检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2023年第15期72卷 236-241页

作者：郭琳杨小帆程二建泮炳霖朱楚楚李世燕复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室上海200438

量子自旋液体是一种由于自旋阻挫直到零温都不能形成磁有序的新奇量子态,并且和高温超导密切相关,因此,能否通过压力或化学掺杂等方式在量子自旋液体材料中调控出超导态甚至高温超导是一个重要的物理问题.二维三角晶格稀土硫属化合物NaY... 详细信息

量子自旋液体是一种由于自旋阻挫直到零温都不能形成磁有序的新奇量子态,并且和高温超导密切相关,因此,能否通过压力或化学掺杂等方式在量子自旋液体材料中调控出超导态甚至高温超导是一个重要的物理问题.二维三角晶格稀土硫属化合物NaYbCh_(2)(Ch=O,S,Se)在比热、核磁共振、中子散射等实验中未出现长程磁有序,被认为可能具有量子自旋液体基态.本文研究了NaYbCh_(2)(Ch=Se,S,O)在压力下的电输运行为.对于NaYbSe_(2),当压力加到26.9 GPa时出现超导转变,表现出零电阻行为,其超导转变温度(Tc)约为5.6 K,并且直到45 GPa都保持基本不变,得出了其超导转变温度对压力的相图;对于NaYbS2,压力使其室温电阻从10 GPa下10^(11)Ω量级降低到67 GPa的10 Ω量级,然而其电阻随温度行为没有出现金属性,也没有发生超导转变;而对于NaYbO2,其从常压到60 GPa高压一直保持完全绝缘态,没有可观测的电阻.

关键词：量子自旋液体高压电输运

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半导体中超快过程的研究

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红外与毫米波学报 2005年第3期24卷 179-181页

作者：黄仕华李汐凌严陆昉复旦大学表面物理国家重点实验室上海200433

用飞秒脉冲激光技术研究了半导体中的超快过程.通过用超快光生电压谱对激光激发载流子的动量弛豫过程进行检测,得到在半导体硅中载流子的动量弛豫时间约为70飞秒,该过程与载流子与载流子的散射几率有关;对于锗硅量子点,由于载流子的散... 详细信息

用飞秒脉冲激光技术研究了半导体中的超快过程.通过用超快光生电压谱对激光激发载流子的动量弛豫过程进行检测,得到在半导体硅中载流子的动量弛豫时间约为70飞秒,该过程与载流子与载流子的散射几率有关;对于锗硅量子点,由于载流子的散射几率下降,使动量弛豫时间增加至130飞秒.用超快反射谱法测量了载流子的能量弛豫过程和扩散过程,用高能量激光激发得到载流子的能量弛豫时间约为几个皮秒,这与载流子与声子的散射几率密切相关;而用低能量激光激发可得到光生载流子的扩散时间约为1百皮秒量级.

关键词：飞秒脉冲激光半导体动量弛豫能量弛豫超快光生电压谱

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空间限制与应变对发光多孔硅喇曼光谱的影响

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物理学报 1994年第3期43卷 494-498页

作者：杨敏黄大鸣郝平海张甫龙侯晓远王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室

发光多孔硅的喇曼光谱在５２０ｃｍ￣（－１）附近呈现一锐峰，峰位的红移随多孔度的增大而增大采用微晶模型拟合喇曼谱的线形，发现除了光学声子的空间限制效应，硅单晶的应变对峰位的移动也有显著贡献。通过谱形的拟合估算了硅微粒的... 详细信息

发光多孔硅的喇曼光谱在５２０ｃｍ￣（－１）附近呈现一锐峰，峰位的红移随多孔度的增大而增大采用微晶模型拟合喇曼谱的线形，发现除了光学声子的空间限制效应，硅单晶的应变对峰位的移动也有显著贡献。通过谱形的拟合估算了硅微粒的应变，与已报道的Ｘ射线衍射结果相一致。在多孔硅的喇曼光诸中没有观察到起源于非晶硅的光散射信号。

关键词：多孔硅发光散射谱应变空间限制

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激光光声振动谱研究表面吸附

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红外与毫米波学报 1991年第4期10卷 247-251页

作者：胡长武朱昂如复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

报道在超真空系统中利用激光光声振动谱研究表面吸附的实验结果。通过振动谱在高背景气压下的可逆物理吸附及位相甄别法研究NH_3分子双层吸附生长机理等实例,展示出激光光声谱是一种较理想的表面吸附研究手段。

关键词：激光光声光谱表面吸附分子振动

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上海光源真空紫外角分辨光电子能谱束线设计(英文)

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光学精密工程 2007年第12期15卷 1844-1849页

作者：马德伟乔山张新夷封东来复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室上海200433

在上海光源上设计了一条光子能量覆盖5 ～140 eV的高通量、高分辨的真空紫外角分辨光电子能谱束线。本光束线采用准周期椭圆偏振波荡器光源,其周期长度为0 .32 m,周期数为14。单色仪采用Dragon型,分为覆盖5 ～32 eV的低能分支和25 ～140... 详细信息

在上海光源上设计了一条光子能量覆盖5 ～140 eV的高通量、高分辨的真空紫外角分辨光电子能谱束线。本光束线采用准周期椭圆偏振波荡器光源,其周期长度为0 .32 m,周期数为14。单色仪采用Dragon型,分为覆盖5 ～32 eV的低能分支和25 ～140 eV的高能分支。计算表明,当入射/出射狭缝开启宽度为5/5μm时,在整个能量扫描范围内,单色仪分辨率可以高达15 000 ～100 000 ,光学元件的面型误差对分辨率的影响最大。通量计算显示,样品处s偏振光子通量高达～1012phs/s。Shadow追迹模拟结果表明,设计的光束线具有很好的聚焦特性。

关键词：光束线设计真空紫外高分辨高通量

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近周期超晶格中的声学声子及其光散射特性

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物理学报 1997年第9期46卷 1863-1872页

作者：刘晓晗黄大鸣王兴军张春红朱海军蒋最敏王迅复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室

利用转移矩阵方法计算了近周期超晶格体系（包括有限周期数的超晶格、耦合超晶格、层厚起伏和层厚渐变的超晶格）中声学声子的喇曼散射谱．结果表明上述近周期超晶格的光散射特性与理想严格周期的体系和完全无序的体系都不相同，呈现出... 详细信息

利用转移矩阵方法计算了近周期超晶格体系（包括有限周期数的超晶格、耦合超晶格、层厚起伏和层厚渐变的超晶格）中声学声子的喇曼散射谱．结果表明上述近周期超晶格的光散射特性与理想严格周期的体系和完全无序的体系都不相同，呈现出许多独特的性质．对有限周期数的超晶格，由于边界的存在，喇曼谱中除了理想超晶格中存在的折叠声学声子峰（主峰）外，还会出现一系列等间距分布的卫星峰．对耦合超晶格体系，理想超晶格中存在的主峰将出现分裂．对层厚起伏变化的超晶格，主峰呈现非对称展宽，展宽主要出现在高波数端．计算结果和实验测得的谱线作了比较，特征是一致的．利用转移矩阵方法计算了近周期超晶格体系（包括有限周期数的超晶格、耦合超晶格、层厚起伏和层厚渐变的超晶格）中声学声子的喇曼散射谱．结果表明上述近周期超晶格的光散射特性与理想严格周期的体系和完全无序的体系都不相同，呈现出许多独特的性质．对有限周期数的超晶格，由于边界的存在，喇曼谱中除了理想超晶格中存在的折叠声学声子峰（主峰）外，还会出现一系列等间距分布的卫星峰．对耦合超晶格体系，理想超晶格中存在的主峰将出现分裂．对层厚起伏变化的超晶格，主峰呈现非对称展宽，展宽主要出现在高波数端．计算结果和实验?

关键词：近周期超晶格声学声子光散射半导体

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多孔硅结构与发光机理的非线性光学研究

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光学学报 1993年第5期13卷 388-392页

作者：王健蒋红兵王文澄郑家骠张甫龙郝平海候晓远王迅复旦大学三束材料改性国家重点实验室上海200433 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

最近的研究中,采用1.06μm超短脉冲光激发,在多孔硅表面观察到了有效的红外多光子激发的荧光发射.研究表明,这是一个增强的三阶非线性光学过程.本文利用其三阶非线性特性对具有强可见光发射的多孔硅结构进行了研究,结果显示晶体硅的各... 详细信息

最近的研究中,采用1.06μm超短脉冲光激发,在多孔硅表面观察到了有效的红外多光子激发的荧光发射.研究表明,这是一个增强的三阶非线性光学过程.本文利用其三阶非线性特性对具有强可见光发射的多孔硅结构进行了研究,结果显示晶体硅的各向异性特征在多孔硅中几乎被保留;此外,较强的激光激发导致的红外上转换荧光信号衰减过程被归结为与多孔硅表面氢的脱附有关.

关键词：多孔硅发光硅非线性光学

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用氢钝化Si(100)面抑制分子束处延界面的硼尖峰

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物理学报 1993年第12期42卷 1968-1973页

作者：卫星龚大卫杨小平吕宏强崔堑盛篪张翔九王迅王勤华陆昉孙恒慧复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 复旦大学物理系上海200433

采用一种新的简便的氢钝化方法,可以在Si(100)衬底表面获得稳定的钝化层。用俄歇电子能谱(AES),反射式高能电子衍射(RHEED),C-V和二次离子质谱(SIMS)等方法对衬底表面及其上面生长的分子束外延层进行检测,发现这种方法可以有效地防止衬... 详细信息

采用一种新的简便的氢钝化方法,可以在Si(100)衬底表面获得稳定的钝化层。用俄歇电子能谱(AES),反射式高能电子衍射(RHEED),C-V和二次离子质谱(SIMS)等方法对衬底表面及其上面生长的分子束外延层进行检测,发现这种方法可以有效地防止衬底表面被碳、氧沾污,降低退火温度至少200℃,并完全消除外延层与Si(100)衬底界面处的高浓度硼尖峰。在此基础上,结合衬底表面锗束处理的实验结果,对硼尖峰的主要来源是由于硅衬底表面的氧化层这一观点提供了新的有力证据。

关键词：氢钝化分子束外延硼尖峰钝化

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用脉冲激光沉积方法制备氮化铝薄膜

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中国激光 2001年第3期28卷 272-274页

作者：凌浩施维孙剑应质峰吴嘉达李富铭王康林丁训民复旦大学三束材料改性国家重点实验室上海200433 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

介绍了用脉冲激光沉积 (PLD)方法制备AlN薄膜的工作 ,在Si(10 0 )衬底上得到了光滑平整、透明度高的AlN薄膜 ,由实验结果拟合得到能隙宽度为 5 7eV。考察了衬底温度和退火温度的影响。

关键词：脉冲激光沉积氮化铝激光烧蚀薄膜

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非晶Ni_(88)P_(12)合金薄膜的表面形貌特征与晶化行为的研究

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物理学报 1997年第3期46卷 490-499页

作者：杨建树李和兴复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学化学系

采用化学镀的方法在３６３Ｋ和ｐ型Ｓｉ（１００）衬底上制得非晶Ｎｉ８８Ｐ１２合金薄膜．利用Ｘ射线衍射、Ｘ射线光电子能谱、扫描隧道显微镜和原子力显微镜对非晶合金薄膜及其经处理后形成的氧化态、还原态和晶态的结构、组分和表面... 详细信息

采用化学镀的方法在３６３Ｋ和ｐ型Ｓｉ（１００）衬底上制得非晶Ｎｉ８８Ｐ１２合金薄膜．利用Ｘ射线衍射、Ｘ射线光电子能谱、扫描隧道显微镜和原子力显微镜对非晶合金薄膜及其经处理后形成的氧化态、还原态和晶态的结构、组分和表面的形貌特征作了研究，并对它的晶化行为作了初步探讨．结果表明，非晶合金薄膜是由纳米级微粒聚集成微米级颗粒组成；在低于晶化温度条件下经氧化和还原处理后的薄膜表面晶化；在晶化过程中，合金薄膜的非晶纳米微粒转变为微晶后长大成晶粒，其表面结构光滑平坦。

关键词：非晶合金薄膜表面形貌晶化

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