检索结果-内蒙古大学图书馆

基于微加速度传感器的无线鼠标的设计

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传感器与微系统 2006年第1期25卷 50-52,55页

作者：黄得志陈文元杨华锋钱莉张卫平上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030

研究基于微加速度传感器的无线鼠标的设计,讨论了MEMS无线鼠标的软件、硬件设计和系统组成,给出了M atlab环境下系统的模型和算法。模拟结果说明:无线鼠标的设计是合理可行的,提出的二次积分近似算法是简捷有效的。

关键词：微加速度传感器微机电系统无线鼠标

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一种用于测试坡莫合金薄膜机械性能的拉伸模型

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传感技术学报 2006年第5A期19卷 1595-1598页

作者：李雪萍丁桂甫安藤妙子式田光宏佐藤一雄上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030 名古屋大学微纳系统工程系

坡莫合金(Ni80Fe20)薄膜是微机电系统常用的磁性材料之一.介绍了一种用于测试其机械性能的单轴拉伸试验模型.此模型的特点是微小试件两端固定、且与加载机构集成在基片上,从而可减少操作工作量、提高对准精度.整个机构以微细加工方法制... 详细信息

坡莫合金(Ni80Fe20)薄膜是微机电系统常用的磁性材料之一.介绍了一种用于测试其机械性能的单轴拉伸试验模型.此模型的特点是微小试件两端固定、且与加载机构集成在基片上,从而可减少操作工作量、提高对准精度.整个机构以微细加工方法制成:坡莫合金拉伸试件以光刻和电镀技术成型,其余的加载机构以湿法蚀刻制成.实验表明:使用此机构可以简单且高精度地对薄膜试件进行拉伸试验,获得多项力学性能参数,从而为MEMS器件设计和分析提供可靠的理论基础.

关键词：微机电系统机械性能坡莫合金拉伸试验

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曲折形三层等宽FeCuNbSiB/Cu/FeCuNbSiB多层膜巨磁阻抗效应研究

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电子元件与材料 2006年第1期25卷 23-26页

作者：余先育曹莹周勇丁文商干兵周志敏高孝裕上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

采用磁控溅射方法，在玻璃基片上制备了曲折形三层等宽FeCuNbSiB／Cu／FeCuNbSiB多层膜。在1．40MHz下，研究了多层膜材料的巨磁阻抗（GMI）效应随外加磁场的变化关系。结果表明：在频率为5MHz、磁场强度为12kA／m下，横向和纵向GMI效... 详细信息

采用磁控溅射方法，在玻璃基片上制备了曲折形三层等宽FeCuNbSiB／Cu／FeCuNbSiB多层膜。在1．40MHz下，研究了多层膜材料的巨磁阻抗（GMI）效应随外加磁场的变化关系。结果表明：在频率为5MHz、磁场强度为12kA／m下，横向和纵向GMI效应分别达-23．5％和-16．8％。薄膜材料的纵向、横向GMI效应随外加磁场变化呈现先增后降，而纵向表现尤为明显。

关键词：电子技术巨磁阻抗效应三层等宽结构FeCuNbSiB/Cu/FeCuNbSiB薄膜微细加工技术

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基于Sn/Bi合金的低温气密性封装工艺研究

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功能材料与器件学报 2006年第3期12卷 211-214页

作者：张东梅丁桂甫汪红姜政姚锦元上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

研究了采用Sn/B i合金作为中间层的键合封装技术。通过电镀的方法在基片上形成Cr/N i/Cu/Sn、芯片上形成Cr/N i/Cu/B i多金属层,在513K、150Pa的真空环境中进行共晶键合,键合过程不需使用助焊剂,避免了助焊剂对微器件的污染。实验表明:... 详细信息

研究了采用Sn/B i合金作为中间层的键合封装技术。通过电镀的方法在基片上形成Cr/N i/Cu/Sn、芯片上形成Cr/N i/Cu/B i多金属层,在513K、150Pa的真空环境中进行共晶键合,键合过程不需使用助焊剂,避免了助焊剂对微器件的污染。实验表明:这种键合工艺具有较好的气密性,键合区合金层分布均匀,无缝隙、气泡等缺陷,键合强度较高,能够满足电子元器件和微机电系统(MEMS)可动部件低温气密性封装的要求。

关键词：微机电系统气密性封装低温键合

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磁悬浮转子微陀螺虚拟仪器测试系统

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电测与仪表 2006年第5期43卷 18-21页

作者：黄晓刚刘武陈文元张卫平吴校生上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家重点实验室上海200030

针对悬浮转子微陀螺的静态角度测试和漂移度测试任务,对微陀螺信号拾取电路的输出进行了分析,使用虚拟仪器技术研制了基于LabVIEW的测试软件。使用图形控件实现了实时线性度计算和漂移曲线的计算及绘制。该系统简化了悬浮转子微陀螺的... 详细信息

针对悬浮转子微陀螺的静态角度测试和漂移度测试任务,对微陀螺信号拾取电路的输出进行了分析,使用虚拟仪器技术研制了基于LabVIEW的测试软件。使用图形控件实现了实时线性度计算和漂移曲线的计算及绘制。该系统简化了悬浮转子微陀螺的测试过程,减少了人工操作,提高了检测效率,并且可以在测试过程中监测到实时数据,具有直观、准确的特点,成为悬浮转子微陀螺性能测试的高效工具。

关键词：微陀螺测试系统虚拟仪器电容检测

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Y/Ni催化剂中FeS的添加对SWNTs制备的影响

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材料科学与工程学报 2006年第2期24卷 215-217,214页

作者：刘小康覃文张亚非上海交通大学DNA计算机交叉团队微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海交通大学微纳科学技术研究院上海200030

Y/Ni是电弧放电法制备单壁碳纳米管(SWNTs)时常用的催化剂。本文研究了FeS在Y/Ni催化剂中的添加对SWNTs制备的影响。结果发现FeS的添加不仅能增加网状产物的百分比,还能使网状产物中SWNTs的含量明显增多。这表明Y/Ni中FeS的添加能使更... 详细信息

Y/Ni是电弧放电法制备单壁碳纳米管(SWNTs)时常用的催化剂。本文研究了FeS在Y/Ni催化剂中的添加对SWNTs制备的影响。结果发现FeS的添加不仅能增加网状产物的百分比,还能使网状产物中SWNTs的含量明显增多。这表明Y/Ni中FeS的添加能使更多的石墨转化为SWNTs。导致这一结果的原因可能有两个:(1)硫可能会扩大反应腔体中适合SWNTs生长的空间;(2)硫作为交联剂能促进碳元素的石墨化。

关键词： SWNTs 制备电弧放电法硫化物

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三明治结构FeNi/Cu/FeNi多层膜巨磁阻抗效应研究

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功能材料与器件学报 2006年第3期12卷 182-186页

作者：周勇丁文曹莹商干兵周志敏高孝裕余先育上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

采用MEMS技术在玻璃基片上制备了三明治结构FeNi／Cu／FeNi多层膜，在1—40MHz范围内研究了FeNi／Cu／FeNi多层膜中的巨磁阻抗效应特性。当磁场日。施加在薄膜的长方向时，巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加，在某一磁场下达到最大值，然... 详细信息

采用MEMS技术在玻璃基片上制备了三明治结构FeNi／Cu／FeNi多层膜，在1—40MHz范围内研究了FeNi／Cu／FeNi多层膜中的巨磁阻抗效应特性。当磁场日。施加在薄膜的长方向时，巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加，在某一磁场下达到最大值，然后随磁场的增加而下降到负的巨磁阻抗效应。在频率为5MHz时，巨磁阻抗效应在磁场以：800A／m时达到最大值26．6％。巨磁阻抗效应的最大值及负的巨磁阻抗效应与多层膜中磁各向异性轴的取向及发散有关。另外，当磁场施加在薄膜的短方向时，薄膜表现出负的巨磁阻抗效应，在频率5MHz、磁场Ha=9600A／m时，巨磁阻抗效应可达-15．6％。

关键词：巨磁阻抗效应三明治结构FeNi/Cu/FeNi多层膜 MEMS技术

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弯曲形FeSiB/Cu/FeSiB多层膜的应力阻抗效应

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电子元件与材料 2006年第1期25卷 5-7页

作者：丁文周勇茅昕辉陈吉安曹莹上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

用磁控溅射法制备弯曲形FeSiB／Cu／FeSiB多层膜，在1～40MHz范围内研究FeSiB膜和Cu膜厚度对多层膜结构应力阻抗效应的影响。结果表明：多层膜的应力阻抗效应随着其形变位移的增加近似线性增加，在自由端变形1mm、电流频率5MHz时，应力... 详细信息

用磁控溅射法制备弯曲形FeSiB／Cu／FeSiB多层膜，在1～40MHz范围内研究FeSiB膜和Cu膜厚度对多层膜结构应力阻抗效应的影响。结果表明：多层膜的应力阻抗效应随着其形变位移的增加近似线性增加，在自由端变形1mm、电流频率5MHz时，应力阻抗效应达-17.3％，在新型力敏传感器方面具有广阔的应用前景。

关键词：无机非金属材料应力阻抗 FeSiB/Cu/FeSiB多层膜磁控溅射弯曲形

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MEMS微拾振器制备工艺研究

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电子元件与材料 2006年第7期25卷 69-71页

作者：方华斌刘景全董璐陈迪蔡炳初上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

采用微机电系统(MEMS)技术制作了悬臂梁式压电微拾振器,该技术主要包括:sol-gel法制备PZT压电膜、干法刻蚀、湿法化学刻蚀、UV-LIGA等工艺。研制的拾振器悬臂梁结构尺寸为:长2000μm,宽600μm,硅膜厚度12μm,PZT压电膜厚1.5μm,Ni质量块... 详细信息

采用微机电系统(MEMS)技术制作了悬臂梁式压电微拾振器,该技术主要包括:sol-gel法制备PZT压电膜、干法刻蚀、湿法化学刻蚀、UV-LIGA等工艺。研制的拾振器悬臂梁结构尺寸为:长2000μm,宽600μm,硅膜厚度12μm,PZT压电膜厚1.5μm,Ni质量块长600μm、高500μm。测试表明其固有频率为610Hz,适合低频振动源环境的应用。在1gn加速度谐振激励下,电压输出达562mV。

关键词：电子技术微拾振器微机电系统固有频率电压输出

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金纳米粒子LB单层膜的制备及其I-V特性

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电子元件与材料 2006年第2期25卷 18-21页

作者：曲鹏王英张亚非上海交通大学DNA计算机交叉团队薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海交通大学微纳科学技术研究院上海交通大学DNA计算机交叉团队薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海交通大学微纳科学技术研究院上海200030

在不同条件下采用LB技术制备了金纳米粒子单层膜,并利用SEM对所得到的薄膜的表面形貌进行表征。结果表明决定薄膜质量的关键因素是表面压。将表面压控制在22;6mN/m的范围内以较慢的拉膜速度在Si（100）基底上进行拉膜,可以得到大面积金... 详细信息

在不同条件下采用LB技术制备了金纳米粒子单层膜,并利用SEM对所得到的薄膜的表面形貌进行表征。结果表明决定薄膜质量的关键因素是表面压。将表面压控制在22;6mN/m的范围内以较慢的拉膜速度在Si（100）基底上进行拉膜,可以得到大面积金纳米粒子的均匀致密单层膜。在室温下测量两点之间单层膜的I-V特性,得到了非欧姆特性,这是由电子在电场作用下发生隧穿产生的。

关键词：电子技术金纳米粒子 LB技术扫描电子显微镜(SEM) I-V曲线

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