检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2007年第7期56卷 4224-4228页

作者：张祖发张胤冯洁蔡燕飞林殷茵蔡炳初汤庭鳌 Bomy Chen 上海交通大学"薄膜与微细技术"教育部重点实验室"微米/纳米加工技术"国家级重点实验室微纳科学技术研究院上海200030 复旦大学专用集成电路和系统国家重点实验室上海200433 Silicon Storage Technology Inc. Sunnyvale

采用磁控三靶(Si,Sb及Te)共溅射法制备了Si掺杂Sb2Te3薄膜,作为对比,制备了Ge2Sb2Te5和Sb2Te3薄膜,并且采用微加工工艺制备了单元尺寸为10μm×10μm的存储器件原型来研究器件性能.研究表明,Si掺杂提高了Sb2Te3薄膜的晶化温度以及... 详细信息

采用磁控三靶(Si,Sb及Te)共溅射法制备了Si掺杂Sb2Te3薄膜,作为对比,制备了Ge2Sb2Te5和Sb2Te3薄膜,并且采用微加工工艺制备了单元尺寸为10μm×10μm的存储器件原型来研究器件性能.研究表明,Si掺杂提高了Sb2Te3薄膜的晶化温度以及薄膜的晶态和非晶态电阻率,使得其非晶态与晶态电阻率之比达到106,提高了器件的电阻开/关比;同Ge2Sb2Te5薄膜相比,16at%Si掺杂Sb2Te3薄膜具有较低的熔点和更高的晶态电阻率,这有利于降低器件的RESET电流.研究还表明,采用16at%Si掺杂Sb2Te3薄膜作为存储介质的存储器器件原型具有记忆开关特性,可以在脉高3V、脉宽500ns的电脉冲下实现SET操作,在脉高4V、脉宽20ns的电脉冲下实现RESET操作,并能实现反复写/擦,而采用Ge2Sb2Te5薄膜的相同结构的器件不能实现RESET操作.

关键词：相变存储器硫系化合物 Si掺杂Sb2Te3 薄膜 SET/RESET转变

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带反射回馈的高效光子晶体多路滤波器件

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光学精密工程 2007年第8期15卷 1208-1214页

作者：吴斌王庆康上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

光子晶体制备的滤波器件在光通信中有巨大应用潜力，但普通的基于2D光子晶体的多分路滤波器因为抽取效率不够高，无法达到实用化的要求。本文通过给上述滤波器加入新结构，提出了性能更好的分路滤波器模型。具体的改进结构有两种：一种... 详细信息

光子晶体制备的滤波器件在光通信中有巨大应用潜力，但普通的基于2D光子晶体的多分路滤波器因为抽取效率不够高，无法达到实用化的要求。本文通过给上述滤波器加入新结构，提出了性能更好的分路滤波器模型。具体的改进结构有两种：一种是在主波导末端放置一个反射微腔，另一种是在主波导两侧放置多个反射微腔。通过时域有限差分（FDTD）法对光波在这两种结构中的传播进行了模拟分析，并绘出了光波能量传播示意图。结果表明，该结构可以明显地减少光波损耗，提高抽取效率。这两种结构器件的理论抽取效率达到了60％～90％，大大高于普通结构的30％～40％的水平。这也说明了反射微腔的新颖结构对改进光子晶体滤波器的重要作用。

关键词：光子晶体多分路滤波器反射微腔时域有限差分法

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多通道生物压电传感芯片微分析系统设计

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传感器与微系统 2007年第7期26卷 93-95,104页

作者：赵仁吉惠春徐爱兰上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

为了满足石英传感阵列信号采集的要求,设计了一种基于虚拟仪器技术的多通道生物压电传感芯片微分析系统。该系统硬件部分由信号处理电路、数据采集卡和计算机等组成;软件部分采用图形化编程语言LabVIEW设计。利用该系统分析溶液电导率... 详细信息

为了满足石英传感阵列信号采集的要求,设计了一种基于虚拟仪器技术的多通道生物压电传感芯片微分析系统。该系统硬件部分由信号处理电路、数据采集卡和计算机等组成;软件部分采用图形化编程语言LabVIEW设计。利用该系统分析溶液电导率与石英传感芯片谐振频率偏移的关系。实验结果表明:该系统能够实现对频率信号的实时测量,并能实现数据的自动采集、处理、保存;可进一步用于生物大分子的检测。

关键词：压电石英晶体传感芯片虚拟仪器谐振频率

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1×16微机电系统光纤连接器阵列的研制

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传感器与微系统 2007年第7期26卷 87-88,92页

作者：蔡玉丽丁桂甫戴旭涵张丹上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

一种基于MEMS工艺的硅基阵列化光纤连接器,具有微型化、可集成制造和重复性好等特点。每个单元利用硅V型槽与其上集成制造的电沉积流线型曲面金属镍盖板的组合形成了方便光纤插拔的喇叭口形导引通道和可实现光纤定位及精确自对准的双悬... 详细信息

一种基于MEMS工艺的硅基阵列化光纤连接器,具有微型化、可集成制造和重复性好等特点。每个单元利用硅V型槽与其上集成制造的电沉积流线型曲面金属镍盖板的组合形成了方便光纤插拔的喇叭口形导引通道和可实现光纤定位及精确自对准的双悬臂梁形夹持通道。采用Ansys软件对双悬臂梁结构在不同的厚度与翘曲位移条件下对光纤产生的压制力进行建模与仿真,并将其与理论分析结果进行比较。成功地将单元扩展成1×16阵列,体积仅为6.8mm×15.2mm×0.5mm,各单元插入损耗约为0.3 dB。

关键词：光学器件光纤连接器阵列微机电系统集成制造

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高分辨X射线成像器件——微间隙室(MGC)的研究

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核电子学与探测技术 2007年第1期27卷 57-61页

作者：龙沪强王芸徐东谢宽仲卞建江上海交通大学电子信息与电气工程学院上海200030 上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030 上海大学材料科学与材料工程学院上海200072

详细讨论了微间隙室的基本结构、特性及其主要研究内容;并在此基础上,探讨了微间隙室采用金刚石薄膜作为阳极电极微条和阴极电极微条之间的极间绝缘材料的可能性和有效性。为在第三代同步光源上实现具有良好时间和空间分辨的成像实验或... 详细信息

详细讨论了微间隙室的基本结构、特性及其主要研究内容;并在此基础上,探讨了微间隙室采用金刚石薄膜作为阳极电极微条和阴极电极微条之间的极间绝缘材料的可能性和有效性。为在第三代同步光源上实现具有良好时间和空间分辨的成像实验或衍射实验,提供了一种潜在的辐射成像探测器。

关键词：辐射成像探测器同步光源微间歇室金刚石薄膜

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磁芯螺线管微电感的计算机模拟

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上海交通大学学报 2007年第11期41卷 1867-1870页

作者：郭绍寅周勇周志敏曹莹丁文上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

采用电磁场理论建立了FeNi磁芯螺线管微电感的物理模型,并对交流载荷下的微电感进行了模拟.通过与磁芯厚度为10、20、30和40μm的微电感的实验结果对比,表明该物理模型能够较准确地模拟磁芯螺线管微电感的主要损耗,进而可计算微电感的... 详细信息

采用电磁场理论建立了FeNi磁芯螺线管微电感的物理模型,并对交流载荷下的微电感进行了模拟.通过与磁芯厚度为10、20、30和40μm的微电感的实验结果对比,表明该物理模型能够较准确地模拟磁芯螺线管微电感的主要损耗,进而可计算微电感的电感量和品质因子.模拟结果与实验符合较好.

关键词：螺线管微电感磁芯物理模型

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适于MEMS器件的低应力Ni-W纳米晶薄膜的制备

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上海交通大学学报 2007年第S2期41卷 12-15页

作者：汪红丁桂甫赵小林姚锦元朱军王志民上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030

以高强度、高耐腐蚀性Ni-W合金为研究对象,探讨了柠檬酸胺-HEDP体系中,各种电沉积工艺参数以及热处理条件对Ni-W合金薄膜应力的影响规律及其在微喷嘴模具上的应用.研究结果表明,在优化的工艺条件下,可获得应力为230 MPa、硬度高达988 H... 详细信息

以高强度、高耐腐蚀性Ni-W合金为研究对象,探讨了柠檬酸胺-HEDP体系中,各种电沉积工艺参数以及热处理条件对Ni-W合金薄膜应力的影响规律及其在微喷嘴模具上的应用.研究结果表明,在优化的工艺条件下,可获得应力为230 MPa、硬度高达988 HV、无裂纹的纳米晶Ni-W薄膜材料,为其在MEMS微器件、微模具制备上的应用提供了有效途径.

关键词：内应力 Ni-W纳米晶微机电系统电沉积热处理

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基于加速度采集系统的无线输入设备的研究

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计算机应用研究 2007年第2期24卷 260-263页

作者：黄得志陈文元杨华峰钱莉张卫平上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030

研究基于加速度采集系统的无线输入设备,介绍了硬件系统的组成和工作原理,重点讨论了有限状态机FSM和COM组件软件技术的应用,用C++语言给出了FSM的实现框架和COM接口函数的描述,并基于加速度信息采集平台用C#语言开发了一个测试程序,既... 详细信息

研究基于加速度采集系统的无线输入设备,介绍了硬件系统的组成和工作原理,重点讨论了有限状态机FSM和COM组件软件技术的应用,用C++语言给出了FSM的实现框架和COM接口函数的描述,并基于加速度信息采集平台用C#语言开发了一个测试程序,既充分展示了采用FSM和COM技术的优点,同时说明了基于该系统的虚拟键盘鼠标系统实现方案的可行性。

关键词：有限状态机 COM技术微加速度传感器虚拟键盘鼠标系统

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静电驱动可调微机械电容

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Journal of Semiconductors 2007年第9期28卷 1454-1458页

作者：方东明付世周勇赵小林微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海交通大学微纳科学技术研究院上海200030

利用简单MEMS技术制作了高品质因数的射频可调微机械电容.此电容由静电驱动,利用WYKONT1100光学表面轮廓仪测量在不同外加直流电压下可变电容的表面轮廓和位移等信息.测试结果表明,电容的吸合电压为13.5V,电容可调比为1.31:1,在1GHz下... 详细信息

利用简单MEMS技术制作了高品质因数的射频可调微机械电容.此电容由静电驱动,利用WYKONT1100光学表面轮廓仪测量在不同外加直流电压下可变电容的表面轮廓和位移等信息.测试结果表明,电容的吸合电压为13.5V,电容可调比为1.31:1,在1GHz下品质因数为51.6,电容值为0.79pF.

关键词：可调电容射频微机电系统品质因数

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曲折状CoFeSiB三明治薄膜及其巨磁阻抗效应

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电子元件与材料 2007年第8期26卷 16-19页

作者：张桂林周勇周志敏上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

利用射频磁控溅射技术及MEMS技术,制备了曲折状三明治结构的CoFeSiB/Cu/CoFeSiB多层膜,在l～40 MHz频率下,研究了多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应以及相应的电阻、电抗变化率。结果表明:曲折状三明治结构多层膜的巨磁阻抗效应,比单层膜... 详细信息

利用射频磁控溅射技术及MEMS技术,制备了曲折状三明治结构的CoFeSiB/Cu/CoFeSiB多层膜,在l～40 MHz频率下,研究了多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应以及相应的电阻、电抗变化率。结果表明:曲折状三明治结构多层膜的巨磁阻抗效应,比单层膜有较大的提高,纵向和横向最大GMI效应分别为12.2%和–18.6%。

关键词：电子技术 CoFeSiB/Cu/CoFeSiB 巨磁阻抗曲折状结构三明治薄膜 MEMS

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