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LaNiO_3缓冲层对Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜微结构和介电性能的影响

上海交通大学学报 2009年第3期43卷 393-396页

作者：石金川张丛春侯捷杨春生饶瑞上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240

利用射频磁控溅射法,在Pt/Ti/SiO2/Si和LaNiO3/Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜.采用X-ray衍射（XRD）和原子力显微镜（AFM）,研究了两种衬底上BST薄膜样品的结晶性和表面形貌.结果表明：BST薄膜材料均为钙钛矿相,直接生... 详细信息

利用射频磁控溅射法,在Pt/Ti/SiO2/Si和LaNiO3/Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜.采用X-ray衍射（XRD）和原子力显微镜（AFM）,研究了两种衬底上BST薄膜样品的结晶性和表面形貌.结果表明：BST薄膜材料均为钙钛矿相,直接生长在硅衬底上的BST薄膜无择优取向,晶粒尺寸为20-30 nm,而LaNiO3缓冲层上生长的BST薄膜则为（100）择优取向,晶粒尺寸约为150-200 nm.室温下测试了薄膜的介电性能.研究结果表明,LNO缓冲层显著提高了BST薄膜的介电常数和介电可调率.

关键词：钛酸锶钡薄膜镍酸镧缓冲层射频磁控溅射介电性能

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基于PDMS纳米粒子改性的热模压技术

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功能材料与器件学报 2009年第5期15卷 441-446页

作者：汪鹏陈翔肖丽君朱军陈迪上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

介绍了一种采用纳米SiO2、TiO2改性聚二甲基硅氧烷(PDMS)的方法,研究了两种纳米材料SiO2、TiO2添加的比例对热压效果的影响及优化条件,并分析了其改性后的热膨胀系数及杨氏模量的变化,以及其改性后热压效果的提高进行了初步分析,最后用... 详细信息

介绍了一种采用纳米SiO2、TiO2改性聚二甲基硅氧烷(PDMS)的方法,研究了两种纳米材料SiO2、TiO2添加的比例对热压效果的影响及优化条件,并分析了其改性后的热膨胀系数及杨氏模量的变化,以及其改性后热压效果的提高进行了初步分析,最后用改性的PDMS材料,快速成型来制造热压模具,热压制作聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)微流控芯片。与常用的金属模具(如镍模具)相比,此方法具有脱模容易,工艺周期短,难度低,重复性好,价格低等优点。

关键词： PDMS改性纳米粒子热模压微流控

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新型电流微调CMOS带隙基准源的设计

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半导体技术 2009年第9期34卷 919-922页

作者：吴日新戴庆元谢芳上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240

介绍了一个新型PTAT电流微调并具有关断模式的CMOS带隙基准源,通过数字控制信号逻辑的改变,可实现1.20～1.27V的基准输出。该带隙基准源采用TSMC0.18μm工艺进行电路和版图设计。仿真结果显示,在输出基准为1.24V的情况下,带隙基准源在-4... 详细信息

介绍了一个新型PTAT电流微调并具有关断模式的CMOS带隙基准源,通过数字控制信号逻辑的改变,可实现1.20～1.27V的基准输出。该带隙基准源采用TSMC0.18μm工艺进行电路和版图设计。仿真结果显示,在输出基准为1.24V的情况下,带隙基准源在-40～125℃,所有工艺角下的最大误差为23.07mV,其中tt工艺角下的温度系数为21×10-6/℃。电源电压为1.8V时,电源电流为63μA;关断模式下电流为93pA。10kHz的电源抑制比为44dB。

关键词： CMOS带隙基准电流微调关断模式

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新型宽带圆极化毫米波平面缝隙天线

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微波学报 2009年第3期25卷 18-21页

作者：宿智娟丁桂甫程吉凤黎滨洪上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细加工技术教育部重点实验室上海200030

研究了一种新型共面波导馈电的宽带圆极化毫米波平面缝隙天线。通过新型的短路微扰法实现了平面圆环形缝隙天线的单馈宽带圆极化,回波损耗(RL)≤-10dB时的实测阻抗带宽达到约20%,AR≤3时的实测轴比带宽约为21.2%,实测最大增益约为5.2dB... 详细信息

研究了一种新型共面波导馈电的宽带圆极化毫米波平面缝隙天线。通过新型的短路微扰法实现了平面圆环形缝隙天线的单馈宽带圆极化,回波损耗(RL)≤-10dB时的实测阻抗带宽达到约20%,AR≤3时的实测轴比带宽约为21.2%,实测最大增益约为5.2dB。实测结果与ANSOFTHFSS软件仿真结果基本吻合,表明了设计的合理性。

关键词：毫米波天线平面缝隙天线圆极化天线共面波导

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一种高线性度CMOS有源混频器的设计

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电子器件 2009年第5期32卷 867-870页

作者：蔡新午戴庆元吴日新上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240

设计了一个用于数字电视ZERO-IF结构接收机射频前端的CMOS下变频混频器。基于对有源混频器的噪声机制及线性度的物理理解,对传统的有源混频器电路采用电流注入技术,实现了增益,噪声和线性度折中。电路采用UMC0.18RFCMOS工艺实现,SSB噪... 详细信息

设计了一个用于数字电视ZERO-IF结构接收机射频前端的CMOS下变频混频器。基于对有源混频器的噪声机制及线性度的物理理解,对传统的有源混频器电路采用电流注入技术,实现了增益,噪声和线性度折中。电路采用UMC0.18RFCMOS工艺实现,SSB噪声系数为18dB,1/f噪声拐角频率100kHz。电压转换增益为5dB和8dB两档增益,输入1dB压缩点为0dBm,IIP3为15dBm(5dB增益),7dBm(8dB增益)。全差分电路在1.8V供电电压下的功耗不到7mW,可以满足数字电视零中频结构射频前端对高线性度、低闪烁噪声和可变增益的要求。

关键词： CMOS 射频集成电路下变频混频器数字电视接收机

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一种基于LDO稳压器的带隙基准电压源设计

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电子器件 2009年第6期32卷 1043-1047页

作者：金梓才戴庆元黄文理上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240

设计了一种结构简单的基于LDO稳压器的带隙基准电压源。由于目前LDO芯片的面积越来越小,所以在传统带隙基准电压源的基础上,对结构做了简化及改进,在简化设计的同时获得了高的性能。该带隙基准使用三极管作为运算放大器的输入,同时省去... 详细信息

设计了一种结构简单的基于LDO稳压器的带隙基准电压源。由于目前LDO芯片的面积越来越小,所以在传统带隙基准电压源的基础上,对结构做了简化及改进,在简化设计的同时获得了高的性能。该带隙基准使用三极管作为运算放大器的输入,同时省去了多余的等效二极管,并将此结构应用于LDO结构中。对带隙基准的仿真结果表明,在5 V的电源下,产生25×10-6/℃温度系数的带隙基准电压。低频时电源抑制比为138dB。将该带隙基准结合缓冲器应用于LDO稳压器中,对LDO的仿真结果表明,负载特性良好,相位裕度为63.3度。线性负载率也符合要求。此电路简单可行,可适用于各种LDO芯片中。

关键词：带隙基准电压源低压差线性稳压器 CMOS 误差放大器

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一种采用电容共用技术的DC-DC开关电源软启动电路

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电子器件 2009年第5期32卷 938-941页

作者：黄文理戴庆元金梓才上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240

开关电源DC-DC转换器已经在各种电子设备中取得了广泛的应用。软启动电路保证了DC-DC转换器的正常启动,防止了器件的损坏。从理论上分析了软启动电路原理,设计了一种新型的开关电源软启动电路,该电路引入了电容共用方法,通过与频率补偿... 详细信息

开关电源DC-DC转换器已经在各种电子设备中取得了广泛的应用。软启动电路保证了DC-DC转换器的正常启动,防止了器件的损坏。从理论上分析了软启动电路原理,设计了一种新型的开关电源软启动电路,该电路引入了电容共用方法,通过与频率补偿电容共用节省了软启动电容,降低了应用成本。并给出了具体电路实现,Spectre仿真结果验证了这种电路的可行性。

关键词：开关电源 DC-DC 软启动电容共用频率补偿

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氧化硅空心微球的制备及表面形貌的调控

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功能材料 2008年第6期39卷 975-978页

作者：曾文徐宏古宏晨上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

采用改进的Stber溶胶凝胶法制备聚苯乙烯(PS)/氧化硅(Silica)复合微球,研究了添加油酸对复合微球形貌的影响。微球在经过500℃高温煅烧后,得到氧化硅空心微球。应用HPPS、Zeta电位分析、TEM、SEM、氮气吸附等手段对空心微球进行研究,... 详细信息

采用改进的Stber溶胶凝胶法制备聚苯乙烯(PS)/氧化硅(Silica)复合微球,研究了添加油酸对复合微球形貌的影响。微球在经过500℃高温煅烧后,得到氧化硅空心微球。应用HPPS、Zeta电位分析、TEM、SEM、氮气吸附等手段对空心微球进行研究,证实了在包裹过程中油酸与氨水作用生成的油酸铵吸附在聚苯乙烯微球表面,增加模板微球表面电势从而有利于氧化硅粒子在其表面成核生长。此外油酸与硅羟基之间形成氢键增加氧化硅的生长点,增加了氧化硅壳层的密实程度。

关键词：聚苯乙烯/氧化硅复合微球氧化硅空球形貌油酸

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用于MEMS惯性开关的微弹簧有限元动力学分析

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机械强度 2008年第4期30卷 586-589页

作者：杨卓青丁桂甫蔡豪刚付世赵小林上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

设计水平和垂直方向两种驱动形式MEMS(micro-electro-mechanical system)惯性开关,应用ANSYS10.0有限元软件对其中的镍质微弹簧结构进行实体建模和动力学模拟分析,得到其在动载荷下的应力分布情况和端部位移响应曲线,并比较静动载荷下... 详细信息

设计水平和垂直方向两种驱动形式MEMS(micro-electro-mechanical system)惯性开关,应用ANSYS10.0有限元软件对其中的镍质微弹簧结构进行实体建模和动力学模拟分析,得到其在动载荷下的应力分布情况和端部位移响应曲线,并比较静动载荷下结构参数对微弹簧水平和垂直方向上弹性常数(klevel和kvertic)的影响规律。文中的有限元动力学分析方法为较准确地评定类似MEMS微弹簧弹性常数提供一条有效途径,具有工程实际应用价值,特别是为动载荷下工作的惯性类微器件中弹簧的进一步优化与加工提供重要依据。

关键词：微机电系统(micro-electro-mechanical system,MEMS) 惯性开关有限元动力学弹性系数

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单向宽带毫米波平面缝隙天线的设计与仿真

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上海交通大学学报 2008年第4期42卷 625-628,633页

作者：陈伟强丁桂甫黎滨洪上海交通大学微纳科学技术研究院微米／纳米加工技术国家重点实验室；薄膜与微细加工技术教育部重点实验室上海200240

设计了一种基于MEMS微加工技术制作的共面波导馈电的单向宽带毫米波平面缝隙天线.采用平面矩形缝隙辐射单元,可实现约80%的阻抗带宽(驻波比≤2).通过增加波束引导缝隙和多层反射截止缝隙,可实现缝隙天线单向辐射,天线增益可由原来的3.8... 详细信息

设计了一种基于MEMS微加工技术制作的共面波导馈电的单向宽带毫米波平面缝隙天线.采用平面矩形缝隙辐射单元,可实现约80%的阻抗带宽(驻波比≤2).通过增加波束引导缝隙和多层反射截止缝隙,可实现缝隙天线单向辐射,天线增益可由原来的3.8 dB提高到6.8 dB左右.采用Ansoft HFSS有限元仿真软件对设计进行仿真优化,并用CST微波工作室仿真软件对仿真优化进行验证,结果表明,两种仿真结果一致.

关键词：毫米波天线缝隙天线共面波导微机电系统

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