检索结果-内蒙古大学图书馆

制备态Fe_(21)Ni_(79)/Cu/Fe_(21)Ni_(79)三明治薄膜的纵向巨磁阻抗效应

磁性材料及器件 2006年第2期37卷 14-17页

作者：商干兵周勇丁文余先育曹莹周志敏上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

采用直流电镀结合正胶光刻工艺制备了Fe21Ni79／Cu／Fe21Ni79三明冶薄膜，并在0．1-40MHz范围内研究了它的纵向巨磁阻抗效应特性。实验结果表明，Fe21Ni79／Cu／Fe21Ni79三明治薄膜有十分明显的纵向GMI效应，GMI先随外加磁场的增高而迅... 详细信息

采用直流电镀结合正胶光刻工艺制备了Fe21Ni79／Cu／Fe21Ni79三明冶薄膜，并在0．1-40MHz范围内研究了它的纵向巨磁阻抗效应特性。实验结果表明，Fe21Ni79／Cu／Fe21Ni79三明治薄膜有十分明显的纵向GMI效应，GMI先随外加磁场的增高而迅速增大，在Hext=0.96kA／m达到最大值后开始逐渐下降．在频率为1．2MHz，外加磁场为0．96kA／m时薄膜的纵向GMI最大值达到88．3％．

关键词： FeNi/Cu/FeNi三明治薄膜纵向巨磁阻抗效应各向异性场横向有效磁导率

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MEMS技术制作的螺线管微电感

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微细加工技术 2006年第5期 36-40页

作者：方东明周勇赵小林王西宁上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

考虑和分析了螺线管微电感的几何结构参数对微电感性能的影响,利用MEMS技术制作了四种不同几何结构的高性能射频螺线管微电感。这些微电感采用铜线圈,以减小线圈寄生电阻,且制作工艺简单,成本低,与IC相兼容。测试结果表明,微电感在较宽... 详细信息

考虑和分析了螺线管微电感的几何结构参数对微电感性能的影响,利用MEMS技术制作了四种不同几何结构的高性能射频螺线管微电感。这些微电感采用铜线圈,以减小线圈寄生电阻,且制作工艺简单,成本低,与IC相兼容。测试结果表明,微电感在较宽的工作频率范围内具有较高的Q值,在频率分别为6 GHz,4.4 GHz,5.8 GHz和5.6 GHz,微电感Q峰值为38,19.1,24.1和21.9,所对应的电感量为1.81 nH,1.07 nH,1.03 nH和1.17 nH。

关键词：螺线管电感微机电系统品质因素射频

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CoFeSiB/Cu/CoFeSiB多层膜的巨磁阻抗效应研究

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微纳电子技术 2006年第12期43卷 582-585页

作者：张桂林周勇周志敏上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

利用射频磁控溅射技术及微细加工技术制备了三明治结构的CoFeSiB/Cu/CoFeSiB多层膜,在频率l～40MHz下研究了多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应,结果表明曲折状三明治结构多层膜的巨磁阻抗效应比单层膜有较大的提高。在交流电流频率5MHz,... 详细信息

利用射频磁控溅射技术及微细加工技术制备了三明治结构的CoFeSiB/Cu/CoFeSiB多层膜,在频率l～40MHz下研究了多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应,结果表明曲折状三明治结构多层膜的巨磁阻抗效应比单层膜有较大的提高。在交流电流频率5MHz,外加直流磁场100Oe下巨磁阻抗变化率达17.3%。

关键词：巨磁阻抗 CoFeSiB/Cu/CoFeSiB 三明治薄膜曲折状结构微机电系统

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非硅表面微机械加工技术及其在微光机电系统中的应用

非硅表面微机械加工技术及其在微光机电系统中的应用

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中国光学学会2006年学术大会

作者：戴旭涵赵小林丁桂甫汪红蔡炳初薄膜与微细技术教育部重点实验室微米／纳米加工技术国家级重点实验室上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米／纳米加工技术国家级重点实验室上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米／纳米加工技术国家级重点实验室上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米／纳米加工技术国家级重点实验室上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米／纳米加工技术国家级重点实验室上海交通大学微纳科学技术研究院

微光机电系统（MOEMS）技术的出现让人们看到了光学系统微型化的现实可行性。虽然硅为基础的MOEMS技术借助IC工业的技术积累而占据一定优势,但是,更多的器件需要基于非硅材料制造,并且材料的特性往往起决定性作用,非硅基表面微加工技术...

微光机电系统（MOEMS）技术的出现让人们看到了光学系统微型化的现实可行性。虽然硅为基础的MOEMS技术借助IC工业的技术积累而占据一定优势,但是,更多的器件需要基于非硅材料制造,并且材料的特性往往起决定性作用,非硅基表面微加工技术与表面硅微加工技术具有很多相似之处,是一类借助于非硅基薄膜材料微细加工技术,通过叠层方式实现多层非硅三维微结构成型的加工技术,它为新型功能器件和微系统创新研究提供了更多的材料选择,能够显著拓展MOEMS技术的发展空间。

关键词：

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几种纳米加工技术的原理、特点及其应用

几种纳米加工技术的原理、特点及其应用

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2006第五届中国(国际)纳米科技西安研讨会

作者：赵保军王英张亚非上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030

纳米加工技术的发展将带来现代工业和社会文明的极大进步.本文从整体上介绍了基于传统半导体加工的纳米加工技术,纳米掩膜刻蚀加工技术,探针直接书写式纳米加工技术,纳米复制加工技术,以及其衍生的纳米加工技术的原理、特点及其应用.

关键词：纳米加工掩膜刻蚀浸笔纳米印刷微接触印刷纳米压印半导体加工

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金属基微型光纤定位夹及其在光电子器件封装耦合中的应用

金属基微型光纤定位夹及其在光电子器件封装耦合中的应用

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中国光学学会2006年学术大会

目前,在光电子器件的封装耦合中,广泛运用了被动定位对准(passive alignment)技术,采用硅V型槽实现光纤与光纤、光纤与管芯的低成本、高精度对准。但如何在对准后将光纤固定在V型槽内仍然存在问题。

关键词：金属基光电子器件定位夹

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场发射硅锥阵列的干法制备与研究

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微细加工技术 2006年第1期 56-60页

作者：王芸徐东吴茂松王莉钱开友叶枝灿蔡炳初上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030 Honey well公司上海传感器实验室上海200030

阐述了用于场发射压力传感器发射阴极的硅锥阵列的干法制备工艺,用反应离子刻蚀(RIE)的方法在76 mm(3 in.)的低阻硅片上制备出52个均匀分布的10×12的硅锥阵列,得到了曲率半径为25 nm^35 nm且具有良好一致性的尖锥。当阵列的场发射... 详细信息

阐述了用于场发射压力传感器发射阴极的硅锥阵列的干法制备工艺,用反应离子刻蚀(RIE)的方法在76 mm(3 in.)的低阻硅片上制备出52个均匀分布的10×12的硅锥阵列,得到了曲率半径为25 nm^35 nm且具有良好一致性的尖锥。当阵列的场发射起始电压为1.4 V/μm,场强为9.2 V/μm时,单个硅锥的发射电流达到8.3 nA,并且性能较为稳定。

关键词：硅锥干法刻蚀 RIE 场发射

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LB技术制备金纳米粒子单层膜

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微纳电子技术 2006年第2期43卷 85-88+106页

作者：曲鹏王英张亚非上海200030 上海交通大学DNA计算机交叉团队上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室

利用LB技术在Si(100)基片上制作了金纳米粒子单层膜,采用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对单层膜的表面形貌进行表征。实验结果表明,将表面压控制在22mN/m～26mN/m进行拉膜,可以得到大面积金纳米粒子的均匀致密单层膜。研究结... 详细信息

利用LB技术在Si(100)基片上制作了金纳米粒子单层膜,采用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对单层膜的表面形貌进行表征。实验结果表明,将表面压控制在22mN/m～26mN/m进行拉膜,可以得到大面积金纳米粒子的均匀致密单层膜。研究结果对于采用金纳米粒子单层膜构建DNA传感器和单电子器件方面具有重要的应用价值。

关键词：金纳米粒子 LB技术扫描电子显微镜原子力显微镜

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射频螺线管微电感的设计和仿真

射频螺线管微电感的设计和仿真

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第八届中国微米/纳米技术学术年会

作者：方东明赵小林王西宁周勇上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

为了获得高性能MEMS螺线管微电感,本文考虑了几何结构参数对微电感性能的影响,用HFSS软件对特定结构的微电感进行仿真,仿真结果与实验研制的测量结果基本相符.测试结果表明微电感在较宽的工作频率范围内具有高Q值,可以应用在无线通讯领域.

关键词：螺线管微电感 HFSS 品质因素射频微机电系统

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压电型微悬臂梁制备中RIE刻蚀硅工艺的研究

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微细加工技术 2006年第5期 47-50,54页

作者：董璐方华斌刘景全徐东徐峥谊蔡炳初上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030 Honeywell公司上海传感器实验室上海200030

介绍了一种压电型微悬臂梁的制作工艺流程,重点研究了其中硅的反应离子刻蚀(RIE)工艺,分析了工艺参数对刻蚀速率、均匀性和选择比的影响,提出通过适当调整气体流量、射频功率和工作气压,以加快刻蚀速率,改善均匀性,提高选择比。研究表明... 详细信息

介绍了一种压电型微悬臂梁的制作工艺流程,重点研究了其中硅的反应离子刻蚀(RIE)工艺,分析了工艺参数对刻蚀速率、均匀性和选择比的影响,提出通过适当调整气体流量、射频功率和工作气压,以加快刻蚀速率,改善均匀性,提高选择比。研究表明,在SF6流量为20 mL/min,射频功率为20 W,工作气压为8.00 Pa的工艺条件下,硅刻蚀速率可以提高到401 nm/min,75 mm(3 in.)基片范围内的均匀性为±3.85%,硅和光刻胶的刻蚀选择比达到7.80。为制备压电悬臂梁或其它含功能薄膜的微结构提供了良好的参考。

关键词：压电型微悬臂梁反应离子刻蚀刻蚀速度均匀性选择比

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