检索结果-内蒙古大学图书馆

超薄SiO_x钝化层所导致的半导体-绝缘体-半导体异质结高频隧道电容溢出现象

科学通报 2017年第28期62卷 3385-3391页

作者：李勇高明万亚州杜汇伟陈姝敏马忠权上海大学物理系索朗光伏材料与器件R&D联合实验室上海200444 上海大学分析测试与结构研究中心上海200444

从高频电容电压特性测试中发现的隧道电容溢出现象出发,研究了具有超薄钝化层的半导体-绝缘体-半导体(semiconductor-insulator-semiconductor SIS)异质结器件界面处独特的电荷存储特性.从SIS 1 MHz频率下的CV特性可知,当外加偏压小于V_... 详细信息

从高频电容电压特性测试中发现的隧道电容溢出现象出发,研究了具有超薄钝化层的半导体-绝缘体-半导体(semiconductor-insulator-semiconductor SIS)异质结器件界面处独特的电荷存储特性.从SIS 1 MHz频率下的CV特性可知,当外加偏压小于V_T(voltage tunneling)时,SIS界面处于耗尽状态,而当外加栅压超过V_T之后,SIS的高频电容将远超仪器量程趋于无穷大,可概括称为隧道电容溢出现象.从SIS的XPS(X-ray photoemission spectroscopy)深度剖析结果可知,具有不同厚度的ITO(indium tin oxide)的SIS器件界面钝化层所含元素组分并无差别.但从TEM(transparent electron microscope)的结果来看,钝化层厚度随ITO的增加而增加,分析表明不同ITO厚度的SIS所对应V_T值不同的主要原因是由于钝化层厚度的不同.通过对实验结果的分析,本文给出了隧道电容溢出现象的载流子输运的能带模型.结果表明,隧道电容溢出是由于超薄钝化层无法使大量电子在界面处积累所致.且同一器件隧道电容溢出现象是可重复的,不会对器件带来物理损伤,这是采用直接磁控溅射工艺制备SIS异质结太阳电池稳定性的体现.

关键词：超薄钝化层隧道CV 半导体-绝缘体-半导体异质结太阳电池

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

掺杂非晶氧化硅薄膜中三元化合态与电子结构的第一性原理计算

引用

物理学报 2017年第18期66卷 284-290页

作者：万亚州高明李勇郭海波李拥华徐飞马忠权上海大学理学院物理系索朗光伏材料与器件R&D联合实验室上海200444 上海大学材料科学与工程学院上海200444 上海大学分析测试中心上海200444

基于密度泛函理论和分子动力学方法,研究了ITO-SiO_x(In,Sn)/n-Si异质结光伏器件中非晶SiO_x层的氧化态和电子结构.计算结果表明:具有钝化隧穿功能的超薄(72%).

基于密度泛函理论和分子动力学方法,研究了ITO-SiO_x(In,Sn)/n-Si异质结光伏器件中非晶SiO_x层的氧化态和电子结构.计算结果表明:具有钝化隧穿功能的超薄(<2 nm)非晶SiO_x层,是由In,Sn,O,Si四种元素相互扩散形成的,其中In,Sn元素在SiO_x网格中以In-O-Si和Sn-O-Si成键态存在,形成了三元化合物.In和Sn的掺杂不仅在SiO_x的带隙中分别引入了E_v+4.60 eV和E_v+4.0 eV两个电子能级,还产生了与In离子相关的浅掺杂受主能级(E_v+0.3 eV).这些量子态一方面使SiO_x的性能得到改善,在n-Si表面形成与反型层相衔接的p-型宽禁带"准半导体",减少了载流子的复合,促进了内建电场的建立.另一方面有效地降低了异质结势垒高度,增强了ITO-SiO_x(In,Sn)/n-Si光伏器件中光生非平衡载流子的传输概率,促进了填充因子的提升(>72%).

关键词：非晶SiO_x层密度泛函理论异质结太阳电池量子隧穿

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

磁控溅射工艺引起硅表面超薄钝化层电子结构变化

引用

科学通报 2015年第19期60卷 1841-1848页

作者：高明杜汇伟杨洁陈姝敏徐静马忠权上海大学物理系索朗光伏材料与器件R&D联合实验室上海200444 上海大学分析测试与结构研究中心上海200444

通过真空热退火、有效少子寿命（πeff）的测量（利用微波光电导衰减μ-PCD法）和表面-界面光电子能谱分析（X-ray Photoemission Spectroscopy,XPS）等方法,研究了磁控溅射沉积ITO（Indium Tin Oxide）薄膜过程中,等离子体中载能粒子... 详细信息

通过真空热退火、有效少子寿命（πeff）的测量（利用微波光电导衰减μ-PCD法）和表面-界面光电子能谱分析（X-ray Photoemission Spectroscopy,XPS）等方法,研究了磁控溅射沉积ITO（Indium Tin Oxide）薄膜过程中,等离子体中载能粒子束（原子/离子和紫外辉光）对超薄Si Ox（1.5~2.0 nm）/c-Si（150μm）样品界面区的原子成键和电子态的损伤问题,并就ITO薄膜的硅表面电子态有效钝化功能进行了研究.结果表明,溅射沉积ITO薄膜材料后该样品的πeff衰减了90%以上,从105μs减少到5μs.但是,适当退火条件可以恢复少子寿命到30μs,表明Si Ox/c-Si之间界面态的降低有助于改善氧化层的钝化效果.ITO薄膜和c-Si之间Si Ox薄层的形成和它的结构随退火温度的变化,是导致界面态、少子寿命变化的主要原因,且得到了XPS深度剖析分析的确认.

关键词：溅射损伤 SiOx/c-Si界面 μ-PCD 有效少子寿命真空退火 XPS

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

铒铥共掺氧化锌薄膜近红外宽带发射及变温行为的研究

引用

物理学报 2015年第4期64卷 302-308页

作者：陈丹丹徐飞曹汝楠蒋最敏马忠权杨洁杜汇伟洪峰上海大学理学院物理系索朗光伏材料与器件R&D联合实验室分析测试中心上海200444 复旦大学应用表面物理国家重点实验室微纳光子结构教育部重点实验室先进材料实验室上海200433

采用磁控共溅射技术制备了铒铥共掺杂氧化锌发光薄膜.通过优化退火温度,实现了薄膜的近红外平坦宽带发射,总带宽可达到～500 nm,覆盖了光通信S+C+L+U区波段.此发射带由Er3+的1535 nm(4I13/2→4I15/2)发射峰及Tm3+的1460 nm(3H4→3F4),16... 详细信息

采用磁控共溅射技术制备了铒铥共掺杂氧化锌发光薄膜.通过优化退火温度,实现了薄膜的近红外平坦宽带发射,总带宽可达到～500 nm,覆盖了光通信S+C+L+U区波段.此发射带由Er3+的1535 nm(4I13/2→4I15/2)发射峰及Tm3+的1460 nm(3H4→3F4),1640 nm(1G4→3F2),1740 nm(3F4→3H6)发射峰组成.研究表明:退火温度低于800°C时,没有观察到薄膜样品明显的光致发光现象;随着退火温度从800°C升高到1000°C,I1640/I1535发射峰强度比从0.2升高到0.3,I1740/I1535发射峰强度比从0.5降低到0.4,发射峰强度比均基本保持稳定;当退火温度高于1000°C时,I1640/I1535发射峰强度比从0.3升高到0.6,I1740/I1535发射峰强度比从0.4升高到0.8,发射峰强度比均急剧增加.变温行为表明:随着温度从10 K逐渐升高到300 K,谱线的总带宽基本不变,在340—360 nm之间;Tm3+在1640和1740 nm处的发射峰强度分别降低了2/3和1/2,Er3+在1535 nm的发射峰强度增大了1.2倍.这是因为随着温度的升高,声子数目增多,Er3+与Tm3+离子之间发生能量传递的概率不断变大,并且在Tm3+离子之间没有发生交叉弛豫现象.

关键词：稀土掺杂氧化锌薄膜近红外宽带发光退火处理

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

采用UPS测量太阳能级单晶硅表面功函数

采用UPS测量太阳能级单晶硅表面功函数

引用

2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会

作者：高明杜汇伟杨洁陈姝敏徐静马忠权上海大学物理系索朗光伏材料与器件R&D联合实验室上海200444 上海大学分析测试与结构研究中心上海200444 上海大学物理系索朗光伏材料与器件R&D联合实验室上海200444 上海大学分析测试与结构研究中心上海200444

Si2p3/2态峰位的化学位移量与截止边的化学位移量(UPS谱线的化学位移量)非常接近，如果选择刻蚀后Si2p3/2态的峰位99.24eV作为标准峰位，这与之前报道的Si2p3/2标准峰位一致，那么直接利用XPS测试硅片表面Si2p态，得到存在化学偏移的Si2... 详细信息

Si2p3/2态峰位的化学位移量与截止边的化学位移量(UPS谱线的化学位移量)非常接近，如果选择刻蚀后Si2p3/2态的峰位99.24eV作为标准峰位，这与之前报道的Si2p3/2标准峰位一致，那么直接利用XPS测试硅片表面Si2p态，得到存在化学偏移的Si2p3/2峰位，计算出化学平移量，作为功函数测量的参考值是可行的一种做法。再利用UPS直接测得硅片表面的价带谱，将价带谱（截止边）进行适当平移（与Si2p3/2平移量相同），就可推算得到太阳能级单晶硅片的表面功函数：n-Si和p-Si的表面功函数分别为4.28和5.01eV。

关键词：太阳电池单晶硅片表面功函数化学平移量

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

钙钛矿太阳电池吸收层薄膜材料光致发光的研究

钙钛矿太阳电池吸收层薄膜材料光致发光的研究

引用

第一届新型太阳能电池暨钙钛矿太阳能电池学术研讨会

作者：徐飞曹汝楠马忠权徐闰陈丹丹吴杨琳上海大学物理系索朗光伏材料与器件联合实验室分析测试中心复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系

我们采用一步旋涂法制备出CH3NH3I钙钛矿薄膜吸收层材料[1]。XRD结果表明,我们所制备的钙钛矿薄膜结晶性能良好,具有(220)择优取向(图1)。我们对钙钛矿薄膜进行了光致发光的研究。通过405 nm激光器泵浦钙钛矿薄膜样品,我们肉眼观察到样... 详细信息

我们采用一步旋涂法制备出CH3NH3I钙钛矿薄膜吸收层材料[1]。XRD结果表明,我们所制备的钙钛矿薄膜结晶性能良好,具有(220)择优取向(图1)。我们对钙钛矿薄膜进行了光致发光的研究。通过405 nm激光器泵浦钙钛矿薄膜样品,我们肉眼观察到样品发射出非常强的红光,其发光峰位于784 nm处,相应能量为1.58 e V(图2)。变温光致发光研究发现,其发光峰的强度与峰位都会随着温度发生变化(图3)。这都将对此钙钛矿薄膜应用于太阳电池中所为吸收层的性能产生影响。

关键词：钙钛矿吸收层光致发光

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：