检索结果-内蒙古大学图书馆

Pr掺杂DyFeO_3体系的自旋重取向相变、晶格畸变与Raman光谱研究

物理学报 2013年第14期62卷 447-452页

作者：刘明曹世勋袁淑娟康保娟鲁波张金仓上海大学理学院物理系上海200444 上海大学微结构实验室上海200444

利用固相反应法制备了Dy1-xPrxFeO3系列化合物.X射线粉末衍射晶体结构分析表明,随着Pr掺杂量x的增加,样品晶胞体积逐渐增大,晶格畸变减弱.Raman光谱测量表明稀土离子有效质量[meff=xmPr+(1-x)mDy]与晶格结构的变化共同导致该体系Raman... 详细信息

利用固相反应法制备了Dy1-xPrxFeO3系列化合物.X射线粉末衍射晶体结构分析表明,随着Pr掺杂量x的增加,样品晶胞体积逐渐增大,晶格畸变减弱.Raman光谱测量表明稀土离子有效质量[meff=xmPr+(1-x)mDy]与晶格结构的变化共同导致该体系Raman光谱的变化.随Pr掺杂量的增加,波数小于200cm-1的振动模式基本保持不变,而波数大于200cm-1的振动模式(除420cm-1处的B3u模式外)向低频移动.磁测量结果表明,由Dzyaloshinsky-Moriya相互作用导致的宏观磁性随Pr掺杂量增加逐渐减弱.稀土离子与铁离子磁晶格的耦合作用以及晶格结构畸变的变化共同导致该体系自旋重取向相变温度在一定的掺杂量(x=0.3)前后先升高后降低.

关键词：稀土铁氧体自旋重取向晶体结构 Raman光谱

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Al掺杂NdFeO_3体系的晶体结构精修与磁特性研究

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功能材料 2015年第18期46卷 18048-18053页

作者：郭沛音曹世勋黄若祥冯振杰曹义明赵伟尧康保娟鲁波张金仓上海大学理学院物理系上海200444 上海大学微结构实验室上海200444

利用固相反应法制备了Al掺杂的NdFe1-xAlxO3系列化合物。通过X射线粉末衍射和结构精修分析发现,随着Al掺杂量的增加,样品晶胞参数变小,晶胞内Fe—O键长、Fe—O—Fe键角也发生了很大程度的改变,并且在a、b、c方向上存在不同的变化规律。A... 详细信息

利用固相反应法制备了Al掺杂的NdFe1-xAlxO3系列化合物。通过X射线粉末衍射和结构精修分析发现,随着Al掺杂量的增加,样品晶胞参数变小,晶胞内Fe—O键长、Fe—O—Fe键角也发生了很大程度的改变,并且在a、b、c方向上存在不同的变化规律。Al掺杂导致样品结构上的改变对其磁学性质具有重要影响。磁测量结果表明,随着Al掺杂量的增加,由dzyaloshinsky-moriya(D-M)相互作用导致的宏观磁性逐渐减弱;由Nd离子磁晶格与Fe离子磁晶格耦合作用导致的体系自旋重取向相变温度向低温方向移动,样品的饱和磁化强度随着Al掺入浓度的增加呈减小趋势。表明Fe位非磁性元素Al的掺入,使得样品内部由D-M相互作用所引起的倾角反铁磁结构受到了明显的调制。

关键词：稀土铁氧化物晶胞结构磁学性质

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超高真空扫描隧道谱实验对碲镉汞室温带隙的直接测定

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红外与毫米波学报 2013年第2期32卷 145-149页

作者：任秀荣查访星上海大学理学院物理系和微结构实验室上海200444 中科院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

利用超高真空扫描隧道显微镜的隧道谱实验对汞空位掺杂的液相外延P型碲镉汞材料在室温条件下进行测量,发现直接的电流-电压隧道谱对带隙预言一定程度上要受到成像偏置电压的影响.但当采用了锁相放大测量技术,通过实验直接获取微分隧道谱... 详细信息

利用超高真空扫描隧道显微镜的隧道谱实验对汞空位掺杂的液相外延P型碲镉汞材料在室温条件下进行测量,发现直接的电流-电压隧道谱对带隙预言一定程度上要受到成像偏置电压的影响.但当采用了锁相放大测量技术,通过实验直接获取微分隧道谱(dI/dV)信号,并利用电流-电压谱对dI/dV作归一化处理时,最终结果则能较准确、可靠地预言材料的带隙,表明扫描隧道谱方法作为独立于光学方法之外的另一种实验表征手段对碲镉汞能带电子结构研究的适用性.

关键词：碲镉汞扫描隧道显微镜扫描隧道谱能带带隙锁相放大技术

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液相外延p型碲镉汞表面区与腐蚀凹坑的不同扫描隧道谱特征

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红外与毫米波学报 2012年第3期31卷 222-225页

作者：王庆余任秀荣李茂森徐德政查访星上海大学理学院物理系和微结构实验室上海200444 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

利用超高真空扫描隧道显微镜对经过溴甲醇溶液腐蚀处理的液相外延碲镉汞材料进行了表征.发现经过腐蚀处理(3%浓度,2.5 min)的样品表面出现高密度的凹坑结构,凹坑深度约几十纳米,横向尺度在几十到几百纳米之间.扫描隧道谱测量表明,腐蚀... 详细信息

利用超高真空扫描隧道显微镜对经过溴甲醇溶液腐蚀处理的液相外延碲镉汞材料进行了表征.发现经过腐蚀处理(3%浓度,2.5 min)的样品表面出现高密度的凹坑结构,凹坑深度约几十纳米,横向尺度在几十到几百纳米之间.扫描隧道谱测量表明,腐蚀样品表面平坦区呈现较大表观带隙,需考虑针尖诱导的能带弯曲效应,而凹坑区在零偏压区的扫描隧道谱线则近似为线性变化,说明该区域包含较高的带隙态并直接参与隧穿,从而掩盖了带隙信息.

关键词：碲镉汞扫描隧道显微镜隧道谱

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哈斯勒合金Ni_(46)Cu_4Mn_(38)Sn_(12)的相变应变与磁感生应变

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中国有色金属学报 2010年第11期20卷 2187-2191页

作者：李哲敬超乔燕飞张浩雷曹世勋张金仓孙亮上海大学理学院上海200444 南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

通过结构、磁性以及应变测量,研究哈斯勒合金Ni46Cu4Mn38Sn12在马氏体相变过程中的相变应变与磁感生应变。结果表明:样品在马氏体相变过程中表现出一个接近0.12%的相变应变,几乎是目前研究所报道的三元哈斯勒合金Ni-Mn-Sn相变应变的3倍... 详细信息

通过结构、磁性以及应变测量,研究哈斯勒合金Ni46Cu4Mn38Sn12在马氏体相变过程中的相变应变与磁感生应变。结果表明:样品在马氏体相变过程中表现出一个接近0.12%的相变应变,几乎是目前研究所报道的三元哈斯勒合金Ni-Mn-Sn相变应变的3倍;此外,在等温条件下,通过外加磁场的诱导,获得了该样品在反马氏体相变起始温度点(284 K)的一个大的磁感生应变,这种行为可归结为马氏体与奥氏体相之间界面的磁弹耦合。

关键词：哈斯勒合金马氏体相变相变应变磁感生应变

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钙钛矿型氧化物非常规铁电研究进展

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物理学报 2018年第15期67卷 48-60页

作者：赵国栋杨亚利任伟上海大学理学院物理系上海大学材料基因组工程研究院上海大学量子与分子结构国际中心上海市高温超导重点实验室上海200444

钙钛矿型氧化物因具有丰富的磁性、铁电、力学和光学等诸多功能属性,在电子信息通信材料器件领域中有广阔的应用前景.在各种物理性质之中,铁电极化因其产生机制多样,并能与磁性和晶格应变相互耦合形成多铁性等特点,近十多年来一直被作... 详细信息

钙钛矿型氧化物因具有丰富的磁性、铁电、力学和光学等诸多功能属性,在电子信息通信材料器件领域中有广阔的应用前景.在各种物理性质之中,铁电极化因其产生机制多样,并能与磁性和晶格应变相互耦合形成多铁性等特点,近十多年来一直被作为凝聚态物理研究的国际热点问题.与以自发极化作为初级序参量的常规铁电材料不同,非常规铁电材料中的铁电极化是被其他的序参量诱导而产生的.本综述围绕无机钙钛矿型氧化物非常规铁电体的研究进展进行了总结.回顾了该体系经典唯象理论和原子尺度的微观模型,有序排列的人工钙钛矿超晶格型结构,以及稀土正铁氧体单晶的反铁磁畴壁结构中非常规铁电的极化强度大小及其诱导机制,为系统理解非常规铁电提供了理论途径.

关键词：钙钛矿非常规铁电超晶格反铁磁畴壁

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铒铥共掺氧化锌薄膜近红外宽带发射及变温行为的研究

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物理学报 2015年第4期64卷 302-308页

作者：陈丹丹徐飞曹汝楠蒋最敏马忠权杨洁杜汇伟洪峰上海大学理学院物理系索朗光伏材料与器件R&D联合实验室分析测试中心上海200444 复旦大学应用表面物理国家重点实验室微纳光子结构教育部重点实验室先进材料实验室上海200433

采用磁控共溅射技术制备了铒铥共掺杂氧化锌发光薄膜.通过优化退火温度,实现了薄膜的近红外平坦宽带发射,总带宽可达到～500 nm,覆盖了光通信S+C+L+U区波段.此发射带由Er3+的1535 nm(4I13/2→4I15/2)发射峰及Tm3+的1460 nm(3H4→3F4),16... 详细信息

采用磁控共溅射技术制备了铒铥共掺杂氧化锌发光薄膜.通过优化退火温度,实现了薄膜的近红外平坦宽带发射,总带宽可达到～500 nm,覆盖了光通信S+C+L+U区波段.此发射带由Er3+的1535 nm(4I13/2→4I15/2)发射峰及Tm3+的1460 nm(3H4→3F4),1640 nm(1G4→3F2),1740 nm(3F4→3H6)发射峰组成.研究表明:退火温度低于800°C时,没有观察到薄膜样品明显的光致发光现象;随着退火温度从800°C升高到1000°C,I1640/I1535发射峰强度比从0.2升高到0.3,I1740/I1535发射峰强度比从0.5降低到0.4,发射峰强度比均基本保持稳定;当退火温度高于1000°C时,I1640/I1535发射峰强度比从0.3升高到0.6,I1740/I1535发射峰强度比从0.4升高到0.8,发射峰强度比均急剧增加.变温行为表明:随着温度从10 K逐渐升高到300 K,谱线的总带宽基本不变,在340—360 nm之间;Tm3+在1640和1740 nm处的发射峰强度分别降低了2/3和1/2,Er3+在1535 nm的发射峰强度增大了1.2倍.这是因为随着温度的升高,声子数目增多,Er3+与Tm3+离子之间发生能量传递的概率不断变大,并且在Tm3+离子之间没有发生交叉弛豫现象.

关键词：稀土掺杂氧化锌薄膜近红外宽带发光退火处理

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反铁磁层厚度对垂直磁各向异性钴/铂/铁锰多层膜磁性质的影响

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功能材料 2014年第22期45卷 22102-22105页

作者：聂颖任楚苏周仕明时钟阎文盛桑海辽宁工程技术大学理学院辽宁阜新123000 复旦大学物理系上海200433 同步辐射国家实验室合肥230029 南京大学物理系固体微结构国家实验室南京210093

在室温下用超高真空磁控溅射系统制备了一系列的Pt(4.0nm)/[Co(0.5nm)/Pt(0.3nm)]3-FeMn(tAFnm)多层膜样品,研究了反铁磁层厚度对于易轴垂直于样品表面的Co/Pt/FeMn多层膜磁性质的影响。在室温下利用样品的剩磁进行了X射线磁圆二色测量(... 详细信息

在室温下用超高真空磁控溅射系统制备了一系列的Pt(4.0nm)/[Co(0.5nm)/Pt(0.3nm)]3-FeMn(tAFnm)多层膜样品,研究了反铁磁层厚度对于易轴垂直于样品表面的Co/Pt/FeMn多层膜磁性质的影响。在室温下利用样品的剩磁进行了X射线磁圆二色测量(XMCD),结果表明在铁磁/反铁磁界面有反铁磁层铁锰的净磁矩,这些净磁矩仅来自于铁元素。铁的磁矩倾向于垂直于膜面排列。磁测量结果表明,随着铁锰层厚度的增加,交换偏置场HEB增加直到饱和,而HC先增加,然后轻微减少,在tAF>7.5nm以后,HEB和HC都几乎不变了。没有观察到磁锻炼效应。

关键词：垂直各向异性交换偏置净磁矩多层膜

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Fe/Si薄膜中相干声学声子的光激发研究

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物理学报 2012年第9期61卷 414-418页

作者：张郑兵马小柏金钻明马国宏杨金波上海大学理学院物理系上海200444 北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室北京100871

本文通过抽运一探测技术,利用飞秒激光脉冲激发并探测了Fe/Si薄膜中的高频相干声学声子.通过经典的阻尼谐振函数,对声学声子的动力学行为进行了拟合.实验及拟合结果表明,该声学声子的共振频率约为0.25 THz,其退相时间约为12 ps,且都与... 详细信息

本文通过抽运一探测技术,利用飞秒激光脉冲激发并探测了Fe/Si薄膜中的高频相干声学声子.通过经典的阻尼谐振函数,对声学声子的动力学行为进行了拟合.实验及拟合结果表明,该声学声子的共振频率约为0.25 THz,其退相时间约为12 ps,且都与激发光的波长和能量密度无关.声学声子的振幅随着激发光能量密度的增加而线性地增强.临界参数12_Τe-ph/T约为0.6,表明相干声学声子的驱动力主要来源于电子热应力的贡献.最后,结合薄膜的厚度和质量密度,可以得到室温下垂直于该.Fe/Si薄膜表面(out of plane)的弹性常数C_⊥约为283 GPa.

关键词：相干声学声子飞秒抽运-探测技术 Fe/Si薄膜弹性常数

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Al_(0.22)Ga_(0.78)N/GaN二维电子气中的弱局域和反弱局域效应

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物理学报 2006年第5期55卷 2498-2503页

作者：朱博桂永胜周文政商丽燕郭少令褚君浩吕捷唐宁沈波张福甲兰州大学物理系兰州730000 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验北京100871

通过磁输运测量研究了Al0·22Ga0·78N/GaN二维电子气的电子相干散射中的弱局域和反弱局域化现象.在外加弱磁场的情况下,该系统表现出正-负磁阻的变化,说明在Al0·22Ga0·78N/GaN异质结中存在晶体场引起的电子自旋-轨... 详细信息

通过磁输运测量研究了Al0·22Ga0·78N/GaN二维电子气的电子相干散射中的弱局域和反弱局域化现象.在外加弱磁场的情况下,该系统表现出正-负磁阻的变化,说明在Al0·22Ga0·78N/GaN异质结中存在晶体场引起的电子自旋-轨道散射.同时讨论了二维电子气中不同的散射时间对温度的依赖关系,实验得到的非弹性散射时间与温度成反比,表明非弹性散射机理主要来源于小能量转移的电子-电子散射.

关键词：二维电子气弱局域磁阻

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