检索结果-内蒙古大学图书馆

复旦学报（自然科学版） 2010年第2期49卷 185-189页

作者：赵平安周嘉刘冉复旦大学微电子学系专用集成电路及系统国家重点实验室上海200433

一种高介电常数(K=7.6～11.6)的有机铁电聚合物材料——偏氟乙烯与三氟乙烯共聚物首次作为介质层用于介质上电润湿效应的数字微流控器件.在30 V的外加电压下,液滴与器件间的固-液接触角可以从118°下降到75°,并且呈现明显的电... 详细信息

一种高介电常数(K=7.6～11.6)的有机铁电聚合物材料——偏氟乙烯与三氟乙烯共聚物首次作为介质层用于介质上电润湿效应的数字微流控器件.在30 V的外加电压下,液滴与器件间的固-液接触角可以从118°下降到75°,并且呈现明显的电压极性相关性.基于此现象,设计并制作了新型的单平面电极阵列结构的数字微流控器件,简化了器件结构和工艺流程,整个工艺步骤可以与集成电路工艺兼容.新型器件成功实现了3μL的液滴的往返运输,工作电压只需20 V.

关键词：介质上电润湿数字微流控偏氟乙烯与i氟乙烯共聚物单平面电极阵列

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具有激振和测振的新型压电微悬臂梁设计

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复旦学报（自然科学版） 2010年第6期49卷 674-680,695页

作者：王锡明周嘉黄宜平合肥学院机械系安徽合肥230022 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室微电子学系上海200433

设计了几种新型压电微悬臂梁结构,目的是实现微悬臂梁同时具有激振和测振功能.设计的微悬臂梁尺寸(长×宽×厚)为860μm×300μm×2.11μm;设计了4种可以同时实现激振和测振功能的上电极形状;分析了上电极与信号传递函... 详细信息

设计了几种新型压电微悬臂梁结构,目的是实现微悬臂梁同时具有激振和测振功能.设计的微悬臂梁尺寸(长×宽×厚)为860μm×300μm×2.11μm;设计了4种可以同时实现激振和测振功能的上电极形状;分析了上电极与信号传递函数值的关系,并对微悬臂梁进行了静态响应、模态分析和谐响应分析.可以看到采用Ⅱ型上电极设计的微悬臂梁既可以实现激振和测振功能,同时具有最佳的静态灵敏度和较高的品质因子,为优化的设计结构.

关键词：压电微悬臂梁谐振传感器优化设计模拟锆钛酸铅

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Ta2O5在Si(100)表面原子层沉积反应机理的密度泛函研究

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高等学校化学学报 2009年第11期30卷 2279-2283页

作者：任杰周广芬郭子成张卫河北科技大学理学院石家庄050018 复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

采用密度泛函方法研究了以TaC l5和H2O作为前驱体在硅表面原子层沉积(ALD)Ta2O5的初始反应机理.Ta2O5的原子层沉积过程包括两个连续的"半反应",即TaC l5和H2O"半反应".两个"半反应"都经历了一个相似的吸... 详细信息

采用密度泛函方法研究了以TaC l5和H2O作为前驱体在硅表面原子层沉积(ALD)Ta2O5的初始反应机理.Ta2O5的原子层沉积过程包括两个连续的"半反应",即TaC l5和H2O"半反应".两个"半反应"都经历了一个相似的吸附中间体反应路径.通过H钝化和羟基预处理硅表面反应能量的比较发现,TaC l5在羟基预处理硅的表面反应是热力学和动力学都更加有利的反应.另外,从能量上看,H2O的"半反应"不容易向生成产物的方向进行.

关键词：密度泛函理论原子层沉积氧化钽

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N2和NH3退火对铪铝氧栅介质C-V特性的影响

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固体电子学研究与进展 2009年第2期29卷 179-182,248页

作者：施煜刘晗董琳孙清清丁士进叶培德张卫复旦大学专用集成电路国家重点实验室微电子学系上海200433 美国普度大学电气与计算机工程学院美国印第安纳州47907

采用原子层淀积(ALD)的方法在Si(100)衬底上制备了铪铝氧(HfAlO)高介电常数介质,并研究了N2和NH3退火对于介质薄膜的影响。改变原子层淀积的工艺,制备了三组含有不同Al∶Hf原子比的铪铝氧(HfAlO)高介电常数介质。电容电压特性(C-V)测试... 详细信息

采用原子层淀积(ALD)的方法在Si(100)衬底上制备了铪铝氧(HfAlO)高介电常数介质,并研究了N2和NH3退火对于介质薄膜的影响。改变原子层淀积的工艺,制备了三组含有不同Al∶Hf原子比的铪铝氧(HfAlO)高介电常数介质。电容电压特性(C-V)测试表明,薄膜的积累电容密度随着薄膜中Al∶Hf原子比的减少而增加。实验表明,用N2和NH3对样品进行淀积后退火,可以减小等效电容厚度(CET)、降低固定正电荷密度以及减小滞回电压,从而有效地提高了介质薄膜的电学特性。

关键词：铪铝氧介质原子层淀积淀积后退火电容-电压特性

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CMOS器件中电荷泵过程的图解表示

CMOS器件中电荷泵过程的图解表示

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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

作者：黄新运沈忱黄大鸣李名复复旦大学微电子学系复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海 201203

在本工作中，我们定义了的快速和慢速两种陷阱，并用图解的方式直观地解释了电荷泵测量中出现的诸如脉冲上升下降时间相关现象，频率相关现象，快速与慢速成分与测量电压的关系以及几何效应对电荷泵测量结果的影响。结果表明，由于电子... 详细信息

在本工作中，我们定义了的快速和慢速两种陷阱，并用图解的方式直观地解释了电荷泵测量中出现的诸如脉冲上升下降时间相关现象，频率相关现象，快速与慢速成分与测量电压的关系以及几何效应对电荷泵测量结果的影响。结果表明，由于电子和空穴的俘获截面不对称，并且测量到的电荷泵电流是由捕获截面较小的电子或者空穴陷阱决定，所以慢速陷阱的电荷泵测量中含有动态过程和稳态过程。

关键词：电荷泵浦界面态偏压温度不稳定性氧化层电荷几何效应空穴陷阱

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原子层淀积Nb2O5薄膜的光学特性表征

原子层淀积Nb2O5薄膜的光学特性表征

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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

作者：徐岩刘晗陈琳孙清清丁士进张卫复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子学系上海200433

本文采用原子层淀积(ALD)的方法，以Nb(OEt)5和H2O为反应源，在Si(100)衬底上生长了4.2 nm的超薄Nb2O5薄膜。研究了不同温度下N2气氛中快速热退火对介质薄膜的厚度、折射率和禁带宽度的影响。结果表明，Nb2O5薄膜的折射率随退火温度的... 详细信息

本文采用原子层淀积(ALD)的方法，以Nb(OEt)5和H2O为反应源，在Si(100)衬底上生长了4.2 nm的超薄Nb2O5薄膜。研究了不同温度下N2气氛中快速热退火对介质薄膜的厚度、折射率和禁带宽度的影响。结果表明，Nb2O5薄膜的折射率随退火温度的升高而减小;薄膜禁带宽度随退火温度的增大而增大。没有退火的样品的禁带宽度为3.41 eV，当退火温度上升至800 °C时，其禁带宽度增大至3.81 eV。在800 °C退火后导致界面层的形成，其厚度达1.6 nm。这是由于在高温退火过程中，衬底的Si原子与Nb2O5介质发生反应，在界面处形成了Nb-Si-O组分。

关键词：原子层淀积光学特性禁带宽度介质薄膜

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原子层淀积铪铝氧高K栅介质特性研究

原子层淀积铪铝氧高K栅介质特性研究

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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

作者：陈琳孙清清刘晗徐岩王鹏飞张卫复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子学系上海200433

本文利用先进的原子层淀积技术在Si（100）衬底上制备了HfAlO3.5高k栅介质薄膜。在等效电学厚度4.1 nm 的情况下，样品呈现优良的C-V 特性曲线，以及较小的电压滞回窗口(小于10 mV)。在100 kHz下测定了Al/HfAlO3.5/Si(100) MOS 结构电... 详细信息

本文利用先进的原子层淀积技术在Si（100）衬底上制备了HfAlO3.5高k栅介质薄膜。在等效电学厚度4.1 nm 的情况下，样品呈现优良的C-V 特性曲线，以及较小的电压滞回窗口(小于10 mV)。在100 kHz下测定了Al/HfAlO3.5/Si(100) MOS 结构电容的高频C-V 特性曲线，利用Terman方法获得了Si 禁带中央附近的界面态密度为5×1011 cm-2eV-1 到1×1012 cm-2eV-1之间，并用Hill-Coleman 测量方法进行了验证。研究了1 kHz到100 kHz HfAlO3.5 高k栅介质的频率耗散特性，发现由于寄生电阻的关系，随着频率的上升，其MOS 电容密度从0.73 μF/cm2 下降到 0.71 μF/cm2。研究表明，利用原子层淀积方法制备的HfxAlyOz复合介质材料在CMOS栅介质中有良好的应用前景。

关键词：铪铝氧介质薄膜高k栅介质原子层淀积等效电学厚度频率耗散特性寄生电阻金属氧化物半导体

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低成本高可靠性NOR型Flash耐久性测试系统的研究与设计

低成本高可靠性NOR型Flash耐久性测试系统的研究与设计

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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

作者：孙鹏彭丽花李楠郑国祥曾(华) 复旦大学材料科学系上海 200433 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海 200433 上海复旦微电子公司上海 200433 复旦大学材料科学系上海 200433

基于浮栅结构的NOR型Flash在进行长时间大量的读写操作后，会由于氧化层可靠性、读写干扰等问题，导致芯片出现耐久性缺陷。耐久性测试是Flash芯片测试中占用测试时间最长的测试过程，测试成本很高。本文在深入分析NOR型Flash耐久性缺... 详细信息

基于浮栅结构的NOR型Flash在进行长时间大量的读写操作后，会由于氧化层可靠性、读写干扰等问题，导致芯片出现耐久性缺陷。耐久性测试是Flash芯片测试中占用测试时间最长的测试过程，测试成本很高。本文在深入分析NOR型Flash耐久性缺陷机理的基础上，对Flash存储器耐久性测试方法进行了研究，设计了一种成本相对较低但可靠性很高的NOR型Flash耐久性测试与评估系统，该系统基于FPGA，可对待测芯片进行各种可编程的测试图形的耐久性读写测试，可实现长达100小时的稳定的可靠性读写实验，集成了对测试结果的定位、统计与评估，大大降低了测试成本。

关键词：耐久性测试浮栅结构读写操作芯片测试

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基于表面等离子体效应的MEMS红外辐射源特性研究

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传感技术学报 2008年第8期21卷 1352-1356页

作者：王国勋纪新明周嘉包宗明鲍敏杭黄宜平复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系上海200433

研究了一种新型的基于二维光子晶体结构的表面等离子体共振SPR(Surface plasmon resonance)效应的红外辐射源,该辐射源基本结构为Si-SiO2(650nm)-Cr(100nm)-Au(800nm),并在Au表面刻蚀5μm的周期性排列的圆孔。设计加工了几种不同的结构... 详细信息

研究了一种新型的基于二维光子晶体结构的表面等离子体共振SPR(Surface plasmon resonance)效应的红外辐射源,该辐射源基本结构为Si-SiO2(650nm)-Cr(100nm)-Au(800nm),并在Au表面刻蚀5μm的周期性排列的圆孔。设计加工了几种不同的结构,包括三种不同的圆孔间距即晶格常数:6μm,7μm,和8μm;四种占空比(圆孔直径与晶格常数之比):3/8,4/8,9/16和11/16;以及三种圆孔排列方式:正方形排列,六边型排列,和带规则缺陷六边型排列。本文采用红外傅立叶测量设备对辐射源进行测试分析,通过该辐射源的红外反射谱表征其辐射性能,并利用FDTD软件进行模拟,和实验数据作了比较。研究结果得出了红外辐射源反射谱波谷位置即SPR共振峰位置,波谷强度即SPR共振峰强度与不同结构参数之间的关系。研究发现该辐射源SPR共振峰位置基本与圆孔间距即晶格常数成正比,正方型排列基本接近于1:1,而六边型排列基本接近于3/2;常规六边型排列比带缺陷六边型排列和正方型排列具有更窄的半波宽和更大的SPR共振强度;随着占空比变大,该辐射源的SPR共振峰强度变大。

关键词：表面等离子体效应 MEMS红外辐射源光子晶体

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基于13X型沸石分子筛的类神经毒气传感器

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传感器与微系统 2008年第2期27卷 86-88,92页

作者：杨涓涓任楠周嘉刘全黄宜平唐颐复旦大学微电子学系专用集成电路及系统国家重点实验室上海200433 复旦大学化学系上海200433

研制了基于13X型分子筛阻抗型气体传感器,探测了神经类毒气沙林的相似物甲基磷酸二甲脂(DMMP)。通过交流电压对传感器进行激励,得到其交流阻抗谱的变化,从而实现对不同体积分数DMMP的检测。对0.2×10-6,0.4×10-6和1×10-6D... 详细信息

研制了基于13X型分子筛阻抗型气体传感器,探测了神经类毒气沙林的相似物甲基磷酸二甲脂(DMMP)。通过交流电压对传感器进行激励,得到其交流阻抗谱的变化,从而实现对不同体积分数DMMP的检测。对0.2×10-6,0.4×10-6和1×10-6DMMP气体分别进行了检测,在1×10-6时(频率为0.01 Hz)电阻的相对变化可达13.2%;同时,分别采用13X型和Cu-β型分子筛作为敏感膜对1×10-6DMMP,100×10-6CO2和饱和蒸汽压下的乙醇气体进行了选择性比较实验。实验表明:基于13X型分子筛膜传感器对DMMP的探测有较好的灵敏度和选择性。

关键词：分子筛气体传感器甲基磷酸二甲脂选择性

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