检索结果-内蒙古大学图书馆

功能材料与器件学报 2006年第3期12卷 229-232页

作者：袁振宇徐东刘毓舒蔡炳初上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030 上海交通大学材料科学与工程学院上海200030

研究了适用于微器件的溅射态N iTi形状记忆合金薄膜。讨论了溅射工艺及织构对薄膜结构和相变特征的影响。利用薄膜热相变特性制成了微驱动器,观察并分析了该器件的形变特性。结果表明:原位加热溅射可以获得具有织构的晶化薄膜;用该薄膜... 详细信息

研究了适用于微器件的溅射态N iTi形状记忆合金薄膜。讨论了溅射工艺及织构对薄膜结构和相变特征的影响。利用薄膜热相变特性制成了微驱动器,观察并分析了该器件的形变特性。结果表明:原位加热溅射可以获得具有织构的晶化薄膜;用该薄膜制备的驱动器回复率为0.76%。

关键词： NiTi薄膜形状记忆合金织构微驱动器

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纳米薄膜的光学参数及厚度提取方法研究

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光电子技术 2006年第1期26卷 26-29页

作者：金文豪徐东杨莺歌张亚非上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

采用磁控溅射法在玻璃基底上分别制备了不同厚度的单层T iO2、A u纳米薄膜和双层T iO2/A u纳米薄膜,并测量了这些薄膜的透射光谱。通过设计计算机程序拟合透射光谱;获取了薄膜的折射率和消光系数随波长的变化曲线以及薄膜的厚度。这种... 详细信息

采用磁控溅射法在玻璃基底上分别制备了不同厚度的单层T iO2、A u纳米薄膜和双层T iO2/A u纳米薄膜,并测量了这些薄膜的透射光谱。通过设计计算机程序拟合透射光谱;获取了薄膜的折射率和消光系数随波长的变化曲线以及薄膜的厚度。这种拟合方法是以非线性约束优化理论为基础的,具有透射光谱易测量、计算精度高等特点。

关键词：薄膜光学光学常数非线性约束优化算法

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微纳工艺中防粘连自组装薄膜技术的研究

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微细加工技术 2006年第6期 36-39页

作者：顾盼刘景全孙洪文陈迪上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

研究在硅基表面形成1,1,2,2 H过氟癸基三氯硅烷防粘自组装膜的方法和特性。成功地在硅基表面形成了防粘连自组装薄膜,从浸润角、表面能、薄膜成分和表面粗糙度几个角度对该薄膜进行了分析,证实薄膜可将硅基表面能降低47.35%,可满足半导... 详细信息

研究在硅基表面形成1,1,2,2 H过氟癸基三氯硅烷防粘自组装膜的方法和特性。成功地在硅基表面形成了防粘连自组装薄膜,从浸润角、表面能、薄膜成分和表面粗糙度几个角度对该薄膜进行了分析,证实薄膜可将硅基表面能降低47.35%,可满足半导体工艺中的微纳器件加工工艺的防粘连涂层的需要。

关键词： 1,1,2,2 H过氟癸基三氯硅烷自组装膜微机电系统防粘连膜

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锌/碳纳米管复合电沉积薄膜性能研究

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电镀与涂饰 2006年第11期25卷 13-16页

作者：吴惠箐丁桂甫王裕超汪红上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

通过复合电沉积技术制备了纳米叠层锌/碳纳米管和光亮锌/碳纳米管2种复合薄膜,薄膜的拉曼光谱验证了锌与碳纳米管的共沉积。薄膜表面的场发射扫描电子显微镜观测显示碳纳米管表面的金属包覆层连续且均匀,预示着良好的界面结合。在2种薄... 详细信息

通过复合电沉积技术制备了纳米叠层锌/碳纳米管和光亮锌/碳纳米管2种复合薄膜,薄膜的拉曼光谱验证了锌与碳纳米管的共沉积。薄膜表面的场发射扫描电子显微镜观测显示碳纳米管表面的金属包覆层连续且均匀,预示着良好的界面结合。在2种薄膜的断口和裂纹处分别发现了被拔出基体和桥联的碳纳米管,证实了碳管对基体具有有效的增强作用。

关键词：碳纳米管金属基复合材料复合电沉积薄膜

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基于无机纳米粒子模板刻蚀的纳米阵列

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纳米科技 2006年第3期3卷 23-26页

作者：朱林佩王英张亚非上海交通大学微纳科学技术研究院微米／纳米加工技术国家重点实验室．薄膜与微细技术教育部重点实验室上海210000

阐述了利用不同的方法，如自组装、嵌段共聚物辅助等方法在基底表面形成一层均匀的无机材料纳米粒子掩模，以此作为模板进行刻蚀，可得到各种纳米图形和纳米结构。这一方法具有操作简单、成本低、可批量生产等优点，在纳米电子器件等领... 详细信息

阐述了利用不同的方法，如自组装、嵌段共聚物辅助等方法在基底表面形成一层均匀的无机材料纳米粒子掩模，以此作为模板进行刻蚀，可得到各种纳米图形和纳米结构。这一方法具有操作简单、成本低、可批量生产等优点，在纳米电子器件等领域具有广泛的应用前景。

关键词：纳米粒子模板纳米阵列刻蚀

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溅射法制备BST纳米薄膜电学性能的研究

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微细加工技术 2006年第1期 32-35页

作者：唐逸杨春生马骏上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

采用射频磁控溅射与微细加工技术,制得Cu/BST/Pt/Ti/SiO2/Si的MIM(金属-绝缘体-金属)微电容结构。研究了不同退火时间、薄膜厚度对钛酸锶钡(BST)纳米薄膜介电常数和漏电流密度的影响,结果表明,随着退火时间的延长,BST纳米薄膜结晶度提高... 详细信息

采用射频磁控溅射与微细加工技术,制得Cu/BST/Pt/Ti/SiO2/Si的MIM(金属-绝缘体-金属)微电容结构。研究了不同退火时间、薄膜厚度对钛酸锶钡(BST)纳米薄膜介电常数和漏电流密度的影响,结果表明,随着退火时间的延长,BST纳米薄膜结晶度提高,介电常数增加,退火30 min的纳米薄膜具有最高的介电常数和较小的漏电流密度。同时还得出介电常数随薄膜厚度的减少而减少,在0.1 MV/cm下,90 nm和50 nm薄膜的漏电流密度分别为5.35×10-8A/cm2和6×10-6A/cm2。

关键词： BST 磁控溅射膜厚介电性能

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基于NRF9E5射频无线遥控系统的设计

基于NRF9E5射频无线遥控系统的设计

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2006年全国电子机械和微波结构工艺学术会议

作者：左德参冯敏华彭松林曹雯陈文元上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室

介绍了一种基于8051内核的无线射频传输芯片 nRF9E5,采用该芯片制作了扑翼微型飞行器的遥控系统,对遥控系统的收发装置进行了硬件设计,并对设计出的硬件系统进行了软件编程和系统的调试,实验表明,该系统具有成本少、功耗低、尺寸小的特... 详细信息

介绍了一种基于8051内核的无线射频传输芯片 nRF9E5,采用该芯片制作了扑翼微型飞行器的遥控系统,对遥控系统的收发装置进行了硬件设计,并对设计出的硬件系统进行了软件编程和系统的调试,实验表明,该系统具有成本少、功耗低、尺寸小的特点,能以较高质量在200～300米范围内进行信号的无线传输。

关键词：扑翼微型飞行器遥控系统射频 nRF9E5

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制备态Fe_(21)Ni_(79)/Cu/Fe_(21)Ni_(79)三明治薄膜的纵向巨磁阻抗效应

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磁性材料及器件 2006年第2期37卷 14-17页

作者：商干兵周勇丁文余先育曹莹周志敏上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

采用直流电镀结合正胶光刻工艺制备了Fe21Ni79／Cu／Fe21Ni79三明冶薄膜，并在0．1-40MHz范围内研究了它的纵向巨磁阻抗效应特性。实验结果表明，Fe21Ni79／Cu／Fe21Ni79三明治薄膜有十分明显的纵向GMI效应，GMI先随外加磁场的增高而迅... 详细信息

采用直流电镀结合正胶光刻工艺制备了Fe21Ni79／Cu／Fe21Ni79三明冶薄膜，并在0．1-40MHz范围内研究了它的纵向巨磁阻抗效应特性。实验结果表明，Fe21Ni79／Cu／Fe21Ni79三明治薄膜有十分明显的纵向GMI效应，GMI先随外加磁场的增高而迅速增大，在Hext=0.96kA／m达到最大值后开始逐渐下降．在频率为1．2MHz，外加磁场为0．96kA／m时薄膜的纵向GMI最大值达到88．3％．

关键词： FeNi/Cu/FeNi三明治薄膜纵向巨磁阻抗效应各向异性场横向有效磁导率

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MEMS技术制作的螺线管微电感

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微细加工技术 2006年第5期 36-40页

作者：方东明周勇赵小林王西宁上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

考虑和分析了螺线管微电感的几何结构参数对微电感性能的影响,利用MEMS技术制作了四种不同几何结构的高性能射频螺线管微电感。这些微电感采用铜线圈,以减小线圈寄生电阻,且制作工艺简单,成本低,与IC相兼容。测试结果表明,微电感在较宽... 详细信息

考虑和分析了螺线管微电感的几何结构参数对微电感性能的影响,利用MEMS技术制作了四种不同几何结构的高性能射频螺线管微电感。这些微电感采用铜线圈,以减小线圈寄生电阻,且制作工艺简单,成本低,与IC相兼容。测试结果表明,微电感在较宽的工作频率范围内具有较高的Q值,在频率分别为6 GHz,4.4 GHz,5.8 GHz和5.6 GHz,微电感Q峰值为38,19.1,24.1和21.9,所对应的电感量为1.81 nH,1.07 nH,1.03 nH和1.17 nH。

关键词：螺线管电感微机电系统品质因素射频

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CoFeSiB/Cu/CoFeSiB多层膜的巨磁阻抗效应研究

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微纳电子技术 2006年第12期43卷 582-585页

作者：张桂林周勇周志敏上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

利用射频磁控溅射技术及微细加工技术制备了三明治结构的CoFeSiB/Cu/CoFeSiB多层膜,在频率l～40MHz下研究了多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应,结果表明曲折状三明治结构多层膜的巨磁阻抗效应比单层膜有较大的提高。在交流电流频率5MHz,... 详细信息

利用射频磁控溅射技术及微细加工技术制备了三明治结构的CoFeSiB/Cu/CoFeSiB多层膜,在频率l～40MHz下研究了多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应,结果表明曲折状三明治结构多层膜的巨磁阻抗效应比单层膜有较大的提高。在交流电流频率5MHz,外加直流磁场100Oe下巨磁阻抗变化率达17.3%。

关键词：巨磁阻抗 CoFeSiB/Cu/CoFeSiB 三明治薄膜曲折状结构微机电系统

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