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主题

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机构

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作者

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语言

  • 96 篇 中文
检索条件"机构=上海复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室"
96 条 记 录,以下是51-60 订阅
排序:
一种单平面电极阵列结构的介质上电润湿数字微流控器件
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复旦学报(自然科学版) 2010年 第2期49卷 185-189页
作者: 赵平安 周嘉 刘冉 复旦大学微电子学系 专用集成电路及系统国家重点实验室上海200433
一种高介电常数(K=7.6~11.6)的有机铁电聚合物材料——偏氟乙烯与三氟乙烯共聚物首次作为介质层用于介质上电润湿效应的数字微流控器件.在30 V的外加电压下,液滴与器件间的固-液接触角可以从118°下降到75°,并且呈现明显的电... 详细信息
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具有激振和测振的新型压电微悬臂梁设计
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复旦学报(自然科学版) 2010年 第6期49卷 674-680,695页
作者: 王锡明 周嘉 黄宜平 合肥学院机械系 安徽合肥230022 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室微电子学系 上海200433
设计了几种新型压电微悬臂梁结构,目的是实现微悬臂梁同时具有激振和测振功能.设计的微悬臂梁尺寸(长×宽×厚)为860μm×300μm×2.11μm;设计了4种可以同时实现激振和测振功能的上电极形状;分析了上电极与信号传递函... 详细信息
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Ta2O5在Si(100)表面原子层沉积反应机理的密度泛函研究
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高等学校化学学报 2009年 第11期30卷 2279-2283页
作者: 任杰 周广芬 郭子成 张卫 河北科技大学理学院 石家庄050018 复旦大学微电子学系 专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433
采用密度泛函方法研究了以TaC l5和H2O作为前驱体在硅表面原子层沉积(ALD)Ta2O5的初始反应机理.Ta2O5的原子层沉积过程包括两个连续的"半反应",即TaC l5和H2O"半反应".两个"半反应"都经历了一个相似的吸... 详细信息
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N2和NH3退火对铪铝氧栅介质C-V特性的影响
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固体电子学研究与进展 2009年 第2期29卷 179-182,248页
作者: 施煜 刘晗 董琳 孙清清 丁士进 叶培德 张卫 复旦大学专用集成电路国家重点实验室 微电子学系上海200433 美国普度大学电气与计算机工程学院 美国印第安纳州47907
采用原子层淀积(ALD)的方法在Si(100)衬底上制备了铪铝氧(HfAlO)高介电常数介质,并研究了N2和NH3退火对于介质薄膜的影响。改变原子层淀积的工艺,制备了三组含有不同Al∶Hf原子比的铪铝氧(HfAlO)高介电常数介质。电容电压特性(C-V)测试... 详细信息
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CMOS器件中电荷泵过程的图解表示
CMOS器件中电荷泵过程的图解表示
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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议
作者: 黄新运 沈忱 黄大鸣 李名复 复旦大学微电子学系 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海 201203
在本工作中,我们定义了的快速和慢速两种陷阱,并用图解的方式直观地解释了电荷泵测量中出现的诸如脉冲上升下降时间相关现象,频率相关现象,快速与慢速成分与测量电压的关系以及几何效应对电荷泵测量结果的影响。结果表明,由于电子... 详细信息
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原子层淀积Nb2O5薄膜的光学特性表征
原子层淀积Nb2O5薄膜的光学特性表征
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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议
作者: 徐岩 刘晗 陈琳 孙清清 丁士进 张卫 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 复旦大学微电子学系上海200433
本文采用原子层淀积(ALD)的方法,以Nb(OEt)5和H2O为反应源,在Si(100)衬底上生长了4.2 nm的超薄Nb2O5薄膜。研究了不同温度下N2气氛中快速热退火对介质薄膜的厚度、折射率和禁带宽度的影响。结果表明,Nb2O5薄膜的折射率随退火温度的... 详细信息
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原子层淀积铪铝氧高K栅介质特性研究
原子层淀积铪铝氧高K栅介质特性研究
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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议
作者: 陈琳 孙清清 刘晗 徐岩 王鹏飞 张卫 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 复旦大学微电子学系上海200433
本文利用先进的原子层淀积技术在Si(100)衬底上制备了HfAlO3.5高k栅介质薄膜。在等效电学厚度4.1 nm 的情况下,样品呈现优良的C-V 特性曲线,以及较小的电压滞回窗口(小于10 mV)。在100 kHz下测定了Al/HfAlO3.5/Si(100) MOS 结构电... 详细信息
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低成本高可靠性NOR型Flash耐久性测试系统的研究与设计
低成本高可靠性NOR型Flash耐久性测试系统的研究与设计
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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议
作者: 孙鹏 彭丽花 李楠 郑国祥 曾(华) 复旦大学材料科学系 上海 200433 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海 200433 上海复旦微电子公司 上海 200433 复旦大学材料科学系 上海 200433
基于浮栅结构的NOR型Flash在进行长时间大量的读写操作后,会由于氧化层可靠性、读写干扰等问题,导致芯片出现耐久性缺陷。耐久性测试是Flash芯片测试中占用测试时间最长的测试过程,测试成本很高。本文在深入分析NOR型Flash耐久性缺... 详细信息
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基于表面等离子体效应的MEMS红外辐射源特性研究
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传感技术学报 2008年 第8期21卷 1352-1356页
作者: 王国勋 纪新明 周嘉 包宗明 鲍敏杭 黄宜平 复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系 上海200433
研究了一种新型的基于二维光子晶体结构的表面等离子体共振SPR(Surface plasmon resonance)效应的红外辐射源,该辐射源基本结构为Si-SiO2(650nm)-Cr(100nm)-Au(800nm),并在Au表面刻蚀5μm的周期性排列的圆孔。设计加工了几种不同的结构... 详细信息
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基于13X型沸石分子筛的类神经毒气传感器
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传感器与微系统 2008年 第2期27卷 86-88,92页
作者: 杨涓涓 任楠 周嘉 刘全 黄宜平 唐颐 复旦大学微电子学系专用集成电路及系统国家重点实验室 上海200433 复旦大学化学系 上海200433
研制了基于13X型分子筛阻抗型气体传感器,探测了神经类毒气沙林的相似物甲基磷酸二甲脂(DMMP)。通过交流电压对传感器进行激励,得到其交流阻抗谱的变化,从而实现对不同体积分数DMMP的检测。对0.2×10-6,0.4×10-6和1×10-6D... 详细信息
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