检索结果-内蒙古大学图书馆

长春工业大学学报 2022年第4期43卷 419-427页

作者：姜龙滨刘维珂杨晓峰复旦大学工程与应用技术研究院上海市超精密运动控制与检测工程研究中心上海200433 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

集成电路的持续发展推动了信息技术的进步。步进扫描式光刻机是集成电路装备中技术难度最高、价格最昂贵的关键设备。其中,精密运动台是光刻机最为核心的子系统之一,高速、高加速和高精度的要求对控制方法的研究和应用提出了挑战。文中... 详细信息

集成电路的持续发展推动了信息技术的进步。步进扫描式光刻机是集成电路装备中技术难度最高、价格最昂贵的关键设备。其中,精密运动台是光刻机最为核心的子系统之一,高速、高加速和高精度的要求对控制方法的研究和应用提出了挑战。文中对集成电路光刻机中精密运动台的控制方法进行了综述。首先,介绍了面向光刻机工件台或掩模台单一运动台的前馈反馈复合控制方法;其次,介绍了工件台和掩模台的同步控制方法;最后,介绍了运动台的主动减振控制方法。

关键词：光刻机迭代学习控制扰动观测器同步控制主动减振控制

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基于可信计算应用的双域椭圆曲线密码协处理器研究与实现

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微电子学与计算机 2020年第12期37卷 53-58页

作者：韩光陈光化曾为民刘晶晶上海大学机电工程与自动化学院上海200072 山东华翼微电子技术股份有限公司山东济南250101 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

为了增强可信计算应用中可信平台模块(Trusted Platform Module,TPM)的安全性,设计并实现了支持双有限域的椭圆曲线密码协处理器.核心点乘运算采用倍点-点加算法,既减小了芯片的面积又保证了运算速度;通过对移位寄存器的复用,以及结合... 详细信息

为了增强可信计算应用中可信平台模块(Trusted Platform Module,TPM)的安全性,设计并实现了支持双有限域的椭圆曲线密码协处理器.核心点乘运算采用倍点-点加算法,既减小了芯片的面积又保证了运算速度;通过对移位寄存器的复用,以及结合相乘和约减过程,大幅改善模乘算法的运算效率;将模逆算法中计算(x^-1)modp改进为(y*x^-1)modp,减少了逆运算后的额外模乘运算,降低了实现的复杂度.利用SystemC对算法进行建模,并与RTL电路相配合进行自动仿真,验证了改进算法电路的正确性,提高验证效率并大大减少研发周期.

关键词：可信计算平台模块椭圆曲线密码协处理器双有限域自动仿真

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氢元素对铟镓锌氧化物薄膜晶体管性能的影响

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物理学报 2018年第9期67卷 22-29页

作者：邵龑丁士进复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

对国际上有关铟镓锌氧化物薄膜晶体管中氢元素的来源、存在形式、表征方法以及对器件性能的影响进行了综述.氢元素是铟镓锌氧化物薄膜晶体管中最为常见的杂质元素,能以正离子和负离子两种形式存在于薄膜晶体管的沟道中,并对器件性能和... 详细信息

对国际上有关铟镓锌氧化物薄膜晶体管中氢元素的来源、存在形式、表征方法以及对器件性能的影响进行了综述.氢元素是铟镓锌氧化物薄膜晶体管中最为常见的杂质元素,能以正离子和负离子两种形式存在于薄膜晶体管的沟道中,并对器件性能和电学可靠性产生影响.对铟镓锌氧化物薄膜晶体管而言,沟道中氢元素浓度越高,其场效应迁移率越高、亚阈值摆幅越小、器件的电学稳定性也越好.同时,工艺处理温度过低或过高都不利于其器件性能的改善,通常以200—300?C为宜.

关键词：铟镓锌氧化物薄膜晶体管氢元素杂质电学可靠性

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超薄氧化铝层的电场调制效应（英文）

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红外与毫米波学报 2018年第6期37卷 693-698页

作者：徐大朋程佩红陈琳张卫复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

研究了基于高k介质材料的阻变存储器的写入/擦除(SET/RESET)特性和物理机制.研究发现基于NbAlO材料的阻变存储器SET/RESET电压具有较大波动性,通过结构优化,在Al_2O_3/NbAlO/Al_2O_3纳米薄片堆垛结构器件中获得高度稳定性的可重复的阻... 详细信息

研究了基于高k介质材料的阻变存储器的写入/擦除(SET/RESET)特性和物理机制.研究发现基于NbAlO材料的阻变存储器SET/RESET电压具有较大波动性,通过结构优化,在Al_2O_3/NbAlO/Al_2O_3纳米薄片堆垛结构器件中获得高度稳定性的可重复的阻变特性.基于电场调制效应,提出了一种统一的电阻开关模型去模拟阻变存储器的SET/RESET行为,并探讨了单层阻变薄膜的阻变存储器中由导电单元形成和湮灭的巨大随机性引起的阻变特性分布.当在NbAlO基阻变存储器中嵌入超薄Al_2O_3膜后,阻变存储器的SET/RESET电压稳定性将显著提升,其原因在于采用堆垛结构的阻变器件中各介质层中的电场重新分布并精确可控,因此导电细丝的导通/断裂通过电场调制作用稳定均匀地在发生在具有高电场的薄缓冲层介质层中.

关键词：电场调制阻变存储器原子层沉积

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铪基铁电薄膜及其隧道结存储器件研究

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湘潭大学学报（自然科学版） 2019年第5期41卷 78-84页

作者：察明扬陈佩瑶陈琳朱颢孙清清张卫复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室

在信息技术高度发达的今天,传统的信息存储技术正面临着诸多挑战,铁电隧道结等新兴存储器受到了越来越广泛的关注.基于氧化铪材料的铁电隧道结存储器具有读写快、能耗低、与传统CMOS工艺兼容等优势.该文制备了两种底电极的铪锆氧铁电隧... 详细信息

在信息技术高度发达的今天,传统的信息存储技术正面临着诸多挑战,铁电隧道结等新兴存储器受到了越来越广泛的关注.基于氧化铪材料的铁电隧道结存储器具有读写快、能耗低、与传统CMOS工艺兼容等优势.该文制备了两种底电极的铪锆氧铁电隧道结,测试其铁电特性和存储性能.其中采用铂为底电极的铪锆氧铁电隧道结不仅有较高的剩余极化强度和优秀的疲劳特性,并且在编程速度和响应时间上优于传统的铁电材料,展现出良好的应用前景.

关键词：存储器氧化铪铁电性铁电隧道结

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两路信号控制的液滴单向运输数字微流控芯片

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传感器与微系统 2019年第8期38卷 65-68页

作者：盛文洁王续博周嘉复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室

介质上的电润湿(EWOD)数字微流控芯片的设计中,随着电极数量的增加,需要更多的控制信号,引出导线的设计复杂程度将会显著增加。根据接触线理论,提出一种运输方向上非对称的电极设计,使液滴两侧的电极同时加电压时,施加在液滴两侧的电润... 详细信息

介质上的电润湿(EWOD)数字微流控芯片的设计中,随着电极数量的增加,需要更多的控制信号,引出导线的设计复杂程度将会显著增加。根据接触线理论,提出一种运输方向上非对称的电极设计,使液滴两侧的电极同时加电压时,施加在液滴两侧的电润湿力不平衡,液滴向指定方向驱动。该新型器件只需两个信号即可实现液滴长距离、大规模的单向运输。通过COMSOL仿真软件对器件在电压作用下液滴受力和运动情况进行了表征,并制作及测试芯片对其功能进行了验证。仿真和测试结果表明:通过两个驱动信号的重复交替,能够在一维路径上稳定地实现单向运输。

关键词：数字微流微液滴单向输运介质上的电润湿

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原子层刻蚀技术研究进展

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微纳电子与智能制造 2019年第1期1卷 47-56页

作者：卢红亮马宏平袁光杰张卫复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433 上海大学机电工程与自动化学院上海200444

随着现在集成电路技术的不断发展,构成芯片的核心器件尺寸在不断地缩小,芯片的加工制造变得越来越精细。主要综述了有望在纳米级芯片器件加工过程中发挥关键作用的原子层刻蚀(ALE)技术最近几年来的研究进展。首先介绍了晶体管尺寸进一... 详细信息

随着现在集成电路技术的不断发展,构成芯片的核心器件尺寸在不断地缩小,芯片的加工制造变得越来越精细。主要综述了有望在纳米级芯片器件加工过程中发挥关键作用的原子层刻蚀(ALE)技术最近几年来的研究进展。首先介绍了晶体管尺寸进一步缩小后,在刻蚀材料的选择性和物理化学反应的原子级控制方面面临的主要挑战;接着对ALE技术的基本原理进行了详细介绍;进一步重点概括了ALE技术在应用于微电子器件中的半导体薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜、金属薄膜的国内外研究成果。此外,还介绍了ALE技术应用在新型二维材料方面的进展情况。

关键词：原子层刻蚀纳米级集成电路晶体管

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基于Ni电极和ZrO_2/SiO_2/ZrO_2介质的MIM电容的导电机理研究

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物理学报 2017年第8期66卷 287-294页

作者：刘骐萱王永平刘文军丁士进复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

研究了基于Ni电极和原子层淀积的ZrO_2/SiO_2/ZrO_2对称叠层介质金属-绝缘体-金属(MIM)电容的电学性能.当叠层介质的厚度固定在14nm时,随着SiO_2层厚度从0增加到2nm,所得电容密度从13.1 fF/μm^2逐渐减小到9.3fF/μm^2,耗散因子从0.025... 详细信息

研究了基于Ni电极和原子层淀积的ZrO_2/SiO_2/ZrO_2对称叠层介质金属-绝缘体-金属(MIM)电容的电学性能.当叠层介质的厚度固定在14nm时,随着SiO_2层厚度从0增加到2nm,所得电容密度从13.1 fF/μm^2逐渐减小到9.3fF/μm^2,耗散因子从0.025逐渐减小到0.02.比较MIM电容的电流-电压(I-V)曲线,发现在高压下电流密度随着SiO_2厚度的增加而减小,在低压下电流密度的变化不明显,还观察到电容在正、负偏压下表现出完全不同的导电特性,在正偏压下表现出不同的高、低场I-V特性,而在负偏压下则以单一的I-V特性为主导.进一步对该电容在高、低场下以及电子顶部和底部注入时的导电机理进行了研究.结果表明,当电子从底部注入时,在高场和低场下分别表现出普尔-法兰克(PF)发射和陷阱辅助隧穿(TAT)的导电机理;当电子从顶部注入时,在高、低场下均表现出TAT导电机理.主要原因在于底电极Ni与ZrO_2之间存在镍的氧化层(NiO_x),且ZrO_2介质层中含有深浅两种能级陷阱(分别为0.9和2.3 eV),当电子注入的模式和外电场不同时,不同能级的陷阱对电子的传导产生作用.

关键词：金属-绝缘体-金属电容导电机理 ZrO2/SiO2/ZrO2叠层介质 Ni电极

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面向微电子应用的二维过渡金属硫族化合物制备进展

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科学通报 2017年第36期62卷 4237-4255页

作者：许浒廖付友郭仲勋郭晓娇周鹏包文中张卫复旦大学微电子学院专用集成电路和系统国家重点实验室上海200433

二维原子晶体材料所独有的结构特性带来了诸多优异的性质.与石墨烯相比,二维过渡金属硫族化合物(TMDs)拥有不同大小且可调控的带隙,在微电子和光电器件领域有着广阔的应用前景.本文对二维TMDs材料"自上而下"和"自下而上&... 详细信息

二维原子晶体材料所独有的结构特性带来了诸多优异的性质.与石墨烯相比,二维过渡金属硫族化合物(TMDs)拥有不同大小且可调控的带隙,在微电子和光电器件领域有着广阔的应用前景.本文对二维TMDs材料"自上而下"和"自下而上"的制备方法进行了总结,对比了机械剥离、液相剥离和化学气相沉积等常见制备技术,并归纳了各自的优缺点.同时基于未来晶圆级二维TMDs器件,重点介绍了化学气相沉积法及其面向应用需要解决的问题.最后总结了二维TMDs材料在微电子器件应用中的研究进展.

关键词：二维层状材料/二维原子晶体过渡金属硫族化合物二硫化钼化学气相沉积

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一种特殊数字滤波器的优化结构

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微电子学 2018年第4期48卷 429-432页

作者：张幸幸陆继承李夏禹俞军复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433 复旦大学微电子学院上海200433 上海复旦微电子集团股份有限公司上海200433

提出一种特殊数字滤波器的结构优化方案,可以简化滤波器结构、节省电路面积。将该方案应用于解调ISO/IEC 14443协议规定的PICC到PCD的副载波调制信号。在此基础上,改变子滤波器的位置,将长延迟链前移,减少了长延时链的数据位宽。综合结... 详细信息

提出一种特殊数字滤波器的结构优化方案,可以简化滤波器结构、节省电路面积。将该方案应用于解调ISO/IEC 14443协议规定的PICC到PCD的副载波调制信号。在此基础上,改变子滤波器的位置,将长延迟链前移,减少了长延时链的数据位宽。综合结果表明,该滤波器的面积仅为传统滤波器的50%。

关键词： FIR滤波器匹配滤波器 ISO/IEC14443协议

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