检索结果-内蒙古大学图书馆

光学精密工程 2009年第6期17卷 1300-1305页

作者：张俊峰李以贵惠春上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细加工技术教育部重点实验室微米纳米加工技术国家级重点实验室上海200240 上海交通大学生命科学技术研究院上海200240

考虑声表面波驱动器直接驱动工作物体,能量损失小,传动误差小,且尺寸小,噪声低,抗电磁干扰等特点,基于MEMS技术并采用在Li NbO3基底上加工微型电极的方式制作了一种声表面波微驱动器。为了更加有效地控制驱动方向,提出了一种新型叉指结... 详细信息

考虑声表面波驱动器直接驱动工作物体,能量损失小,传动误差小,且尺寸小,噪声低,抗电磁干扰等特点,基于MEMS技术并采用在Li NbO3基底上加工微型电极的方式制作了一种声表面波微驱动器。为了更加有效地控制驱动方向,提出了一种新型叉指结构,即浮动电极型单向换能器,然后利用ANSYS软件,对声表面波换能器进行了优化设计和分析,制作出了孔径尺寸为5mm,电极厚度为0.8μm,指宽为6.7μm,周期为80μm的浮动电极型单向换能器。该声表面波驱动器比以往的驱动器具有更高的谐振频率(接近50MHz)和更有效的方向可控性,从而有助于微光学控制系统的进一步微型化和可控化。

关键词：声表面波驱动器微机电系统浮动电极型单向换能器

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利用声表面波实现液体的二维驱动(英文)

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光学精密工程 2009年第7期17卷 1548-1552页

作者：高阳李以贵张俊峰上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细加工技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家重点实验室上海200240

报道了利用声表面波实现水滴二维驱动的实验。在127.8°Y切X向传播的铌酸锂衬底上制作了4个叉指换能器。每个叉指换能器由10对电极构成,其叉指周期为400μm,宽度为100μm,孔径为12mm,整个器件的尺寸为26mm×26mm×0.45mm。... 详细信息

报道了利用声表面波实现水滴二维驱动的实验。在127.8°Y切X向传播的铌酸锂衬底上制作了4个叉指换能器。每个叉指换能器由10对电极构成,其叉指周期为400μm,宽度为100μm,孔径为12mm,整个器件的尺寸为26mm×26mm×0.45mm。由于铌酸锂晶体的各向异性,叉指换能器沿Y、X方向的谐振频率不同,分别为9.3MHz和9.6MHz。基于铜材料相对于铝材料的优点,选用了铜材料并采用剥离工艺制作了电极,得到了优化的工艺参数。最后,用了超长时间超声波辅助方法彻底去除残胶,实现了对水滴的二维驱动,输入功率为9W,液滴运动的平均速率为5mm/s。利用ANSYS软件分析了声表面波在铌酸锂衬底内的传播,内部振动的模拟结果与理论分析一致。实验表明,利用声表面波实现液体的二维驱动是可行的,该液体驱动原型可用于片上系统和μ-TAS。

关键词：液体驱动声表面波剥离工艺有限元分析(FEA)

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基于UV-LIGA技术的微孔异形喷丝头制备

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传感器与微系统 2009年第3期28卷 58-60页

作者：程吉凤丁桂甫姚锦元汪红刘瑞上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240

为了实现微孔喷丝头的多元化截面形状,采用紫外(UV)-LIGA技术和激光焊接的方法,初步探索了UV-LIGA技术在制备异形微喷嘴上的应用。应用UV-LIGA技术电铸出不同孔形的喷丝头底板,并采用激光焊接技术实现底板和冲压外框的整体成型。实验结... 详细信息

为了实现微孔喷丝头的多元化截面形状,采用紫外(UV)-LIGA技术和激光焊接的方法,初步探索了UV-LIGA技术在制备异形微喷嘴上的应用。应用UV-LIGA技术电铸出不同孔形的喷丝头底板,并采用激光焊接技术实现底板和冲压外框的整体成型。实验结果表明:以UV-LIGA技术替代LIGA技术加工的喷丝头微孔侧壁光洁,截面形状多样,孔形均一性好,加工成本低廉。

关键词： UV-LIGA 喷丝头电铸激光焊接技术

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一种非硅微加工技术制作的电热微驱动器

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传感器与微系统 2009年第8期28卷 118-120页

作者：张小波吴义伯王亚攀张丛春丁桂甫上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240

介绍了一种由非硅微加工技术制作的电热微驱动器。基于双金属效应,采用聚合物SU—8胶和金属镍作为功能材料和结构材料,铜为牺牲层材料制作电热微驱动器。利用ANSYS有限元分析软件进行仿真,模拟驱动位移随加热时间的变化关系,并由此得出... 详细信息

介绍了一种由非硅微加工技术制作的电热微驱动器。基于双金属效应,采用聚合物SU—8胶和金属镍作为功能材料和结构材料,铜为牺牲层材料制作电热微驱动器。利用ANSYS有限元分析软件进行仿真,模拟驱动位移随加热时间的变化关系,并由此得出驱动力的大小,比较结果后确定结构参数。再通过光刻、掩模电镀和牺牲层刻蚀等工艺,加工制作出了电热微驱动器样品,并对样品进行了观测和分析。

关键词：电热微驱动器聚合物 ANSYS仿真非硅微加工

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LaNiO_3缓冲层对Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜微结构和介电性能的影响

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上海交通大学学报 2009年第3期43卷 393-396页

作者：石金川张丛春侯捷杨春生饶瑞上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240

利用射频磁控溅射法,在Pt/Ti/SiO2/Si和LaNiO3/Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜.采用X-ray衍射（XRD）和原子力显微镜（AFM）,研究了两种衬底上BST薄膜样品的结晶性和表面形貌.结果表明：BST薄膜材料均为钙钛矿相,直接生... 详细信息

利用射频磁控溅射法,在Pt/Ti/SiO2/Si和LaNiO3/Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜.采用X-ray衍射（XRD）和原子力显微镜（AFM）,研究了两种衬底上BST薄膜样品的结晶性和表面形貌.结果表明：BST薄膜材料均为钙钛矿相,直接生长在硅衬底上的BST薄膜无择优取向,晶粒尺寸为20-30 nm,而LaNiO3缓冲层上生长的BST薄膜则为（100）择优取向,晶粒尺寸约为150-200 nm.室温下测试了薄膜的介电性能.研究结果表明,LNO缓冲层显著提高了BST薄膜的介电常数和介电可调率.

关键词：钛酸锶钡薄膜镍酸镧缓冲层射频磁控溅射介电性能

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基于PDMS纳米粒子改性的热模压技术

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功能材料与器件学报 2009年第5期15卷 441-446页

作者：汪鹏陈翔肖丽君朱军陈迪上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

介绍了一种采用纳米SiO2、TiO2改性聚二甲基硅氧烷(PDMS)的方法,研究了两种纳米材料SiO2、TiO2添加的比例对热压效果的影响及优化条件,并分析了其改性后的热膨胀系数及杨氏模量的变化,以及其改性后热压效果的提高进行了初步分析,最后用... 详细信息

介绍了一种采用纳米SiO2、TiO2改性聚二甲基硅氧烷(PDMS)的方法,研究了两种纳米材料SiO2、TiO2添加的比例对热压效果的影响及优化条件,并分析了其改性后的热膨胀系数及杨氏模量的变化,以及其改性后热压效果的提高进行了初步分析,最后用改性的PDMS材料,快速成型来制造热压模具,热压制作聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)微流控芯片。与常用的金属模具(如镍模具)相比,此方法具有脱模容易,工艺周期短,难度低,重复性好,价格低等优点。

关键词： PDMS改性纳米粒子热模压微流控

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基于高深宽比Si干法刻蚀参数优化

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微纳电子技术 2009年第12期46卷 750-754页

作者：陈少军李以贵上海交通大学微纳米科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240

为满足体硅MEMS制造工艺进一步发展的需要,对电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺参数进行了深入分析,着重分析了平板功率对Si干法刻蚀的影响。通过对Si干法刻蚀的主要工艺参数进行正交试验,得出了一组较为理想的刻蚀工艺参数:刻蚀气体SF6和... 详细信息

为满足体硅MEMS制造工艺进一步发展的需要,对电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺参数进行了深入分析,着重分析了平板功率对Si干法刻蚀的影响。通过对Si干法刻蚀的主要工艺参数进行正交试验,得出了一组较为理想的刻蚀工艺参数:刻蚀气体SF6和保护气体C4F8的流量均为13cm3·min-1,在一个周期内通入刻蚀气体SF6的时间为4s,通入钝化气体C4F8的时间为3s;线圈功率为400W,平板功率为110W。利用这组优化的工艺参数进行Si的干法刻蚀,所得到的微结构的深宽比将大于20∶1,同时侧壁垂直度能够很好地控制在90°±1°。

关键词：微机电系统电感耦合等离子体(ICP)刻蚀平板功率正交试验深宽比

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新型电流微调CMOS带隙基准源的设计

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半导体技术 2009年第9期34卷 919-922页

作者：吴日新戴庆元谢芳上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240

介绍了一个新型PTAT电流微调并具有关断模式的CMOS带隙基准源,通过数字控制信号逻辑的改变,可实现1.20～1.27V的基准输出。该带隙基准源采用TSMC0.18μm工艺进行电路和版图设计。仿真结果显示,在输出基准为1.24V的情况下,带隙基准源在-4... 详细信息

介绍了一个新型PTAT电流微调并具有关断模式的CMOS带隙基准源,通过数字控制信号逻辑的改变,可实现1.20～1.27V的基准输出。该带隙基准源采用TSMC0.18μm工艺进行电路和版图设计。仿真结果显示,在输出基准为1.24V的情况下,带隙基准源在-40～125℃,所有工艺角下的最大误差为23.07mV,其中tt工艺角下的温度系数为21×10-6/℃。电源电压为1.8V时,电源电流为63μA;关断模式下电流为93pA。10kHz的电源抑制比为44dB。

关键词： CMOS带隙基准电流微调关断模式

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新型宽带圆极化毫米波平面缝隙天线

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微波学报 2009年第3期25卷 18-21页

作者：宿智娟丁桂甫程吉凤黎滨洪上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细加工技术教育部重点实验室上海200030

研究了一种新型共面波导馈电的宽带圆极化毫米波平面缝隙天线。通过新型的短路微扰法实现了平面圆环形缝隙天线的单馈宽带圆极化,回波损耗(RL)≤-10dB时的实测阻抗带宽达到约20%,AR≤3时的实测轴比带宽约为21.2%,实测最大增益约为5.2dB... 详细信息

研究了一种新型共面波导馈电的宽带圆极化毫米波平面缝隙天线。通过新型的短路微扰法实现了平面圆环形缝隙天线的单馈宽带圆极化,回波损耗(RL)≤-10dB时的实测阻抗带宽达到约20%,AR≤3时的实测轴比带宽约为21.2%,实测最大增益约为5.2dB。实测结果与ANSOFTHFSS软件仿真结果基本吻合,表明了设计的合理性。

关键词：毫米波天线平面缝隙天线圆极化天线共面波导

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一种高线性度CMOS有源混频器的设计

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电子器件 2009年第5期32卷 867-870页

作者：蔡新午戴庆元吴日新上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240

设计了一个用于数字电视ZERO-IF结构接收机射频前端的CMOS下变频混频器。基于对有源混频器的噪声机制及线性度的物理理解,对传统的有源混频器电路采用电流注入技术,实现了增益,噪声和线性度折中。电路采用UMC0.18RFCMOS工艺实现,SSB噪... 详细信息

设计了一个用于数字电视ZERO-IF结构接收机射频前端的CMOS下变频混频器。基于对有源混频器的噪声机制及线性度的物理理解,对传统的有源混频器电路采用电流注入技术,实现了增益,噪声和线性度折中。电路采用UMC0.18RFCMOS工艺实现,SSB噪声系数为18dB,1/f噪声拐角频率100kHz。电压转换增益为5dB和8dB两档增益,输入1dB压缩点为0dBm,IIP3为15dBm(5dB增益),7dBm(8dB增益)。全差分电路在1.8V供电电压下的功耗不到7mW,可以满足数字电视零中频结构射频前端对高线性度、低闪烁噪声和可变增益的要求。

关键词： CMOS 射频集成电路下变频混频器数字电视接收机

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