检索结果-内蒙古大学图书馆

科学通报 2022年第1期67卷 6-7页

作者：周鹏复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

在大数据时代,各类数据的分析与预测日益重要.结合数据历史状态以实现预测,即数据的非马尔可夫过程(the non-Markov chain),更能凸显出大数据分析的优越性.从算法上说,非马尔可夫链的下一状态不仅与当前状态相关,还与上一状态转换到当... 详细信息

在大数据时代,各类数据的分析与预测日益重要.结合数据历史状态以实现预测,即数据的非马尔可夫过程(the non-Markov chain),更能凸显出大数据分析的优越性.从算法上说,非马尔可夫链的下一状态不仅与当前状态相关,还与上一状态转换到当前状态的路径相关.相对于马尔可夫链,非马尔可夫链更接近现实的物理世界,具有更高的预测准确度.此外,很多物理模型都遵守这一过程,如与时间相关的脑神经突触、环境相关的量子纠缠态和热力学过程等.

关键词：马尔可夫链大数据分析热力学过程矿物材料状态转换量子纠缠态大数据时代物理模型

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氮化镓电致发光谱及原位温度近场同测研究

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中国激光 2024年第17期51卷 213-219页

作者：康晓雪陈娜李韶颖刘真民刘书朋商娅娜黄伟卢红亮王廷云上海大学特种光纤与光接入网重点实验室上海200444 上海大学特种光纤与先进通信国际合作联合实验室上海200444 复旦大学微电子学院专用集成电路和系统国家重点实验室上海200433

温度及电致发光谱检测对于氮化镓(GaN)器件的可靠性表征至关重要。利用音叉原子力反馈和量子点修饰的光纤探针,对GaN材料微纳米区域的电致发光谱和原位温度进行近场同测研究。在音叉原子力反馈控制下,量子点光纤探针趋近GaN样品表面。... 详细信息

温度及电致发光谱检测对于氮化镓(GaN)器件的可靠性表征至关重要。利用音叉原子力反馈和量子点修饰的光纤探针,对GaN材料微纳米区域的电致发光谱和原位温度进行近场同测研究。在音叉原子力反馈控制下,量子点光纤探针趋近GaN样品表面。近场收集电致发光谱和探针针尖处量子点的荧光谱,依据量子点荧光谱峰位偏移与温度的线性关系,解调出样品表面微纳米区的原位温度。不同电压激励下GaN电致发光谱及温度同测结果表明:在0~12 V的激励电压范围内,当激励电压达到9 V时,GaN开始出现电致发光现象,电致发光谱峰强随着激励电压的升高而逐渐升高,中心峰位保持不变,且电致发光导致其自身阻抗特性发生变化,从而导致9~12 V激励电压范围内的GaN表面温度梯度明显高于0~9 V激励电压范围内的温度梯度。该方法实现了近场电致发光谱和温度的原位同测,为器件可靠性研究提供了新的测量手段。

关键词：量子点光纤探针氮化镓近场测温电致发光谱原位检测

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二维磁性材料与自旋系统研究进展

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真空科学与技术学报 2021年第9期41卷 850-864页

作者：周秀诚周鹏复旦大学微电子学院专用集成电路和系统国家重点实验室上海200433

自旋系统是一类基于电子自旋工作的器件,具有高速、低功耗等优点,其中磁存储器被认为是下一代存储器的领跑者之一。二维材料有着天然的界面性能优势,接近微缩极限的尺寸特点,以及二维结构带来的物理特性,在自旋系统中有望得到广泛运用... 详细信息

自旋系统是一类基于电子自旋工作的器件,具有高速、低功耗等优点,其中磁存储器被认为是下一代存储器的领跑者之一。二维材料有着天然的界面性能优势,接近微缩极限的尺寸特点,以及二维结构带来的物理特性,在自旋系统中有望得到广泛运用。本文概述了二维材料在自旋领域的最新研究进展,介绍了一些常见的二维磁性材料,讨论了基于二维材料的二维自旋器件,以及回顾了基于二维材料的磁性调控,最后总结了这一领域仍然面临的挑战,并对未来发展进行了展望。

关键词：微电子学与固体电子学二维材料综述自旋系统非易失性存储器磁性隧穿结全自旋逻辑自旋轨道耦合

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光刻机运动台控制方法研究进展

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激光与光电子学进展 2022年第9期59卷 35-47页

作者：姜龙滨丁润泽丁晨阳杨晓峰徐云浪复旦大学工程与应用技术研究院上海市超精密运动控制与检测工程研究中心上海200433 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

光刻机是支撑集成电路芯片制程不断减小的关键设备,而高性能的光刻机需要高加速度和高精度的运动台作为支撑。为了达到光刻机的各项工作指标,高性能的运动台控制方法必不可少。本文针对光刻机运动台的主流控制方法进行了梳理和介绍,首... 详细信息

光刻机是支撑集成电路芯片制程不断减小的关键设备,而高性能的光刻机需要高加速度和高精度的运动台作为支撑。为了达到光刻机的各项工作指标,高性能的运动台控制方法必不可少。本文针对光刻机运动台的主流控制方法进行了梳理和介绍,首先介绍了运动台的工作原理及基本控制架构,然后从前馈控制、反馈控制、冗余驱动/冗余测量等方面对运动台控制方法进行具体介绍,旨在为光刻机运动台控制方法的进一步发展提供参考。

关键词：光刻机运动台前馈控制反馈控制

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系统工程方法及其在先进半导体装备领域的应用

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激光与光电子学进展 2022年第9期59卷 427-437页

作者：殳峰许智磊何乐杨晓峰复旦大学工程与应用技术研究院上海200433 上海交通大学清源研究院上海200240 上海微电子装备(集团)股份有限公司上海201203 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

系统工程方法在国内外以航空航天、国防科技和船舶工程等为代表的复杂设备系统的研发中发挥了重要作用。针对以光刻机为代表的先进半导体装备的研发,发展和提升以正向设计引领、以系统工程方法为指导的自主创新和设计制造一体化能力显... 详细信息

系统工程方法在国内外以航空航天、国防科技和船舶工程等为代表的复杂设备系统的研发中发挥了重要作用。针对以光刻机为代表的先进半导体装备的研发,发展和提升以正向设计引领、以系统工程方法为指导的自主创新和设计制造一体化能力显得尤其重要。从系统工程的起源着手,介绍了系统工程的常见方法,并以半导体装备领域的应用为背景重点介绍了系统工程的工具链和基于模型的系统工程(MBSE)的部分关键技术。最后对系统工程方法,特别是对MBSE方法在我国半导体装备行业中的应用前景作了展望。

关键词：光学设计与制造系统工程基于模型的系统工程半导体装备信息物理系统

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钛表面氧化锌与纤连蛋白复合修饰应用于抗种植体周炎的研究

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无机材料学报 2021年第12期36卷 1316-1322,I0003-I0006页

作者：张大卫朱立远卢红亮王佐林同济大学口腔医学院同济大学附属口腔医院上海牙组织修复与再生工程技术研究中心上海200072 复旦大学微电子学院上海智能电子与系统研究院专用集成电路和系统国家重点实验室上海200433

种植体周炎会导致种植体周牙龈附着丧失、骨组织吸收,甚至种植体松动、脱落。本研究采用原子层沉积技术联合硅烷化修饰在钛表面制备氧化锌纳米薄膜和纤连蛋白复合涂层。选取种植体周炎相关致病菌伴放线聚集杆菌和牙龈卟啉单胞菌用作该... 详细信息

种植体周炎会导致种植体周牙龈附着丧失、骨组织吸收,甚至种植体松动、脱落。本研究采用原子层沉积技术联合硅烷化修饰在钛表面制备氧化锌纳米薄膜和纤连蛋白复合涂层。选取种植体周炎相关致病菌伴放线聚集杆菌和牙龈卟啉单胞菌用作该复合涂层抗菌效果的体外验证。同时,检测牙龈成纤维细胞在钛、氧化锌修饰钛及纤连蛋白与氧化锌复合修饰钛表面黏附、增殖及其相关基因的表达。在大鼠上颌第一磨牙位点通过注射细菌法建立种植体周炎模型,并比较不同材料的钛钉周围骨破坏范围和牙龈组织中的炎症程度。实验结果显示,该复合涂层对伴放线聚集杆菌和牙龈卟啉单胞菌的24 h抗菌率分别为80.9%和75.7%;牙龈成纤维细胞在复合修饰钛片表面展现出良好的黏附、增殖状态;在大鼠种植体周炎模型中,Micro-CT结果显示,纯钛钉周骨组织吸收为(1.14±0.71)mm,而经复合修饰的钛钉周围骨组织吸收仅为(0.37±0.28)mm。石蜡切片观察和qPCR定量检测结果显示,纯钛钉周牙龈及牙槽骨组织的炎症反应较重,而经复合修饰的钛钉周围组织炎症反应明显减轻。因此,该复合修饰可能在牙种植体防御细菌入侵、增强牙龈附着和降低牙龈炎症反应方面发挥作用。

关键词：钛氧化锌纤连蛋白种植体周炎

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不同晶向BiFeO3薄膜的表征及导电性研究

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功能材料 2020年第10期51卷 10001-10004,10027页

作者：刘少清复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

采用脉冲激光沉积技术,在(110)和(100)两种晶向的钛酸锶(SrTiO3)衬底上,先后异质外延生长钌酸锶(SrRuO3)氧化物底电极和铁酸铋(BiFeO3),形成BiFeO3/SrRuO3/SrTiO3结构的铁电薄膜。用原子力显微镜、压电力显微镜和XRD对BiFeO3薄膜进行微... 详细信息

采用脉冲激光沉积技术,在(110)和(100)两种晶向的钛酸锶(SrTiO3)衬底上,先后异质外延生长钌酸锶(SrRuO3)氧化物底电极和铁酸铋(BiFeO3),形成BiFeO3/SrRuO3/SrTiO3结构的铁电薄膜。用原子力显微镜、压电力显微镜和XRD对BiFeO3薄膜进行微观表征,分析其表面形貌、电畴结构和结晶程度。通过磁控溅射的方法生长Au上电极,测试两种晶向BiFeO3薄膜的电滞回线以及I-V特性曲线,通过对比发现(100)晶向的BiFeO3薄膜导电性更强;最后对I-V曲线进行拟合,综合分析证明不同晶向的铁酸铋薄膜导电性不同的主要原因是受膜内陷阱密度、结晶度和空间电荷限制导电机制的影响。

关键词：脉冲激光沉积铁酸铋铁电导电机制空间电荷限制导电

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模拟集成电路的仿真与优化方法概述

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微纳电子与智能制造 2021年第2期3卷 80-85页

作者：杨帆复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 复旦大学微电子学院上海201203

与数字集成电路不同,模拟集成电路的设计主要依靠电路仿真和人工经验来完成设计。模拟集成电路的仿真对于传统设计方法至关重要。随着机器学习和人工智能技术的发展,基于机器学习和人工智能的智能优化和自动化版图设计也逐渐发展起来。... 详细信息

与数字集成电路不同,模拟集成电路的设计主要依靠电路仿真和人工经验来完成设计。模拟集成电路的仿真对于传统设计方法至关重要。随着机器学习和人工智能技术的发展,基于机器学习和人工智能的智能优化和自动化版图设计也逐渐发展起来。本文介绍了模拟电路的仿真的发展历史及最新进展,以及基于机器学习和人工智能的智能优化和自动化版图设计的最新进展,最后展望模拟集成电路的仿真与优化的未来发展趋势。

关键词：分析建模优化模拟集成电路综述

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原子层淀积Si掺杂ZnO薄膜的光电性能研究

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淮北师范大学学报（自然科学版） 2022年第4期43卷 60-64页

作者：张远张永兴张金锋牟福生淮北师范大学物理与电子信息学院安徽淮北235000 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

文章对原子层淀积(ALD)Si掺杂ZnO(SZO)薄膜的结构、电学和光学性能进行研究.通过生长ZnO和SiO2叠层的方法得到不同硅(Si)掺杂浓度的SZO薄膜,XRD测量结果表明,SZO薄膜为多晶结构,AFM测量结果表明,掺杂后样品的表面粗糙度变小.随着Si掺杂... 详细信息

文章对原子层淀积(ALD)Si掺杂ZnO(SZO)薄膜的结构、电学和光学性能进行研究.通过生长ZnO和SiO2叠层的方法得到不同硅(Si)掺杂浓度的SZO薄膜,XRD测量结果表明,SZO薄膜为多晶结构,AFM测量结果表明,掺杂后样品的表面粗糙度变小.随着Si掺杂浓度的提高,SZO薄膜的载流子浓度先增大后减小,电阻率不断增大. SZO薄膜的可见光透射率在85%之上,光致发光谱表面SZO薄膜的发光以紫外光为主. ALD生长的SZO薄膜可以通过调整Si浓度对其光电性能进行精确调控,在透明导电薄膜、薄膜晶体管、紫外发光和探测器件方面有巨大的应用潜力.

关键词： Si掺杂 ZnO薄膜原子层淀积透光率光致发光

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TaN薄膜的等离子体增强原子层沉积及其抗Cu扩散性能

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材料研究学报 2019年第1期33卷 9-14页

作者：王永平丁子君朱宝刘文军丁士进专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子学院上海200433

使用Ta[N(CH3)2]5和NH3等离子体作为反物用等离子体增强原子层沉积工艺生长了TaN薄膜,借助原子力显微镜、X射线光电子能谱、四探针和X射线反射等手段研究了薄膜的性能与工艺条件之间的关系。结果表明,TaN薄膜主要由Ta、N和少量的C、O组... 详细信息

使用Ta[N(CH3)2]5和NH3等离子体作为反物用等离子体增强原子层沉积工艺生长了TaN薄膜,借助原子力显微镜、X射线光电子能谱、四探针和X射线反射等手段研究了薄膜的性能与工艺条件之间的关系。结果表明,TaN薄膜主要由Ta、N和少量的C、O组成。当衬底温度由250℃提高到325℃时Ta与N的原子比由46:41升高到55:35,C的原子分数由6%降低到2%。同时,薄膜的密度由10.9 g/cm3提高到11.6 g/cm3,电阻率由0.18Ω?cm降低到0.044Ω?cm。与未退火的薄膜相比,在400℃退火30 min后TaN薄膜的密度平均提高了～0.28 g/cm3,电阻率降低到0.12～0.029Ω?cm。在250℃生长的3 nm超薄TaN阻挡层在500℃退火30 min后仍保持良好的抗Cu扩散性能。

关键词：材料表面与界面原子层沉积扩散阻挡层退火 TaN薄膜

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