检索结果-内蒙古大学图书馆

功能材料与器件学报 2005年第4期11卷 419-422页

作者：陈吉安茅昕辉赵晓昱丁文曹莹周勇上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030 上海工程技术大学汽车工程学院上海200336

采用磁控溅射法在玻璃基底上制备了曲折状FeSiB/Cu/FeSiB三层膜结构,在1～40MHz范围内研究了FeSiB膜和Cu膜厚度对三层膜结构应力阻抗效应的影响.结果表明:高频下三层膜的应力阻抗效应随着其形变的增加近似线性增加,在自由端弯曲变形1mm... 详细信息

采用磁控溅射法在玻璃基底上制备了曲折状FeSiB/Cu/FeSiB三层膜结构,在1～40MHz范围内研究了FeSiB膜和Cu膜厚度对三层膜结构应力阻抗效应的影响.结果表明:高频下三层膜的应力阻抗效应随着其形变的增加近似线性增加,在自由端弯曲变形1mm、外加电场频率为25MHz时,应力阻抗效应达到-18.3%,在力敏传感器方面具有广阔的应用前景.

关键词：应力阻抗 FeSiB/Cu/FeSiB三层膜磁控溅射曲折状

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基于SU-8胶转子的非接触压电微马达

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微细加工技术 2005年第1期 63-66页

作者：杨斌刘景全周广华陈迪张金娅蔡炳初上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米纳米加工技术国家级重点实验室上海200030

研制了一种非接触压电微马达,通过阻抗分析仪对定子进行扫频测试,确定其共振频率,并且详细介绍了SU 8胶转子制作的工艺流程。利用转速仪比较不同形状和尺寸的转子在调频和调压下的转速,从而确立压电微马达的最优转子。转子半径为6mm,叶... 详细信息

研制了一种非接触压电微马达,通过阻抗分析仪对定子进行扫频测试,确定其共振频率,并且详细介绍了SU 8胶转子制作的工艺流程。利用转速仪比较不同形状和尺寸的转子在调频和调压下的转速,从而确立压电微马达的最优转子。转子半径为6mm,叶片宽度为6mm的三叶片转子转速最高为3569r/min。转子的启动电压和最高电压分别为8V和24V。

关键词： SU-8胶转子非接触压电微马达

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多层复杂结构准LIGA一体化加工工艺的研究

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微细加工技术 2005年第1期 75-78页

作者：姜勇陈文元赵小林丁桂甫倪志萍王志民上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米与纳米加工技术国家级重点实验室上海200030

准LIGA加工工艺通常只能加工单层准三维体。本研究采用SU 8胶准LIGA技术,解决了多层套刻、种子层和表面活化等技术难题,加工出了三维五层一体化复杂结构。实践证明,所提出的工艺实际可行,进一步拓展了准LIGA工艺的应用。

关键词：准LIGA SU-8胶套刻种子层表面活化

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FeSiB/Cu/FeSiB夹心薄膜巨磁阻抗效应研究

FeSiB/Cu/FeSiB夹心薄膜巨磁阻抗效应研究

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上海市真空学会成立20周年暨第九届学术年会

作者：周勇陈吉安杨春生高孝裕王明军张亚民上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室

研究了非晶FeSiB/Cu/FeSiB夹心薄膜在100kHz-40MHz范围内的巨磁阻抗效应(其大小用磁阻抗比表示)。当磁场和交流电流沿薄膜的纵向时,磁阻抗比随磁场的增大而增强,在磁场约1600A/m下达到最大值,然后随磁场的增大而下降到负的磁阻抗比。在... 详细信息

研究了非晶FeSiB/Cu/FeSiB夹心薄膜在100kHz-40MHz范围内的巨磁阻抗效应(其大小用磁阻抗比表示)。当磁场和交流电流沿薄膜的纵向时,磁阻抗比随磁场的增大而增强,在磁场约1600A/m下达到最大值,然后随磁场的增大而下降到负的磁阻抗比。在频率3MHz、磁场1600A/m时磁阻抗比达到最大值17.2%。磁阻抗比的最大值及负的磁阻抗比与夹心薄膜中磁各向异性轴的取向有关。另外,当磁场施加在薄膜的横向时,薄膜表现出负的磁阻抗比,在频率3MHz、磁场5600A/m时,磁阻抗比达-13.4%。

关键词： FeSiB/Cu/FeSiB夹心薄膜巨磁阻抗效应磁各向异性

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SU-8胶光刻工艺参数优化研究

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微细加工技术 2005年第3期 36-41,80页

作者：张晔陈迪张金娅倪智萍朱军刘景全上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

对基于SU-8胶的UV-LIGA技术进行了工艺优化,研究了光源波长和曝光时间对SU-8胶成型的影响。结果表明,光刻胶表面线宽变化随曝光时间增加先减少后增加,有一个极小值;侧壁角度先增加后减少,有一个极大值。通过优化光源波长、曝光时间以及... 详细信息

对基于SU-8胶的UV-LIGA技术进行了工艺优化,研究了光源波长和曝光时间对SU-8胶成型的影响。结果表明,光刻胶表面线宽变化随曝光时间增加先减少后增加,有一个极小值;侧壁角度先增加后减少,有一个极大值。通过优化光源波长、曝光时间以及显影时间三个主要工艺参数,可以获得侧壁角度为90.64°正角的300μm厚光刻胶微结构和侧壁角度为89.98°近似垂直的500μm厚光刻胶微结构。

关键词： UV-LIGA技术 SU-8胶高深宽比微结构

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微机械密码锁鉴码机构的UQS机理研究及其工艺实现

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新技术新工艺 2005年第5期 20-22页

作者：姜勇陈文元张卫平李胜勇上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米与纳米加工技术国家级重点实验室 200030

姜勇陈文元张卫平李胜勇微机械密码锁是一种用于重要场合的安全保险装置,其鉴码机构的设计基于UQS技术。从UQS的概念出发,研究了UQS的特性,得到了一个可行的编码算法。根据生成的编码,使用MEMS加工技术,“一体化”加工完成了基于UQS技... 详细信息

姜勇陈文元张卫平李胜勇微机械密码锁是一种用于重要场合的安全保险装置,其鉴码机构的设计基于UQS技术。从UQS的概念出发,研究了UQS的特性,得到了一个可行的编码算法。根据生成的编码,使用MEMS加工技术,“一体化”加工完成了基于UQS技术的齿轮鉴码机构。此齿轮鉴码机构对微机械密码锁的推广应用具有重要的意义。

关键词： UQS 微机械密码锁鉴码机构 MEMS

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FX2N可编程控制器温度检测与控制系统的设计

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微计算机信息 2005年第9S期21卷 61-63页

作者：陈远琪李胜勇赵堂忠张卫平广州白云山中药厂上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室中国网络通信集团公司湖北省分公司

本文介绍采用了一种FX2N可编程控制器对自动高速吸塑机发热砖模块进行温度检测与控制系统实现功能的设计。在温度控制输出过程中,采用PID控制器,对温度的采集数据进行计算,然后通过可编程控制器输出对发热砖模块间接控制,同时实现数字... 详细信息

本文介绍采用了一种FX2N可编程控制器对自动高速吸塑机发热砖模块进行温度检测与控制系统实现功能的设计。在温度控制输出过程中,采用PID控制器,对温度的采集数据进行计算,然后通过可编程控制器输出对发热砖模块间接控制,同时实现数字滤波、触发脉冲等功能。

关键词：可编程控制器温度检测控制 PID

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MEMS工艺微热管传热性能的定量分析

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电子机械工程 2005年第5期21卷 15-18页

作者：谢晓强戴旭涵赵小林丁桂甫蔡炳初薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海交通大学微科学技术研究院上海200030

介绍了一种基于硅体加工技术以及阳极键合技术的微热管阵列。通过两种传热模型对微热管的性能进行了分析。利用传统热管理论及经典传热理论对传热性能进行定量计算,将传热过程逐步分解并建立传热模型,对热管热阻进行估算。这种较简易的... 详细信息

介绍了一种基于硅体加工技术以及阳极键合技术的微热管阵列。通过两种传热模型对微热管的性能进行了分析。利用传统热管理论及经典传热理论对传热性能进行定量计算,将传热过程逐步分解并建立传热模型,对热管热阻进行估算。这种较简易的分析模型可为热管设计提供初步的参考结果。再利用有限元法以同样的参数来模拟热管传热过程以得到更加精确的热阻及热场分布结果,采用An-sys软件来进行有限元的分析。

关键词：硅微热管传热性能热阻

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碳纳米管场发射压力传感器结构设计与测试

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微细加工技术 2005年第2期 69-72页

作者：钱开友王芸叶枝灿颜丙勇徐东蔡炳初上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030

研制出了碳纳米管场发射压力传感器。在结构设计中提出了场发射压力传感器台阶双层阳极变形膜结构,计算机模拟证明,这种结构具有大量程与高灵敏度的优点。同时对这种结构的形变特性进行了实验测试,为传感器结构的整体尺寸设计提供了依... 详细信息

研制出了碳纳米管场发射压力传感器。在结构设计中提出了场发射压力传感器台阶双层阳极变形膜结构,计算机模拟证明,这种结构具有大量程与高灵敏度的优点。同时对这种结构的形变特性进行了实验测试,为传感器结构的整体尺寸设计提供了依据。最后对这种新型传感器的性能进行了测试,表明传感器的灵敏度为0.22μA/kPa(5kPa^101kPa)。

关键词：碳纳米管场发射压力传感器阳极变形膜计算机模拟

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反应离子刻蚀中的边缘效应及其补偿办法

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真空电子技术 2005年第2期18卷 41-44页

作者：谢晓强戴旭涵赵小林丁桂甫蔡炳初薄膜与微细技术教育部重点实验室微米纳米加工技术国家级重点实验室上海交通大学微纳科学技术研究院上海200030

在反应离子刻蚀中,可以通过提高刻蚀功率来提高反应离子刻蚀速率,但此时由于反应气体浓度分布的影响,Si片中央和边缘的刻蚀速率存在着明显的差异,刻蚀量偏差最多可达±15%以上。本文分析了反应离子刻蚀中不均匀性的产生机理,并通过... 详细信息

在反应离子刻蚀中,可以通过提高刻蚀功率来提高反应离子刻蚀速率,但此时由于反应气体浓度分布的影响,Si片中央和边缘的刻蚀速率存在着明显的差异,刻蚀量偏差最多可达±15%以上。本文分析了反应离子刻蚀中不均匀性的产生机理,并通过实验予以验证。进而提出了通过合理设计掩模图形,以减少边缘效应,从而得到均匀刻蚀结果的补偿方法。实验表明,这种补偿方法在刻蚀速率提高近3倍的同时,可以将不均匀性降至±5%以下,适用于对微结构的均匀性要求较高的场所。

关键词：反应离子刻蚀边缘效应补偿办法刻蚀速率不均匀性补偿方法浓度分布反应气体产生机理合理设计微结构实验 Si 掩模

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