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LaNiO_3缓冲层对Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜微结构和介电性能的影响

上海交通大学学报 2009年第3期43卷 393-396页

作者：石金川张丛春侯捷杨春生饶瑞上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240

利用射频磁控溅射法,在Pt/Ti/SiO2/Si和LaNiO3/Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜.采用X-ray衍射（XRD）和原子力显微镜（AFM）,研究了两种衬底上BST薄膜样品的结晶性和表面形貌.结果表明：BST薄膜材料均为钙钛矿相,直接生... 详细信息

利用射频磁控溅射法,在Pt/Ti/SiO2/Si和LaNiO3/Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜.采用X-ray衍射（XRD）和原子力显微镜（AFM）,研究了两种衬底上BST薄膜样品的结晶性和表面形貌.结果表明：BST薄膜材料均为钙钛矿相,直接生长在硅衬底上的BST薄膜无择优取向,晶粒尺寸为20-30 nm,而LaNiO3缓冲层上生长的BST薄膜则为（100）择优取向,晶粒尺寸约为150-200 nm.室温下测试了薄膜的介电性能.研究结果表明,LNO缓冲层显著提高了BST薄膜的介电常数和介电可调率.

关键词：钛酸锶钡薄膜镍酸镧缓冲层射频磁控溅射介电性能

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基于声表面波的微型液滴雾化器技术

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微纳电子技术 2009年第12期46卷 726-729页

作者：张冠李以贵张俊峰杨春生刘景全上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240

采用微细加工技术在127.8°YX型LiNbO3压电基底上制造出周期为400μm的铜叉指结构的微型雾化器。该雾化器利用声表面波(SAW)对液滴表面产生的表面张力波作用实现对液滴的雾化。对叉指结构(IDT)周期长度的确定和器件的制作工艺进行... 详细信息

采用微细加工技术在127.8°YX型LiNbO3压电基底上制造出周期为400μm的铜叉指结构的微型雾化器。该雾化器利用声表面波(SAW)对液滴表面产生的表面张力波作用实现对液滴的雾化。对叉指结构(IDT)周期长度的确定和器件的制作工艺进行了详细说明。利用对液滴驱动速度的测定得出了该雾化器的实际中心频率,并指出实际中心频率与理论值存在差异的原因。得出雾化微粒直径与叉指结构周期之间的关系,并计算得出在施加驱动频率为10.1MHz、功率为24W的电信号时,其雾化颗粒直径为2.61μm,雾化速度达到了1μL/s。

关键词：微细加工技术雾化器声表面波叉指换能器微粒

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基于16位SAR模数转换器的误差校准方法

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微纳电子技术 2009年第10期46卷 636-639页

作者：乔高帅戴庆元孙磊谢芳上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240

为了实现较高精度(16位及更高)的逐次逼近(SAR)ADC,提出了一种误差自动校准技术。考虑到芯片面积、功耗和精度的折中,采用了电荷再分配分段电容DAC结构,并采用准差分输入方式提高ADC的信噪比。为了消除电容失配引入的误差,提出了一种误... 详细信息

为了实现较高精度(16位及更高)的逐次逼近(SAR)ADC,提出了一种误差自动校准技术。考虑到芯片面积、功耗和精度的折中,采用了电荷再分配分段电容DAC结构,并采用准差分输入方式提高ADC的信噪比。为了消除电容失配引入的误差,提出了一种误差自动校准算法,利用误差校准DAC阵列对电容失配误差进行量化并存储在RAM中,在AD转换过程中实现误差消除。

关键词：逐次逼近模数转换器全差分电容失配自动校准高精度分段电容数模转换器

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基于FPGA驱动微陀螺旋转的移相电路

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中国惯性技术学报 2009年第6期17卷 738-741页

作者：李世鹏张卫平刘凯刘武陈文元上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200240

传统的微陀螺转子驱动电路采用对模拟信号直接移相实现,为了解决模拟信号直接移相时移相范围有限、调试复杂等不足,设计出了基于FPGA的数字式驱动微陀螺旋转移相电路。通过FPGA产生相位差信号,经D/A转换电路和巴特沃兹滤波电路处理后输... 详细信息

传统的微陀螺转子驱动电路采用对模拟信号直接移相实现,为了解决模拟信号直接移相时移相范围有限、调试复杂等不足,设计出了基于FPGA的数字式驱动微陀螺旋转移相电路。通过FPGA产生相位差信号,经D/A转换电路和巴特沃兹滤波电路处理后输出信号。该数字式移相方法产生的信号的相位差(0°～360°)、频率均可调,为涡流旋转微陀螺转子提供了理想的信号源。

关键词：波形移相涡流旋转转子微陀螺带通滤波 FPGA

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基于MEMS强链和双FPGA的硬盘加密系统

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计算机工程与设计 2009年第16期30卷 3726-3729,3740页

作者：许鹏张卫平陈文元李怡斌汤坚上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030

一个完整的数据加密系统应该具有安全可靠的密码认证机制和加密算法,为了解决现有大多数认证系统中逻辑认证的局限,利用两片FPGA芯片、PCI控制器、MEMS强链和AES算法设计了一种高效的数据加密系统,实现了物理认证和数据的加密/解密,利用... 详细信息

一个完整的数据加密系统应该具有安全可靠的密码认证机制和加密算法,为了解决现有大多数认证系统中逻辑认证的局限,利用两片FPGA芯片、PCI控制器、MEMS强链和AES算法设计了一种高效的数据加密系统,实现了物理认证和数据的加密/解密,利用AES-128加密算法对数据进行加解密,提高了安全等级。该系统具有简捷方便、性能稳定、数据吞吐率高等特点。

关键词：双FPGA MEMS强链 PCI 密钥 AES算法

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纳米晶FeCuNbSiB带材巨磁阻抗效应研究

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电子元件与材料 2009年第2期28卷 32-34页

作者：张彬曹莹周勇周志敏上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240

采用微机电系统(MEMS)技术,在玻璃基片上制备了单层结构500℃退火的FeCuNbSiB带材样品。在l～40MHz下,研究了带材的巨磁阻抗(GMI)效应随外加磁场强度以及交流电流频率的变化关系。结果表明:纵向、横向巨磁阻抗效应变化率(GMI值)在5MHz、... 详细信息

采用微机电系统(MEMS)技术,在玻璃基片上制备了单层结构500℃退火的FeCuNbSiB带材样品。在l～40MHz下,研究了带材的巨磁阻抗(GMI)效应随外加磁场强度以及交流电流频率的变化关系。结果表明:纵向、横向巨磁阻抗效应变化率(GMI值)在5MHz、1.2kA/m和5MHz、8kA/m时,分别达到最大值15.6%和10.6%。

关键词：巨磁阻抗效应纳米晶带材微机电系统

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平面磁芯螺旋结构微电感的性能研究

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电子元件与材料 2009年第2期28卷 48-50页

作者：冯书谊周勇周志敏向毅上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240

采用MEMS技术（包括光刻、电镀、反应离子刻蚀和机械抛光等）研制了平面磁芯螺旋结构微电感，磁芯材料为铁基纳米晶带材。其中线圈匝数为18匝，线圈导体的宽度和间隙均为30μm，厚度为20μm；电感的尺寸为3mm×3mm。测试结果表明：... 详细信息

采用MEMS技术（包括光刻、电镀、反应离子刻蚀和机械抛光等）研制了平面磁芯螺旋结构微电感，磁芯材料为铁基纳米晶带材。其中线圈匝数为18匝，线圈导体的宽度和间隙均为30μm，厚度为20μm；电感的尺寸为3mm×3mm。测试结果表明：在频率为1-10MHz时，电感量和品质因数分别为3．2～1．2μH和2．3—1．1；在1MHz下，电感量和品质因数分别为3．2μH和2．3，可应用于微型化DC／DC变换器。

关键词：平面磁芯螺旋结构微电感 MEMS技术电感量品质因数

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基于PDMS纳米粒子改性的热模压技术

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功能材料与器件学报 2009年第5期15卷 441-446页

作者：汪鹏陈翔肖丽君朱军陈迪上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

介绍了一种采用纳米SiO2、TiO2改性聚二甲基硅氧烷(PDMS)的方法,研究了两种纳米材料SiO2、TiO2添加的比例对热压效果的影响及优化条件,并分析了其改性后的热膨胀系数及杨氏模量的变化,以及其改性后热压效果的提高进行了初步分析,最后用... 详细信息

介绍了一种采用纳米SiO2、TiO2改性聚二甲基硅氧烷(PDMS)的方法,研究了两种纳米材料SiO2、TiO2添加的比例对热压效果的影响及优化条件,并分析了其改性后的热膨胀系数及杨氏模量的变化,以及其改性后热压效果的提高进行了初步分析,最后用改性的PDMS材料,快速成型来制造热压模具,热压制作聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)微流控芯片。与常用的金属模具(如镍模具)相比,此方法具有脱模容易,工艺周期短,难度低,重复性好,价格低等优点。

关键词： PDMS改性纳米粒子热模压微流控

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基于高深宽比Si干法刻蚀参数优化

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微纳电子技术 2009年第12期46卷 750-754页

作者：陈少军李以贵上海交通大学微纳米科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240

为满足体硅MEMS制造工艺进一步发展的需要,对电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺参数进行了深入分析,着重分析了平板功率对Si干法刻蚀的影响。通过对Si干法刻蚀的主要工艺参数进行正交试验,得出了一组较为理想的刻蚀工艺参数:刻蚀气体SF6和... 详细信息

为满足体硅MEMS制造工艺进一步发展的需要,对电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺参数进行了深入分析,着重分析了平板功率对Si干法刻蚀的影响。通过对Si干法刻蚀的主要工艺参数进行正交试验,得出了一组较为理想的刻蚀工艺参数:刻蚀气体SF6和保护气体C4F8的流量均为13cm3·min-1,在一个周期内通入刻蚀气体SF6的时间为4s,通入钝化气体C4F8的时间为3s;线圈功率为400W,平板功率为110W。利用这组优化的工艺参数进行Si的干法刻蚀,所得到的微结构的深宽比将大于20∶1,同时侧壁垂直度能够很好地控制在90°±1°。

关键词：微机电系统电感耦合等离子体(ICP)刻蚀平板功率正交试验深宽比

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新型电流微调CMOS带隙基准源的设计

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半导体技术 2009年第9期34卷 919-922页

作者：吴日新戴庆元谢芳上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240

介绍了一个新型PTAT电流微调并具有关断模式的CMOS带隙基准源,通过数字控制信号逻辑的改变,可实现1.20～1.27V的基准输出。该带隙基准源采用TSMC0.18μm工艺进行电路和版图设计。仿真结果显示,在输出基准为1.24V的情况下,带隙基准源在-4... 详细信息

介绍了一个新型PTAT电流微调并具有关断模式的CMOS带隙基准源,通过数字控制信号逻辑的改变,可实现1.20～1.27V的基准输出。该带隙基准源采用TSMC0.18μm工艺进行电路和版图设计。仿真结果显示,在输出基准为1.24V的情况下,带隙基准源在-40～125℃,所有工艺角下的最大误差为23.07mV,其中tt工艺角下的温度系数为21×10-6/℃。电源电压为1.8V时,电源电流为63μA;关断模式下电流为93pA。10kHz的电源抑制比为44dB。

关键词： CMOS带隙基准电流微调关断模式

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