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  • 341 篇 中文
检索条件"机构=上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室、微米/纳米加工技术国家级重点实验室"
341 条 记 录,以下是71-80 订阅
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基于FPGA的数字GPS多径实验平台
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电子学与计算机 2010年 第7期27卷 250-252页
作者: 王祺皓 陈佳品 李振波 薄膜与微细技术教育部重点实验室 微米纳米加工技术国家级重点实验室 上海交通大学微纳科学技术研究院 上海200240
多径问题是影响GPS信号接收的主要干扰问题.通过研究GPS接收机的基本原理和实现方式,利用Xilinx公司的xc3s1000型号FPGA,设计一个仿真实验平台.针对多径处理的需要,使用Verilog HDL语言设计了运用反馈移位寄存器产生的C/A码序列及起始... 详细信息
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新型聚酰亚胺图形化工艺制备视网膜电极
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电子技术 2010年 第2期47卷 105-109页
作者: 徐旻 陈迪 周然 陈翔 朱军 刘景全 上海交通大学微纳科学技术研究院 微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240
介绍了一种新型的、基于Cu牺牲层的聚酰亚胺图形化方法制备视网膜电极的MEMS工艺,并对其电化学性能进行了表征。该工艺创新性地以Cu作为衬底聚酰亚胺图形化的牺牲层,以PDMS(聚二甲基硅氧烷)作为剥离层,以聚酰亚胺作为封装材料,以惰性金... 详细信息
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基于GP4020的GPS接收平台的设计及实现
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电子学与计算机 2010年 第6期27卷 212-215页
作者: 陈凯 陈佳品 李振波 薄膜与微细技术教育部重点实验室 微米纳米加工技术国家级重点实验室上海交通大学微纳科学技术研究院上海200240
介绍了一种基于GP4020的GPS信号处理平台的具体实现.该平台采用GP2015芯片作为GPS接收机的射频前端,使用ZARLINK公司推出的GP4020芯片进行GPS信号的基带处理,该芯片内嵌ARM7核作为处理器,在上位机显示处理结果.具体包括了接收机外围... 详细信息
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纳米管非对称接触结构制作及电学性能研究
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电子技术 2010年 第5期47卷 273-276页
作者: 胡林 陈长鑫 张亚非 上海交通大学微纳科学技术研究院微米纳米加工技术国家级重点实验室薄膜和微细技术教育部重点实验室
实验研究了多根或单根单壁碳纳米管与非对称金属电极接触结构的制作方法。先用介电泳方法(DEP)将碳纳米管定向排列在Au电极对之间,再用电子束光刻(EBL)在碳纳米管的一端加工Al电极,获得多根碳纳米管与金铝电极的非对称接触结构。先用EBL... 详细信息
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玻璃衬底上RF磁控溅射CIGS薄膜研究
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电子技术 2010年 第11期47卷 674-679页
作者: 钱群 张丛春 杨春生 丁桂甫 侯捷 上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室 薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240
采用射频磁控溅射的工艺,在玻璃衬底上制备得到了铜铟镓硒(CIGS)薄膜。讨论了衬底温度、溅射气压、退火与否对CIGS薄膜与衬底结合力、显形貌、晶化程度及电阻率的影响。通过能谱(EDS)测试证明了溅射的CIGS薄膜Ga组分比符合高效吸收层... 详细信息
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Si/TiNi双层结构SMA电热驱动器的仿真和制造
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电子技术 2010年 第2期47卷 93-98页
作者: 王亚攀 吴义伯 张小波 张丛春 杨春生 上海交通大学微纳科学技术研究院 微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240
使用射频磁控溅射法,在Si片上沉积了TiNi形状记忆合金薄膜,分别采用能谱色散光谱仪(EDS)和差示扫描热量分析(DSC)方法测试了薄膜的成分和相变特征温度,并通过给形状记忆合金(SMA)薄膜加热及冷却,观察薄膜的形变恢复情况,定性测试了SMA... 详细信息
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表面等离子体透射增强提高光刻分辨率的模拟
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电子技术 2010年 第4期47卷 253-256页
作者: 朱明轩 李海华 王庆康 上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室 上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室 上海200240
讨论了表面等离子体透射增强现象在提高分辨率上的应用,数值模拟结果显示采用这种方法光刻的分辨率可以达到32nm。首先用FDTD法模拟了一维周期光栅结构的电场场强的分布,光栅模版具有三角形的脊,整个模版覆盖了一层Ag,然后讨论了三角形... 详细信息
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基于准分子激光工艺制作X射线光掩膜
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半导体技术 2010年 第4期35卷 349-351页
作者: 陈少军 李以贵 上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室 微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200240
LIGA工艺是一项能够应用于制造三维机械结构的微细加工技术,但制作掩膜版工艺复杂、成本高。为了解决商用的光学系统制造成本问题,在Au薄膜上用准分子激光直写的方法制作掩膜,这样既能够很快得到雏形,同时也能够降低制作的掩膜版的... 详细信息
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纳米压印中残余胶刻蚀工艺研究
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半导体技术 2010年 第4期35卷 357-360页
作者: 黄康 李海华 王庆康 上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米技术国家重点实验室薄膜与微细加工技术教育部重点实验室 上海200240
压印光刻在图形转移之后,需要去除残留在凹槽底的胶。采用RIE工艺对紫外压印胶的刻蚀速率进行了研究。结果表明,随着气压或气体流量增大,刻蚀速率均会先增加,达到一定值后又开始下降;在刻蚀气体中加入SF_6后,会减少钻蚀,但刻蚀速率会... 详细信息
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提高结构表面在镀液中的润湿性
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电子技术 2010年 第11期47卷 708-712,717页
作者: 李光杨 汪红 谭姣姣 杨卓青 姚锦元 丁桂甫 上海交通大学微纳米科学技术研究院微/纳米加工技术国家级重点实验室 薄膜和微细技术教育部重点实验室上海200240 江南大学信息工程学院 江苏无锡214122
为提高结构在氨基磺酸镍镀液中的润湿性,研究了在该镀液中加入十二烷基硫酸钠(SDS)作为润湿剂和对结构表面进行氧等离子体改性这两种方法的效果。测试了4种含不同SDS浓度的氨基磺酸镍镀液的极化曲线。运用傅里叶变化红外光谱分析(FT... 详细信息
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