速率,改善均匀性,提高选择比。研究表明... 详细信息

介绍了一种压电型微悬臂梁的制作工艺流程,重点研究了其中硅的反应离子刻蚀(RIE)工艺,分析了工艺参数对刻蚀速率、均匀性和选择比的影响,提出通过适当调整气体流量、射频功率和工作气压,以加快刻蚀速率,改善均匀性,提高选择比。研究表明,在SF6流量为20 mL/min,射频功率为20 W,工作气压为8.00 Pa的工艺条件下,硅刻蚀速率可以提高到401 nm/min,75 mm(3 in.)基片范围内的均匀性为±3.85%,硅和光刻胶的刻蚀选择比达到7.80。为制备压电悬臂梁或其它含功能薄膜的微结构提供了良好的参考。

关键词：压电型微悬臂梁反应离子刻蚀刻蚀速度均匀性选择比

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

LB技术制备金纳米粒子单层膜

引用

微纳电子技术 2006年第2期43卷 85-88+106页

作者：曲鹏王英张亚非上海200030 上海交通大学DNA计算机交叉团队上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室

利用LB技术在Si(100)基片上制作了金纳米粒子单层膜,采用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对单层膜的表面形貌进行表征。实验结果表明,将表面压控制在22mN/m～26mN/m进行拉膜,可以得到大面积金纳米粒子的均匀致密单层膜。研究结... 详细信息

利用LB技术在Si(100)基片上制作了金纳米粒子单层膜,采用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对单层膜的表面形貌进行表征。实验结果表明,将表面压控制在22mN/m～26mN/m进行拉膜,可以得到大面积金纳米粒子的均匀致密单层膜。研究结果对于采用金纳米粒子单层膜构建DNA传感器和单电子器件方面具有重要的应用价值。

关键词：金纳米粒子 LB技术扫描电子显微镜原子力显微镜

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

几种纳米加工技术的原理、特点及其应用

几种纳米加工技术的原理、特点及其应用

引用

2006第五届中国(国际)纳米科技西安研讨会

作者：赵保军王英张亚非上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030

纳米加工技术的发展将带来现代工业和社会文明的极大进步.本文从整体上介绍了基于传统半导体加工的纳米加工技术,纳米掩膜刻蚀加工技术,探针直接书写式纳米加工技术,纳米复制加工技术,以及其衍生的纳米加工技术的原理、特点及其应用.

关键词：纳米加工掩膜刻蚀浸笔纳米印刷微接触印刷纳米压印半导体加工

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

场发射硅锥阵列的干法制备与研究

引用

微细加工技术 2006年第1期 56-60页

作者：王芸徐东吴茂松王莉钱开友叶枝灿蔡炳初上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030 Honey well公司上海传感器实验室上海200030

阐述了用于场发射压力传感器发射阴极的硅锥阵列的干法制备工艺,用反应离子刻蚀(RIE)的方法在76 mm(3 in.)的低阻硅片上制备出52个均匀分布的10×12的硅锥阵列,得到了曲率半径为25 nm^35 nm且具有良好一致性的尖锥。当阵列的场发射... 详细信息

阐述了用于场发射压力传感器发射阴极的硅锥阵列的干法制备工艺,用反应离子刻蚀(RIE)的方法在76 mm(3 in.)的低阻硅片上制备出52个均匀分布的10×12的硅锥阵列,得到了曲率半径为25 nm^35 nm且具有良好一致性的尖锥。当阵列的场发射起始电压为1.4 V/μm,场强为9.2 V/μm时,单个硅锥的发射电流达到8.3 nA,并且性能较为稳定。

关键词：硅锥干法刻蚀 RIE 场发射

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：