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掺杂Si的Ge2Sb2Te5相变薄膜的性能研究
掺杂Si的Ge2Sb2Te5相变薄膜的性能研究
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第三届上海纳米科技与产业发展研讨会
作者： 乔保卫 冯洁 赖云锋 凌云 林殷茵 汤庭鳌 蔡炳初 陈邦明 上海交通大学微纳科学技术研究院 微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室 复旦大学微电子学系ASIC与系统国家重点实验室 上海 200433 Silicon Storage Technology Inc．1171 Sonora CourtSunnyvaleCA94086USA
采用共溅射Ge2Sb2Te5合金靶和si靶的方法制备了掺杂Si的Ge2Sb2Te5薄膜。掺杂Si提高了Ge2Sb2Te5薄膜的晶化温度和从面心立方晶相向六方晶相转变的温度。掺杂Si可显著提高薄膜的晶态电阻率。当Si掺杂浓度为11.8at.％时,460℃退火后薄膜的... 详细信息
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