检索结果-内蒙古大学图书馆

2020年全国微波毫米波会议

作者：李晨晨侯芳吴昊吴林晟毛军发上海交通大学高速电子系统设计与电磁兼容研究教育部重点实验室南京电子器件研究所

本文基于硅基MEMS工艺,设计并实现了单通道和双通道三维互连结构,由重布线层上的共面波导和微带线、微凸点阵列及硅通孔组成。仿真和测试数据吻合度较高。设计的单通道三维互连30 GHz时的插入损耗为0.4 d B,在微波频段内回波损耗均优于1... 详细信息

本文基于硅基MEMS工艺,设计并实现了单通道和双通道三维互连结构,由重布线层上的共面波导和微带线、微凸点阵列及硅通孔组成。仿真和测试数据吻合度较高。设计的单通道三维互连30 GHz时的插入损耗为0.4 d B,在微波频段内回波损耗均优于15 dB;双通道互连插损为0.84 dB,回损为9.7 dB,通道间隔离度优于20 dB。结果表明,所研制的三维互连结构具有低损耗和高隔离的优点,可广泛应用于硅基三维集成电子系统中。

关键词：硅基三维集成三维互连重布线层硅通孔微凸点

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

硅基MEMS IPD元件的设计与工艺研究

硅基MEMS IPD元件的设计与工艺研究

引用

2020年全国微波毫米波会议

作者：吴昊侯芳栾华凯李晨晨吴林晟南京电子器件研究所上海交通大学高速电子系统设计与电磁兼容研究教育部重点实验室

本文采用硅基MEMS工艺,设计并研制了基于硅通孔的IPD螺旋电感、MIM电容、薄膜电阻,设计和测试结果吻合程度较高,其中电感感值、电感Q值、电容容值、电阻阻值的设计、测试典型值的误差分别为3.5%、3.2%、1.6%、1.1%。结果表明,本文IPD元... 详细信息

本文采用硅基MEMS工艺,设计并研制了基于硅通孔的IPD螺旋电感、MIM电容、薄膜电阻,设计和测试结果吻合程度较高,其中电感感值、电感Q值、电容容值、电阻阻值的设计、测试典型值的误差分别为3.5%、3.2%、1.6%、1.1%。结果表明,本文IPD元件设计和硅基MEMS工艺之间具有良好的一致性,本文所采用的硅基MEMS IPD元件的设计和工艺方法可进一步用于硅基三维集成系统中。

关键词：硅基MEMS 集成无源器件硅通孔三维集成

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

集成电路碳纳米管互连建模与特性研究

引用

上海交通大学学报 2018年第10期52卷 1135-1141页

作者：唐旻吴林晟李晓春毛军发上海交通大学高速电子系统设计与电磁兼容研究教育部重点实验室上海200240

近年来,基于碳基材料的纳米尺度互连方案得到了人们的广泛关注,为下一代集成电路的互连技术提供了一种全新的解决途径.基于国内外在碳纳米互连建模和特性研究方面的进展,并结合本课题组取得的相关成果,对集成电路碳纳米管互连的等效电... 详细信息

近年来,基于碳基材料的纳米尺度互连方案得到了人们的广泛关注,为下一代集成电路的互连技术提供了一种全新的解决途径.基于国内外在碳纳米互连建模和特性研究方面的进展,并结合本课题组取得的相关成果,对集成电路碳纳米管互连的等效电路建模、时延特性以及热特性进行了系统的分析,并与传统铜互连进行了全面比较.最后对具有实用前景的碳纳米异质互连技术进行了简要介绍和展望.

关键词：碳纳米管石墨烯纳米带集成电路互连线过孔结构

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种新型缝隙同轴电缆的仿真设计

引用

科技创新与应用 2019年第6期9卷 107-108页

作者：陈佳星肖高标上海交通大学教育部高速电子系统设计与电磁兼容研究重点实验室上海200240

文章介绍一种工作在2.4GHz频率的新型缝隙同轴电缆,其特点是频带较宽,辐射场分布较均匀,可以应用在某些特定场合,例如相控阵失效单元监测和射频标签(RFID)读取。缝隙结构是蝴蝶结型,容易优化。仿真结果表明,该缝隙同轴电缆在2.4GHz处的... 详细信息

文章介绍一种工作在2.4GHz频率的新型缝隙同轴电缆,其特点是频带较宽,辐射场分布较均匀,可以应用在某些特定场合,例如相控阵失效单元监测和射频标签(RFID)读取。缝隙结构是蝴蝶结型,容易优化。仿真结果表明,该缝隙同轴电缆在2.4GHz处的频带宽度约500MHz。

关键词：缝隙同轴电缆近场辐射 HFSS仿真

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

微带线馈电型宽带介质谐振器滤波天线

微带线馈电型宽带介质谐振器滤波天线

引用

2019年全国天线年会

作者：郭胜杰吴林晟毛军发上海交通大学高速电子系统设计与电磁兼容研究教育部重点实验室

本文设计了一款具有滤波功能的微带线馈电型宽带介质谐振器天线（DRA）。从矩形DRA的场分布特点出发,提出了一种平行微带馈线结构用于激励其TE（0<δ≤1）基模,同时该微带馈线在带内可等效为电长度分别为2.0λ和2.5λ的传输线谐振器,... 详细信息

本文设计了一款具有滤波功能的微带线馈电型宽带介质谐振器天线（DRA）。从矩形DRA的场分布特点出发,提出了一种平行微带馈线结构用于激励其TE（0<δ≤1）基模,同时该微带馈线在带内可等效为电长度分别为2.0λ和2.5λ的传输线谐振器,与DRA共同构成了一款三阶介质谐振器滤波天线。测试所得该滤波天线以2.44 GHz为中心的-10 dB阻抗带宽为22.9%,带内可实现增益约6.5 dBi,同时具有较好的带内平坦度和频率选择特性。仿真与测试结果吻合良好。

关键词：介质谐振器天线滤波天线宽带微带馈电

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于蝙蝠算法的多层叠层贴片天线设计优化方法

基于蝙蝠算法的多层叠层贴片天线设计优化方法

引用

2019年全国天线年会

作者：邵子剑邱良丰张耀平上海交通大学高速电子系统设计与电磁兼容教育部重点实验室

本文提出了一种基于蝙蝠算法的多层叠层贴片天线设计优化方法。在原始蝙蝠算法的基础上,提出了改进的蝙蝠算法并与流行的粒子群算法进行了比较。将差分馈电引入叠层贴片天线来获得高交叉极化抑制度和对称稳定的方向图。以覆盖n77频段为... 详细信息

本文提出了一种基于蝙蝠算法的多层叠层贴片天线设计优化方法。在原始蝙蝠算法的基础上,提出了改进的蝙蝠算法并与流行的粒子群算法进行了比较。将差分馈电引入叠层贴片天线来获得高交叉极化抑制度和对称稳定的方向图。以覆盖n77频段为目标建立适应度函数,利用此方法对天线进行优化,所设计的双层和三层贴片天线原型分别达到了25.5%和34.9%的带宽。测试与仿真结果吻合良好,验证了设计方法的有效性。

关键词：差分天线宽带天线贴片天线蝙蝠算法

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种集成式磁电偶极子天线设计

一种集成式磁电偶极子天线设计

引用

2019年全国微波毫米波会议

作者：郭鸽吴林晟张跃平毛军发上海交通大学高速电子系统设计与电磁兼容研究教育部重点实验室

本文提出了一种用于集成封装的磁电偶极子天线。通过对磁偶极子进行多次折叠,该天线高度仅为0.072λ。中心频率为28GHz,相对带宽为13%,最大增益为5.36dBi。此外,该天线具有稳定的辐射方向图及较高的辐射效率。

关键词：集成天线低剖面磁电偶极子天线

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

短沟道FinFET器件电热耦合模型

短沟道FinFET器件电热耦合模型

引用

2019年全国微波毫米波会议

作者：康志辉唐旻普鹏飞孙寒玮上海交通大学教育部高速电子系统设计与电磁兼容研究重点实验室

金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)器件建模是半导体技术研究的重要课题,它在半导体器件设计和参数优化中发挥着重要作用。在传统器件的建模过程中,通常忽略了热效应对器件电特性的影响;而纳米级鳍式场效应晶体管(FinFET)器件自... 详细信息

金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)器件建模是半导体技术研究的重要课题,它在半导体器件设计和参数优化中发挥着重要作用。在传统器件的建模过程中,通常忽略了热效应对器件电特性的影响;而纳米级鳍式场效应晶体管(FinFET)器件自热效应非常突出,严重影响了器件的电流驱动能力。本文基于FinFET器件的短沟道效应电模型以及解析热模型,建立了FinFET的电热耦合模型。模型结果与实验数据吻合良好,揭示了自热效应对短沟道器件性能的显著影响。

关键词：鳍式场效应晶体管紧凑模型电热耦合自热效应

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种用于U型槽贴片天线的优化设计方法

一种用于U型槽贴片天线的优化设计方法

引用

2019年全国天线年会

作者：王伟唐旻张跃平吴林晟上海交通大学教育部高速电子系统设计与电磁兼容研究重点实验室

本文介绍了一种用于宽带贴片天线的快速优化设计方法。在矩形贴片上加开一个U型槽可以展宽天线的工作带宽,然而,传统的设计方法通过参数扫描进行结构优化,过程繁杂且耗时较长。通过采用基于耦合矩阵的方法对U型槽天线进行优化设计,在少... 详细信息

本文介绍了一种用于宽带贴片天线的快速优化设计方法。在矩形贴片上加开一个U型槽可以展宽天线的工作带宽,然而,传统的设计方法通过参数扫描进行结构优化,过程繁杂且耗时较长。通过采用基于耦合矩阵的方法对U型槽天线进行优化设计,在少数几次迭代后即可获得较好的天线性能,相对阻抗带宽达到21.1%,满足设计指标要求。

关键词：宽带天线 U型槽贴片天线耦合矩阵

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

纳米线结构的热解析模型研究

纳米线结构的热解析模型研究

引用

2019年全国微波毫米波会议

作者：普鹏飞唐旻毛军发上海交通大学教育部高速电子系统设计与电磁兼容研究重点实验室

随着集成电路的复杂度和集成度不断提高,电子元器件的特征尺寸不断缩减,热问题已经成为限制器件性能和寿命的关键因素。本文建立了纳电子器件的基本组成单元,即纳米线结构的热解析扩散模型。该模型充分考虑了纳米线结构中包括纳米线内... 详细信息

随着集成电路的复杂度和集成度不断提高,电子元器件的特征尺寸不断缩减,热问题已经成为限制器件性能和寿命的关键因素。本文建立了纳电子器件的基本组成单元,即纳米线结构的热解析扩散模型。该模型充分考虑了纳米线结构中包括纳米线内部、下方衬底和接触区在内的各关键部分的热传导效应。该模型与三维有限元方法的结果具有很好的吻合度,计算效率显著提高。

关键词：集成电路自热效应纳米线结构解析模型

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：