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作者

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语言

  • 96 篇 中文
检索条件"机构=上海复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室"
96 条 记 录,以下是11-20 订阅
排序:
集成电路光刻机精密运动台控制方法综述
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长春工业大学学报 2022年 第4期43卷 419-427页
作者: 姜龙滨 刘维珂 杨晓峰 复旦大学工程与应用技术研究院上海市超精密运动控制与检测工程研究中心 上海200433 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433
集成电路的持续发展推动了信息技术的进步。步进扫描式光刻机是集成电路装备中技术难度最高、价格最昂贵的关键设备。其中,精密运动台是光刻机最为核心的子系统之一,高速、高加速和高精度的要求对控制方法的研究和应用提出了挑战。文中... 详细信息
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基于可信计算应用的双域椭圆曲线密码协处理器研究与实现
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微电子学与计算机 2020年 第12期37卷 53-58页
作者: 韩光 陈光化 曾为民 刘晶晶 上海大学机电工程与自动化学院 上海200072 山东华翼微电子技术股份有限公司 山东济南250101 复旦大学微电子学院 专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203
为了增强可信计算应用中可信平台模块(Trusted Platform Module,TPM)的安全性,设计并实现了支持双有限域的椭圆曲线密码协处理器.核心点乘运算采用倍点-点加算法,既减小了芯片的面积又保证了运算速度;通过对移位寄存器的复用,以及结合... 详细信息
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氢元素对铟镓锌氧化物薄膜晶体管性能的影响
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物理学报 2018年 第9期67卷 22-29页
作者: 邵龑 丁士进 复旦大学微电子学院 专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433
对国际上有关铟镓锌氧化物薄膜晶体管中氢元素的来源、存在形式、表征方法以及对器件性能的影响进行了综述.氢元素是铟镓锌氧化物薄膜晶体管中最为常见的杂质元素,能以正离子和负离子两种形式存在于薄膜晶体管的沟道中,并对器件性能和... 详细信息
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超薄氧化铝层的电场调制效应(英文)
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红外与毫米波学报 2018年 第6期37卷 693-698页
作者: 徐大朋 程佩红 陈琳 张卫 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433
研究了基于高k介质材料的阻变存储器的写入/擦除(SET/RESET)特性和物理机制.研究发现基于NbAlO材料的阻变存储器SET/RESET电压具有较大波动性,通过结构优化,在Al_2O_3/NbAlO/Al_2O_3纳米薄片堆垛结构器件中获得高度稳定性的可重复的阻... 详细信息
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铪基铁电薄膜及其隧道结存储器件研究
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湘潭大学学报(自然科学版) 2019年 第5期41卷 78-84页
作者: 察明扬 陈佩瑶 陈琳 朱颢 孙清清 张卫 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室
在信息技术高度发达的今天,传统的信息存储技术正面临着诸多挑战,铁电隧道结等新兴存储器受到了越来越广泛的关注.基于氧化铪材料的铁电隧道结存储器具有读写快、能耗低、与传统CMOS工艺兼容等优势.该文制备了两种底电极的铪锆氧铁电隧... 详细信息
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两路信号控制的液滴单向运输数字微流控芯片
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传感器与微系统 2019年 第8期38卷 65-68页
作者: 盛文洁 王续博 周嘉 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室
介质上的电润湿(EWOD)数字微流控芯片的设计中,随着电极数量的增加,需要更多的控制信号,引出导线的设计复杂程度将会显著增加。根据接触线理论,提出一种运输方向上非对称的电极设计,使液滴两侧的电极同时加电压时,施加在液滴两侧的电润... 详细信息
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原子层刻蚀技术研究进展
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微纳电子与智能制造 2019年 第1期1卷 47-56页
作者: 卢红亮 马宏平 袁光杰 张卫 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433 上海大学机电工程与自动化学院 上海200444
随着现在集成电路技术的不断发展,构成芯片的核心器件尺寸在不断地缩小,芯片的加工制造变得越来越精细。主要综述了有望在纳米级芯片器件加工过程中发挥关键作用的原子层刻蚀(ALE)技术最近几年来的研究进展。首先介绍了晶体管尺寸进一... 详细信息
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基于Ni电极和ZrO_2/SiO_2/ZrO_2介质的MIM电容的导电机理研究
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物理学报 2017年 第8期66卷 287-294页
作者: 刘骐萱 王永平 刘文军 丁士进 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433
研究了基于Ni电极和原子层淀积的ZrO_2/SiO_2/ZrO_2对称叠层介质金属-绝缘体-金属(MIM)电容的电学性能.当叠层介质的厚度固定在14nm时,随着SiO_2层厚度从0增加到2nm,所得电容密度从13.1 fF/μm^2逐渐减小到9.3fF/μm^2,耗散因子从0.025... 详细信息
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面向微电子应用的二维过渡金属硫族化合物制备进展
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科学通报 2017年 第36期62卷 4237-4255页
作者: 许浒 廖付友 郭仲勋 郭晓娇 周鹏 包文中 张卫 复旦大学微电子学院专用集成电路和系统国家重点实验室 上海200433
二维原子晶体材料所独有的结构特性带来了诸多优异的性质.与石墨烯相比,二维过渡金属硫族化合物(TMDs)拥有不同大小且可调控的带隙,在微电子和光电器件领域有着广阔的应用前景.本文对二维TMDs材料"自上而下"和"自下而上&... 详细信息
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一种特殊数字滤波器的优化结构
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微电子学 2018年 第4期48卷 429-432页
作者: 张幸幸 陆继承 李夏禹 俞军 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433 复旦大学微电子学院 上海200433 上海复旦微电子集团股份有限公司 上海200433
提出一种特殊数字滤波器的结构优化方案,可以简化滤波器结构、节省电路面积。将该方案应用于解调ISO/IEC 14443协议规定的PICC到PCD的副载波调制信号。在此基础上,改变子滤波器的位置,将长延迟链前移,减少了长延时链的数据位宽。综合结... 详细信息
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