检索结果-内蒙古大学图书馆

微纳电子技术 2006年第2期43卷 85-88+106页

作者：曲鹏王英张亚非上海200030 上海交通大学DNA计算机交叉团队上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室

利用LB技术在Si(100)基片上制作了金纳米粒子单层膜,采用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对单层膜的表面形貌进行表征。实验结果表明,将表面压控制在22mN/m～26mN/m进行拉膜,可以得到大面积金纳米粒子的均匀致密单层膜。研究结... 详细信息

利用LB技术在Si(100)基片上制作了金纳米粒子单层膜,采用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对单层膜的表面形貌进行表征。实验结果表明,将表面压控制在22mN/m～26mN/m进行拉膜,可以得到大面积金纳米粒子的均匀致密单层膜。研究结果对于采用金纳米粒子单层膜构建DNA传感器和单电子器件方面具有重要的应用价值。

关键词：金纳米粒子 LB技术扫描电子显微镜原子力显微镜

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一种用于测试坡莫合金薄膜机械性能的拉伸模型

一种用于测试坡莫合金薄膜机械性能的拉伸模型

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第八届中国微米/纳米技术学术年会

作者：李雪萍丁桂甫安藤妙子式田光宏佐藤一雄上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030 名古屋大学微纳系统工程系名古屋日本上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030 名古屋大学微纳系统工程系名古屋日本

坡莫合金(Ni80Fe20)薄膜是微机电系统常用的磁性材料之一.本文介绍了一种用于测试其机械性能的单轴拉伸试验模型.此模型的特点是微小试件两端固定、且与加载机构集成在基片上,从而可减少操作工作量、提高对准精度.整个机构以微细加工方... 详细信息

坡莫合金(Ni80Fe20)薄膜是微机电系统常用的磁性材料之一.本文介绍了一种用于测试其机械性能的单轴拉伸试验模型.此模型的特点是微小试件两端固定、且与加载机构集成在基片上,从而可减少操作工作量、提高对准精度.整个机构以微细加工方法制成:坡莫合金拉伸试件以光刻和电镀技术成型,其余的加载机构以湿法蚀刻制成.实验表明:使用此机构可以简单且高精度地对薄膜试件进行拉伸试验,获得多项力学性能参数,从而为MEMS器件设计和分析提供可靠的理论基础.

关键词：微机电系统机械性能坡莫合金拉伸试验磁性材料

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位错型微机械可变光衰减器的研究

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光学学报 2005年第5期25卷 717-718页

作者：谢晓强戴旭涵赵小林丁桂甫蔡炳初上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

介绍了一种基于微机械技术实现的可变光衰减器,通过微电磁驱动器改变输入输出光纤之间的径向偏移量来调整衰减量。基于波导传输理论分析确定了器件的结构参量,并通过集成电路微细加工工艺实现了器件的制作和封装。测试结果表明,该可变... 详细信息

介绍了一种基于微机械技术实现的可变光衰减器,通过微电磁驱动器改变输入输出光纤之间的径向偏移量来调整衰减量。基于波导传输理论分析确定了器件的结构参量,并通过集成电路微细加工工艺实现了器件的制作和封装。测试结果表明,该可变光衰减器的插入损耗小于1dB,动态范围约35dB,工作电压小于5V,偏振相关损耗小于0.1dB,体积为20mm×15mm×8mm,有望为全光网提供一种低成本,高性能的光通信器件。

关键词：光学器件全光网可变光衰减器微机械电磁驱动

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基于GPRS的远程气体环境监测系统

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传感器技术 2005年第11期24卷 86-88页

作者：何志斌惠春徐爱兰上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030

为提高气体环境监测的可靠性和实时性,介绍了一种基于通用无线分组业务(GPRS)的远程气体环境参数监测系统。它由传感器模块、89C51为核心的信号处理模块以及GPRS模块组成。分析及试验结果表明:该系统的年发送成功率达到99.6%,相对误差小... 详细信息

为提高气体环境监测的可靠性和实时性,介绍了一种基于通用无线分组业务(GPRS)的远程气体环境参数监测系统。它由传感器模块、89C51为核心的信号处理模块以及GPRS模块组成。分析及试验结果表明:该系统的年发送成功率达到99.6%,相对误差小于2%。

关键词：气体环境监测系统通用无线分组业务气体传感器信号处理

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曲折状FeSiB/Cu/FeSiB三层膜结构应力阻抗效应研究

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功能材料与器件学报 2005年第4期11卷 419-422页

作者：陈吉安茅昕辉赵晓昱丁文曹莹周勇上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030 上海工程技术大学汽车工程学院上海200336

采用磁控溅射法在玻璃基底上制备了曲折状FeSiB/Cu/FeSiB三层膜结构,在1～40MHz范围内研究了FeSiB膜和Cu膜厚度对三层膜结构应力阻抗效应的影响.结果表明:高频下三层膜的应力阻抗效应随着其形变的增加近似线性增加,在自由端弯曲变形1mm... 详细信息

采用磁控溅射法在玻璃基底上制备了曲折状FeSiB/Cu/FeSiB三层膜结构,在1～40MHz范围内研究了FeSiB膜和Cu膜厚度对三层膜结构应力阻抗效应的影响.结果表明:高频下三层膜的应力阻抗效应随着其形变的增加近似线性增加,在自由端弯曲变形1mm、外加电场频率为25MHz时,应力阻抗效应达到-18.3%,在力敏传感器方面具有广阔的应用前景.

关键词：应力阻抗 FeSiB/Cu/FeSiB三层膜磁控溅射曲折状

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FX2N可编程控制器温度检测与控制系统的设计

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微计算机信息 2005年第9S期21卷 61-63页

作者：陈远琪李胜勇赵堂忠张卫平广州白云山中药厂上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室中国网络通信集团公司湖北省分公司

本文介绍采用了一种FX2N可编程控制器对自动高速吸塑机发热砖模块进行温度检测与控制系统实现功能的设计。在温度控制输出过程中,采用PID控制器,对温度的采集数据进行计算,然后通过可编程控制器输出对发热砖模块间接控制,同时实现数字... 详细信息

本文介绍采用了一种FX2N可编程控制器对自动高速吸塑机发热砖模块进行温度检测与控制系统实现功能的设计。在温度控制输出过程中,采用PID控制器,对温度的采集数据进行计算,然后通过可编程控制器输出对发热砖模块间接控制,同时实现数字滤波、触发脉冲等功能。

关键词：可编程控制器温度检测控制 PID

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SU-8胶光刻工艺参数优化研究

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微细加工技术 2005年第3期 36-41,80页

作者：张晔陈迪张金娅倪智萍朱军刘景全上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

对基于SU-8胶的UV-LIGA技术进行了工艺优化,研究了光源波长和曝光时间对SU-8胶成型的影响。结果表明,光刻胶表面线宽变化随曝光时间增加先减少后增加,有一个极小值;侧壁角度先增加后减少,有一个极大值。通过优化光源波长、曝光时间以及... 详细信息

对基于SU-8胶的UV-LIGA技术进行了工艺优化,研究了光源波长和曝光时间对SU-8胶成型的影响。结果表明,光刻胶表面线宽变化随曝光时间增加先减少后增加,有一个极小值;侧壁角度先增加后减少,有一个极大值。通过优化光源波长、曝光时间以及显影时间三个主要工艺参数,可以获得侧壁角度为90.64°正角的300μm厚光刻胶微结构和侧壁角度为89.98°近似垂直的500μm厚光刻胶微结构。

关键词： UV-LIGA技术 SU-8胶高深宽比微结构

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碳纳米管场发射压力传感器结构设计与测试

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微细加工技术 2005年第2期 69-72页

作者：钱开友王芸叶枝灿颜丙勇徐东蔡炳初上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030

研制出了碳纳米管场发射压力传感器。在结构设计中提出了场发射压力传感器台阶双层阳极变形膜结构,计算机模拟证明,这种结构具有大量程与高灵敏度的优点。同时对这种结构的形变特性进行了实验测试,为传感器结构的整体尺寸设计提供了依... 详细信息

研制出了碳纳米管场发射压力传感器。在结构设计中提出了场发射压力传感器台阶双层阳极变形膜结构,计算机模拟证明,这种结构具有大量程与高灵敏度的优点。同时对这种结构的形变特性进行了实验测试,为传感器结构的整体尺寸设计提供了依据。最后对这种新型传感器的性能进行了测试,表明传感器的灵敏度为0.22μA/kPa(5kPa^101kPa)。

关键词：碳纳米管场发射压力传感器阳极变形膜计算机模拟

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RF溅射制备Ta_2O_5薄膜及其电学性能的研究

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真空电子技术 2005年第5期18卷 51-54页

作者：曹莹丁文毛海平周勇薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海交通大学微纳科学技术研究院上海200030

高介电常数薄膜广泛应用于动态随机存储器中.本文主要采用反应溅射在Si基体上制备Ta2O5薄膜,研究了在25～100nm厚度范围内薄膜的电学性能.讨论了不同退火时间对Ta2O5薄膜结构和性能的影响,测量了退火后薄膜的漏电流,并计算出其介电常数.

关键词：高介电常数薄膜 Ta2O5 电学性能漏电流随机存储器

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反应离子刻蚀中的边缘效应及其补偿办法

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真空电子技术 2005年第2期18卷 41-44页

作者：谢晓强戴旭涵赵小林丁桂甫蔡炳初薄膜与微细技术教育部重点实验室微米纳米加工技术国家级重点实验室上海交通大学微纳科学技术研究院上海200030

在反应离子刻蚀中,可以通过提高刻蚀功率来提高反应离子刻蚀速率,但此时由于反应气体浓度分布的影响,Si片中央和边缘的刻蚀速率存在着明显的差异,刻蚀量偏差最多可达±15%以上。本文分析了反应离子刻蚀中不均匀性的产生机理,并通过... 详细信息

在反应离子刻蚀中,可以通过提高刻蚀功率来提高反应离子刻蚀速率,但此时由于反应气体浓度分布的影响,Si片中央和边缘的刻蚀速率存在着明显的差异,刻蚀量偏差最多可达±15%以上。本文分析了反应离子刻蚀中不均匀性的产生机理,并通过实验予以验证。进而提出了通过合理设计掩模图形,以减少边缘效应,从而得到均匀刻蚀结果的补偿方法。实验表明,这种补偿方法在刻蚀速率提高近3倍的同时,可以将不均匀性降至±5%以下,适用于对微结构的均匀性要求较高的场所。

关键词：反应离子刻蚀边缘效应补偿办法刻蚀速率不均匀性补偿方法浓度分布反应气体产生机理合理设计微结构实验 Si 掩模

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