检索结果-内蒙古大学图书馆

半导体技术 2012年第3期37卷 184-187页

作者：杨颖琳胡成朱伦许鹏朱志炜张卫吴东平复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFET进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFET的栅极由两种不同功函... 详细信息

研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFET进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFET的栅极由两种不同功函数的材料组成,因而在两种材料界面附近的表面沟道中增加了一个电场峰值,相应地漏端电场比同质栅MOSFET有所降低,所以在提高沟道载流子输运效率的同时也降低了小尺寸器件的热载流子效应。此外,由于该器件靠近源极的区域对于漏压的变化具有屏蔽作用,从而有效抑制了小尺寸器件的沟道长度调制效应,但是由于其亚阈值特性与同质栅MOSFET相比较差,导致漏致势垒降低效应(DIBL)没有明显改善。

关键词：异质栅金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子效应表面电场表面势漏致势垒降低效应

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一种新型高速嵌入式动态随机存储器

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微电子学 2012年第1期42卷 50-53页

作者：臧松干王鹏飞林曦刘昕彦丁士进张卫复旦大学专用集成电路和系统国家重点实验室复旦大学微电子学系上海200433

基于二维器件模拟工具,研究了一种采用栅控二极管作为写操作单元的新型平面无电容动态随机存储器。该器件由一个n型浮栅MOSFET和一个栅控二极管组成。MOSFET的p型掺杂多晶硅浮栅作为栅控二极管的p型掺杂区,同时也是电荷存储单元。写&quo... 详细信息

基于二维器件模拟工具,研究了一种采用栅控二极管作为写操作单元的新型平面无电容动态随机存储器。该器件由一个n型浮栅MOSFET和一个栅控二极管组成。MOSFET的p型掺杂多晶硅浮栅作为栅控二极管的p型掺杂区,同时也是电荷存储单元。写"0"操作通过正向偏置二极管实现,而写"1"操作通过反向偏置二极管,同时在控制栅上加负电压使栅控二极管工作为隧穿场效应晶体管(Tunneling FET)来实现。由于正向偏置二极管和隧穿晶体管开启时接近1μA/μm的电流密度,实现了高速写操作过程,而且该器件的制造工艺与闪烁存储器和逻辑器件的制造兼容,因此适合在片上系统(SOC)中作为嵌入式动态随机存储器使用。

关键词：嵌入式动态随机存储器栅控二极管隧穿场效应晶体管

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家用微波人物传感器的应用研究及芯片模块设计

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复旦学报（自然科学版） 2011年第4期50卷 430-434,442页

作者：黄雄川纪新明黄宜平复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室微电子学系上海200433

对人或物体的存在和位置的探测是未来家居控制系统的必要环节.通过感知居民在室内的活动,家庭控制系统可以自动调节照明,空调,以及其他电器的运行状态,使家庭环境变得更人性化,并减少能源的浪费.选择多普勒雷达系统为出发点,探索了将人... 详细信息

对人或物体的存在和位置的探测是未来家居控制系统的必要环节.通过感知居民在室内的活动,家庭控制系统可以自动调节照明,空调,以及其他电器的运行状态,使家庭环境变得更人性化,并减少能源的浪费.选择多普勒雷达系统为出发点,探索了将人物探测功能集成在超大规模集成电路芯片上的可能性;并设计了基于BiCMOS工艺的60 GHz雷达接收机前端电路芯片,证明了微型低成本室内雷达传感器的可行性.与现有的超声波以及红外传感器相比,室内雷达传感器具有准确度高,传感器体积小,以及适合与传感器信号处理以及通信电路集成在同一块芯片上等优点,是今后室内任务探测器的发展方向之一.

关键词：微波传感器雷达室内人物探测无线电接收机

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基于Silicate-1型分子筛修饰的QCM类神经毒气传感器

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传感技术学报 2011年第3期24卷 317-320页

作者：彭晶姚伟纪新明胡元元刘全包宗明黄宜平复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系上海200433 复旦大学化学系上海200433

主要研究Silicate-1型纳米分子筛对类神经毒气有机气体甲基磷酸二甲酯(DMMP)的敏感特性,并结合高灵敏度的石英谐振天平(QCM)研制了DMMP气体传感器。采用Silicate-1型纳米分子筛作为敏感膜材料分别对不同浓度的DMMP气体进行检测。QCM传... 详细信息

主要研究Silicate-1型纳米分子筛对类神经毒气有机气体甲基磷酸二甲酯(DMMP)的敏感特性,并结合高灵敏度的石英谐振天平(QCM)研制了DMMP气体传感器。采用Silicate-1型纳米分子筛作为敏感膜材料分别对不同浓度的DMMP气体进行检测。QCM传感器随着气体浓度的增加,响应时间增加,气体吸附量增加;当DMMP浓度为50×10-6时,QCM响应频率为50 Hz。分别采用水汽,300×10-6 CO2和500×10-6 NH3作为干扰气体对该敏感膜材料选择性进行了研究,QCM的响应频率分别为178 Hz,28 Hz和15 Hz。采用交变电场作用下N2吹洗脱附,在60 s以内就可以达到85%以上的脱附率。

关键词：气敏传感器 Silicate-1分子筛 QCM DMMP

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高灵敏度小型化红外光声气体传感系统

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传感器与微系统 2011年第2期30卷 84-87页

作者：李俊纪新明周嘉包宗明黄宜平复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系上海200433

研制了一种高灵敏度小型化红外光声气体传感系统。该系统检测灵敏度高,对乙烯气体体积分数的检测限达到20×10-9以下。对光声信号和检测相位之间的关系进行了详细的研究,分析了光声信号中峰值相位变化的因素。结果表明:在固定相位... 详细信息

研制了一种高灵敏度小型化红外光声气体传感系统。该系统检测灵敏度高,对乙烯气体体积分数的检测限达到20×10-9以下。对光声信号和检测相位之间的关系进行了详细的研究,分析了光声信号中峰值相位变化的因素。结果表明:在固定相位延迟下利用锁相放大器检测光声信号可以获得比较高的灵敏度。同时根据对光声信号和相位延迟关系的研究,提出了小型化光声腔设计思路。

关键词：光声传感器小型化谐振式相位

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基板弯曲对P(VDF-TrFE)铁电薄膜电学性能的影响

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功能材料与器件学报 2011年第6期17卷 591-595页

作者：顾寅朱国栋蒋玉龙曾韡复旦大学材料科学系复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

近年来基于铁电聚合物的柔性存储器件的研制受到了越来越多的关注。铁电聚合物柔性应用的关键因素之一,在于基板弯对其电学性产生多大程度的影响,但迄今这方面的研究较少。本文研究了柔性基板弯曲对铁电聚合物薄膜电学性能的影响,通过... 详细信息

近年来基于铁电聚合物的柔性存储器件的研制受到了越来越多的关注。铁电聚合物柔性应用的关键因素之一,在于基板弯对其电学性产生多大程度的影响,但迄今这方面的研究较少。本文研究了柔性基板弯曲对铁电聚合物薄膜电学性能的影响,通过对铁电电容结构的表征,确定了基板弯曲对铁电膜矫顽场、剩余极化、电学保持能力、电学疲劳特性和漏电流特性的影响。研究表明,在本文实验条件下基板不会对铁电聚合物的电学性能产生影响。

关键词：铁电薄膜 P(VDF—TrFE) 柔性器件容变存储

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一种EPC Gen2 RFID标签时钟校准方法(英文)

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复旦学报（自然科学版） 2011年第4期50卷 395-401,409页

作者：杨松川罗恰嗣俞军复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433 电子科技大学微电子与固体电子学院成都610054

设计了一种对Gen2 RFID标签的振荡器产生的时钟信号进行校准的方法,以解决以下问题:因受到工艺偏差的影响,EPC Gen2 RFID标签的振荡器的时钟频率可能与设计时的标称值有偏差,导致标签不能满足协议的要求,或导致标签功耗过大性能下降.该... 详细信息

设计了一种对Gen2 RFID标签的振荡器产生的时钟信号进行校准的方法,以解决以下问题:因受到工艺偏差的影响,EPC Gen2 RFID标签的振荡器的时钟频率可能与设计时的标称值有偏差,导致标签不能满足协议的要求,或导致标签功耗过大性能下降.该方法设计了时钟校准命令的前导信号,命令代码和命令参数;并给出了读写器使用时钟校准命令对标签时钟频率进行逐次逼近的校准过程.该方法采用二进制权值开关电流源网络对标签振荡器的电流进行调节;该方法中的时钟校准命令信号与Gen2协议兼容,因此校准功能的实现可以复用协议处理的电路.实现了一个使用时钟校准方法Gen2标签的数字电路和电路验证系统,验证结果表明带有8位校准寄存器的电路可以把时钟偏差从50%校准到0.4%以内;同时实现了一个带锁相环的标签电路并模拟了校准过程.

关键词：射频身份识别超高频电子标签 EPC Gen2 时钟校准开关电流网络

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22nm技术节点异质栅MOSFETs的特性研究

22nm技术节点异质栅MOSFETs的特性研究

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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者： Yang Yinglin 杨颖琳 Hu Cheng 胡成 Zhu Lun 朱伦 Xu Peng 许鹏 Zhu Zhiwei 朱志炜 Zhang Wei 张卫 Wu Dongping 吴东平 State Key Laboratory of ASIC and System Dept.of MicroelectronicsFudan UniversityShanghai 200433Ch 复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

本文主要研究了22nm栅长的异质栅结构MOSFETs的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFETs的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFETs进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFETs的栅... 详细信息

本文主要研究了22nm栅长的异质栅结构MOSFETs的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFETs的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFETs进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFETs的栅极由两种不同功函数的材料组成,因而在两种材料界面附近的表面沟道中增加了一个电场峰值,相应地漏端电场比同质栅MOSFETs有所降低,所以在提高沟道载流子的输运效率的同时也降低了小尺寸器件的热载流子效应。此外,由于该器件靠近源极的区域对于漏压的变化具有屏蔽作用,从而有效抑制了小尺寸器件的沟道长度调制效应,但是由于其亚阈值特性与同质栅MOSFETs相比较差,导致漏致势垒降低效应(DIBL)没有明显改善。

关键词：金属氧化物半导体器件异质栅结构性能评价模拟分析

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改进的一维纵向光声腔仿真模型

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压电与声光 2010年第3期32卷 353-356页

作者：姚伟纪新明周嘉包宗明鲍敏杭黄宜平复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系上海200433

依据光声传感器的原理,改进了传输线理论,引入与谐振腔相连接的腔室、管道所引起的非理想因素,提出了一种更为完善的LC等效电路模型。利用此模型完成一维光声腔结构参数的理论分析和计算,通过与以前的模拟结果和实际测量数据进行对比可... 详细信息

依据光声传感器的原理,改进了传输线理论,引入与谐振腔相连接的腔室、管道所引起的非理想因素,提出了一种更为完善的LC等效电路模型。利用此模型完成一维光声腔结构参数的理论分析和计算,通过与以前的模拟结果和实际测量数据进行对比可知,新模型的模拟结果与实验结果拟合得更好,从而证明了新模型的合理性。

关键词：一维纵向光声腔 LC振荡电路微机电系统(MEMS)

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DMMP在纳米分子筛敏感薄膜中的解吸附特性

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传感器与微系统 2010年第1期29卷 21-23,29页

作者：姚伟纪新明周嘉包宗明鲍敏杭黄宜平复旦大学微电子学系专用集成电路及系统国家重点实验室上海200433

分子筛膜的脱附困难是制约纳米分子筛敏感膜传感器发展的主要技术瓶颈之一,传统的高温脱附和纯氮气吹洗的方法无法有效地使纳米分子筛膜得到再生。针对Silicalite—1,ZSM—5和Cu-ZSM—5 3种纳米分子筛,利用石英晶体微天平(QCM)技术,研... 详细信息

分子筛膜的脱附困难是制约纳米分子筛敏感膜传感器发展的主要技术瓶颈之一,传统的高温脱附和纯氮气吹洗的方法无法有效地使纳米分子筛膜得到再生。针对Silicalite—1,ZSM—5和Cu-ZSM—5 3种纳米分子筛,利用石英晶体微天平(QCM)技术,研究了氮气吹洗法、高温脱附法和高频交变电场脱附法对甲基磷酸二甲酯(DMMP)气体的脱附特性。结果显示:超声频交变电场脱附法可以使脱附时间从传统方法的20 min缩短到60 s以内,并达到85%以上的脱附率,使传感器的重复性很快得到再现。

关键词：纳米分子筛类神经毒气甲基磷酸二甲酯吸附与脱附

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