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作者

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语言

  • 96 篇 中文
检索条件"机构=上海复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室"
96 条 记 录,以下是61-70 订阅
排序:
利用喷墨打印技术制备的类神经气体传感器
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传感技术学报 2008年 第3期21卷 385-387页
作者: 杨涓涓 王聪 王金意 周嘉 蔡文斌 黄宜平 复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室 微电子学系上海200433 复旦大学化学系 上海市分子催化和功能材料重点实验室上海200433
利用喷墨打印技术沉积生物高分子溶液的方法,打印出金的梳状微电极的阵列图形,并采用NaX型沸石分子筛作为敏感膜,研制了探测神经类毒气沙林的相似物DMMP气体的阻抗型传感器。电极图形使用简单的绘图软件autoCAD画出,通过简单改进过的办... 详细信息
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三维神经微电极阵列新制作技术研究
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传感技术学报 2008年 第4期21卷 553-555页
作者: 吕尊实 周嘉 黄宜平 是慧芳 复旦大学微电子学系专用集成电路及系统国家重点实验室 上海200433 中国科学院上海技术物理研究所 上海200083
尝试了一种低成本的三维微电极阵列微加工的新方法。玻璃划片形成的柱状阵列,经掩膜腐蚀后形成阳模板,再利用PDMS的微复制技术形成阴模板。利用阴模板进行电镀,可以得到三维微电极阵列。制作的铜电极阵列高度约180μm,为制作更长的神经... 详细信息
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VDMOS器件贴片工艺中气泡的形成机制与影响
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半导体技术 2007年 第5期32卷 436-439页
作者: 潘少辉 何伦文 汪礼康 张卫 复旦大学微电子学系专用集成电路国家重点实验室 上海200433
功率MOS管的封装贴片工艺会在贴片层中引入气泡,从而严重降低器件的机械性能、热性能和电学性能。本研究就VDMOS管D-PAK封装模式,给出了贴片工艺中气泡的产生机制及其影响,并利用FEA方法建立了其D-PAK封装的热学模型。根据模拟结果,在... 详细信息
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氢离子注入GaAs晶片表面剥离机理
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功能材料与器件学报 2007年 第1期13卷 59-62,67页
作者: 郭育林 倪敏璐 周嘉 竺士炀 黄宜平 复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系 上海200433
为了更深入的了解GaAs经氢离子注入后的剥离特性,实验研究了GaAs晶片经6×1016/cm2剂量氢离子以不同能量注入,再经过不同温度和不同时间的退火过程后,晶片表面的剥离情况。研究表明:注入能量小的晶片较容易表面剥离,当注入能量大到... 详细信息
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A Three-Stage Operational Amplifier for a Wide Range of Capacitive Loads
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Journal of Semiconductors 2007年 第11期28卷 1685-1689页
作者: 胡晶晶 Huijsing J H 任俊彦 上海复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室 上海201203 荷兰代尔夫特理工大学电子仪器实验室
This paper presents a three-stage CMOS operational amplifier (opamp) that combines accuracy with stability for a wide range of capacitive loads. A so-called quenching capacitor is added to a multipath nested Miller ... 详细信息
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片上集成三电极体系微电极阵列的表征
片上集成三电极体系微电极阵列的表征
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第十届全国敏感元件与传感器学术会议
作者: 吕尊实 周嘉 陈华 黄宜平 鲍敏杭 复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系 复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系 复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系 复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系 复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系
设计制作了片上集成三电极体系微电极阵列。工作电极分为圆形和方形两种,电极特征尺寸为100~900μm,工作电极与对电极间距为50~200μm。利用循环伏安法,在氧化还原电位探针二茂铁甲醇的作用下,对各三电极微系统进行了电极性能表征,具... 详细信息
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SF_6/O_2气氛下Al对反应离子刻蚀Si的增强作用机理研究
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微细加工技术 2007年 第1期 56-59页
作者: 程正喜 郭育林 周嘉 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室微电子学系 上海200433
通过实验和统计分析方法研究了Al在SF6/O2气体干法刻蚀Si中的增强作用机理。研究表明,Al在SF6/O2刻蚀Si中具有增强作用,而且Al的增强作用基本独立,受其它刻蚀条件的影响较小。Al对Si刻蚀速率的增强作用并非都是由于衬底温度升高所致,而... 详细信息
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基于45nm技术的ULSI互连结构的温度模拟
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微电子学 2007年 第4期37卷 474-477,481页
作者: 王锡明 周嘉 阮刚 LEE H-D 合肥学院机械系 合肥230022 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室微电子学系 上海201203 城南国立大学电子工程系
应用自行建立的准二维简化模型,计算了三种基于45 nm节点技术的ULSI九层低介电常数介质互连结构的温度升高。与ANSYS的分析对比表明,简化模型误差为7.7%。三种互连结构中,结构III设计具有最佳的散热能力,不仅工作时绝对温升小,而且随衬... 详细信息
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片上集成三电极体系微电极阵列的表征
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微纳电子技术 2007年 第7期44卷 329-331页
作者: 吕尊实 周嘉 陈华 黄宜平 鲍敏杭 复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系 上海200433
设计制作了片上集成三电极体系微电极阵列。工作电极分为圆形和方形两种,电极特征尺寸为100-900μm,工作电极与对电极间距为50-200μm。利用循环伏安法,在氧化还原电位探针二茂铁甲醇的作用下,对各三电极微系统进行了电极性能表征... 详细信息
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基于不同扩散阻挡层的籽晶铜上电镀孪晶铜初步研究
基于不同扩散阻挡层的籽晶铜上电镀孪晶铜初步研究
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2007年上海电子电镀学术年会
作者: 赵莹 谢琦 屈新萍 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子学系
本文采用电镀方法制备具有一定孪晶密度的纯铜样品,并对不同的电镀参数和不同电镀衬底的实验结果进行了初步比较。发现不同的衬底结构对孪晶的产生和密度有很大影响。同时发现 W 基扩散阻挡层的电镀铜有很强的(111)择优晶向。
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