检索结果-内蒙古大学图书馆

无机材料学报 2012年第7期27卷 716-720页

作者：徐冰赵俊亮张检明孙小卫诸葛福伟李效民天津大学理学院应用物理系天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室天津300072 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室上海200050

采用低成本的化学溶液法在大功率GaN基蓝光LED芯片上生长ZnO纳米阵列,以提高LED芯片的出光效率.通过改变生长溶液中氨水及锌离子浓度实现对纳米阵列结构形貌的可控性,进而得到不同形貌的ZnO纳米阵列.在此基础上,进一步研究纳米结构形貌... 详细信息

采用低成本的化学溶液法在大功率GaN基蓝光LED芯片上生长ZnO纳米阵列,以提高LED芯片的出光效率.通过改变生长溶液中氨水及锌离子浓度实现对纳米阵列结构形貌的可控性,进而得到不同形貌的ZnO纳米阵列.在此基础上,进一步研究纳米结构形貌对LED芯片出光性能的影响,探讨纳米结构增强LED芯片发光效率的机理.结果表明,较高密度、锥形形貌的ZnO纳米阵列更有利于增强LED芯片的出光效率.在优化的实验条件下,表面沉积ZnO纳米阵列的LED芯片比普通LED的出光效率高出60%以上,并且纳米阵列不影响LED器件的电学性能和发光稳定性.

关键词： ZnO纳米阵列大功率LED芯片出光效率化学溶液法

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表面钝化前后Al_(0.22)Ga_(0.78)N/GaN异质结势垒层应变的高温特性

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物理学报 2006年第3期55卷 1402-1406页

作者：张开骁陈敦军沈波陶亚奇吴小山徐金张荣郑有炓河海大学理学院南京210098 江苏省光电材料重点实验室国家微结构重点实验室南京大学物理系南京210093 北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心北京100871

用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)研究了表面钝化前后Al_(0.22)Ga_(0.78)N/GaN异质结势垒层应变的高温特性,温度变化范围从室温到813K.结果表明,对未钝化的异质结,当测试温度高于523K时,Al_(0.22)Ga_(0.78)N势垒层开始出现应变弛豫;钝化后,在... 详细信息

用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)研究了表面钝化前后Al_(0.22)Ga_(0.78)N/GaN异质结势垒层应变的高温特性,温度变化范围从室温到813K.结果表明,对未钝化的异质结,当测试温度高于523K时,Al_(0.22)Ga_(0.78)N势垒层开始出现应变弛豫;钝化后,在Al_(0.22)Ga_(0.78)N势垒层中会产生一个附加的平面拉伸应变,并随着温度的增加,势垒层中的平面拉伸应变会呈现出一个初始的增加,接着应变将减小,对100nm厚的Al_(0.22)Ga_(0.78)N势垒层,应变只是轻微地减小,但对于50nm厚的Al_(0.22)Ga_(0.78)N势垒层,则出现了严重的应变弛豫现象.

关键词： Al0.22Ga0.78N/GaN异质结应变 Si3N4钝化高温XRD

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非厄米受激拉曼绝热捷径的量子分束

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中国激光 2020年第9期47卷 341-348页

作者：汤开胡正峰刘呈普陈玺上海大学理学院物理系上海200444 中国科学院上海光学精密机械研究所量子光学重点实验室上海201800 中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室和超强激光科学卓越中心上海201800

针对存在增益损耗的三能级非厄米量子系统,提出了一种新型的非厄米受激拉曼绝热捷径(NH-STIRSAP)技术。该技术基于传统的受激拉曼绝热通道(STIRAP),通过灵活调控系统的非厄米项,使系统演化中的非绝热耦合得到有效抵消,从而加速绝热演化... 详细信息

针对存在增益损耗的三能级非厄米量子系统,提出了一种新型的非厄米受激拉曼绝热捷径(NH-STIRSAP)技术。该技术基于传统的受激拉曼绝热通道(STIRAP),通过灵活调控系统的非厄米项,使系统演化中的非绝热耦合得到有效抵消,从而加速绝热演化过程。详细的数值计算和理论分析结果证实,基于所提技术,系统的绝热演化速度快,且制备的量子态具有高保真度。并展示了所提技术在量子分束方面的应用。与传统绝热捷径技术相比,NH-STIRSAP新技术具有更广泛的应用。

关键词：量子光学受激拉曼绝热通道非厄米系统绝热捷径量子分束

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掺杂效应导致的HoFeO3体系中可控磁相变

掺杂效应导致的HoFeO3体系中可控磁相变

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中国物理学会2013年秋季学术会议

作者：杨亚袁淑娟曹义明鲁波曹世勋张金仓上海大学理学院物理系上海 200444 上海大学微结构实验室上海 200444

稀土正铁氧体具有众多奇异的磁性相变，例如：自旋开关效应和自旋重取向相变。在自旋重取向相变中，稀土离子的4f 电子和铁离子的3d 电子之间的交换相互作用至关重要。因此，我们通过掺杂影响此交换相互作用，从而调控自旋重取向相变。

关键词： HoFeO3 稀土正铁氧体磁相变自旋重取向

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庞磁电阻Pr0．7Sr0．3MnO3／La0．5Ca0．5MnO3／Pr0.7Sr0.3MnO3三层膜的应变分析

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核技术 2012年第11期35卷 806-810页

作者：王海欧刘昊戴萍谭伟石吴小山贾全杰李晓龙南京理工大学理学院应用物理系南京210094 南京大学固体微结构物理国家重点实验室南京大学物理系南京210093 中国科学院高能物理研究所北京100039 中国科学院上海应用物理研究所嘉定园区上海201800

用脉冲激光沉积法在MgO(001)衬底上生长了Pr0.7Sr0.3MnO3/La0.5Ca0.5MnO3/Pr0.7Sr0.3MnO3三层膜,其中Pr0.7Sr0.3MnO3的厚度为36nm,La0.5Ca0.5MnO3厚度分别为6、12、18、24、30和36 nm。通过高分辨X射线衍射的对称扫描和非对称扫描测量了三层膜中Pr0.7Sr0.3MnO3和La0.5Ca0.5MnO3的面外、面内晶格参数,研究了薄膜的晶格应变及其弛豫状况。结果表明,La0.5Ca0.5MnO3厚度的增加使薄膜面外应变完全弛豫,但面内的压应变仍然存在。三层膜应变弛豫状态由块材应变和Jahn-Teller应变共同决定。三层膜的应变弛豫机制与四方畸变的应变弛豫机制不同。块材应变和Jahn-Teller应变之间的相互竞争决定了薄膜的磁输运性质。

关键词： Pr0.7Sr0.3MnO3/La0.5Ca0.5MnO3/Pr0.7Sr0.3MnO3三层膜高分辨X射线衍射应变

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脉冲激光沉积法制备（Cu, C）Ba2Ca3Cu4Oy涂层导体

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低温物理学报 2023年第4期45卷 226-232页

作者：李玉刚朱萍童淑云杨丽莹陈阳阳刘志勇闻海虎蔡传兵上海大学理学院物理系上海市量子与超导新物态前沿科学基地上海市高温超导重点实验室南京大学物理学院南京大学固体微结构国家重点实验室超导物理和材料研究中心

(Cu, C)Ba2Ca3Cu4Oy是超导转变温度Tc约为116 K的无毒铜氧化物超导材料，在迄今为止的超导材料中，高压法制备的（Cu, C）Ba2Ca3Cu4Oy多晶块材在液氮温区具有最高的不可逆场Hirr～15 T.为了实现（Cu, C）Ba2Ca3Cu4Oy超导材料的规模化制... 详细信息

(Cu, C)Ba2Ca3Cu4Oy是超导转变温度Tc约为116 K的无毒铜氧化物超导材料，在迄今为止的超导材料中，高压法制备的（Cu, C）Ba2Ca3Cu4Oy多晶块材在液氮温区具有最高的不可逆场Hirr～15 T.为了实现（Cu, C）Ba2Ca3Cu4Oy超导材料的规模化制备，本文利用脉冲激光沉积技术在LaMnO3/MgO/Y2O3/Al2O3/Hastelloy柔性金属基底上依次外延生长了LaAlO3帽子层和（Cu, C）Ba2Ca3Cu4Oy超导薄膜.X射线衍射实验结果表明（Cu, C）Ba2Ca3Cu4Oy薄膜沿a轴外延生长，电学输运数据表明（Cu, C）Ba2Ca3Cu4Oy薄膜的超导转变温度Tconset为115 K,零电阻温度Tc0为52 K,不可逆场为9 T@35 K.本文首次报道了（Cu, C）Ba2Ca3Cu4Oy在柔性金属缓冲层衬底的成功制备，推动了（Cu, C）Ba2Ca3Cu4Oy超导材料的实用化进程.

关键词：脉冲激光沉积柔性金属基底 (Cu, C)Ba2Ca3Cu4Oy薄膜

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人工斯格明子晶体的动力学研究

人工斯格明子晶体的动力学研究

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中国物理学会2015年秋季会议

作者：缪冰锋颜明丁海峰固体微结构国家实验室南京大学物理学院南京 210093中国上海大学物理系上海200444中国

斯格明子(skyrmion)晶体通常源于非共线的Dzyaloshinsky-Moriya(DM)相互作用[1]。斯格明子晶体具有新颖的物理现象和较强的应用前景，是近几年国际上的研究热点之一。但是斯格明子晶体稳定的相图却比较有限，通常仅存在于低温和有外磁...

斯格明子(skyrmion)晶体通常源于非共线的Dzyaloshinsky-Moriya(DM)相互作用[1]。斯格明子晶体具有新颖的物理现象和较强的应用前景，是近几年国际上的研究热点之一。但是斯格明子晶体稳定的相图却比较有限，通常仅存在于低温和有外磁场的情况下[2]。

关键词：

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人工斯格明子晶体的动力学研究

人工斯格明子晶体的动力学研究

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第十六届全国磁学和磁性材料会议暨第十七届全国微波磁学会议

作者：孙亮缪冰锋颜明丁海峰南京大学固体微结构物理国家重点实验室南京大学物理学院南京 210093 上海大学物理系上海 200444

斯格明子(skyrmion)晶体通常源于非共线的Dzyaloshinsky-Moriya(DM)相互作用[1].斯格明子晶体具有新颖的物理现象和较强的应用前景,是近几年国际上的研究热点之一.但是斯格明子晶体稳定的相图却比较有限,通常仅存在于低温和有外磁场的...

斯格明子(skyrmion)晶体通常源于非共线的Dzyaloshinsky-Moriya(DM)相互作用[1].斯格明子晶体具有新颖的物理现象和较强的应用前景,是近几年国际上的研究热点之一.但是斯格明子晶体稳定的相图却比较有限,通常仅存在于低温和有外磁场的情况下[2].在垂直各向异性材料上生长周期性的磁性圆盘(vortex),在前期的工作中我们设计并制备了人工斯格明子晶体,其具有和DM相互作用引起的斯格明子晶体相同的拓扑数和类似的自旋结构[3,4].

关键词：

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分子束外延生长的GaSbBi薄膜的扫描隧道显微镜表征

分子束外延生长的GaSbBi薄膜的扫描隧道显微镜表征

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第十一届全国分子束外延学术会议

作者：齐鑫宋禹忻邵军王庶民查访星上海大学理学院物理系与微结构实验室上海200444 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院上海技术物理研究所与红外物理国家重点实验室上海200083

新型窄带隙稀铋半导体GaSbBi由于掺Bi而引起带隙收缩，对开发2～4μm近中红外激光器具重要意义.本文报道超高真空扫描隧道显微镜对分子束外延生长的表面形貌和电子态的实验表征.发现未经腐蚀的样品表面电子态存在较大空间不均匀性，表...

新型窄带隙稀铋半导体GaSbBi由于掺Bi而引起带隙收缩，对开发2～4μm近中红外激光器具重要意义.本文报道超高真空扫描隧道显微镜对分子束外延生长的表面形貌和电子态的实验表征.发现未经腐蚀的样品表面电子态存在较大空间不均匀性，表观带隙在0.35eV ～ 0.64eV之间变化.经化学腐蚀处理，获得较好空间一致性的带隙测量结果且符合生长参数对带隙的预期.

关键词：

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Li掺杂YBCO晶体的交流磁化率及临界电流密度

Li掺杂YBCO晶体的交流磁化率及临界电流密度

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第十届超导学术交流会

作者：李配军白忠王智河吴王杰张宏邱里放军理工大学理学院江苏南京 211101 南京大学物理系固体微结构重点实验室江苏南京 210093 南京大学物理系固体微结构重点实验室江苏南京 210093 放军理工大学理学院江苏南京 211101 中科院上海微系统与信息技术研究所上海 200050

我们测量了Li掺杂YBa2Cu3Oy晶体的交流磁化率,从交流磁化率曲线的实部提取出晶体在临界温度附近的临界电流密度,我们得到临界电流密度与温度的关系为Jc(T)∝(1-T/Tc)1.38,与传统的最大耗散法获得临界电流密度和温度关系相一致.并且讨论... 详细信息

我们测量了Li掺杂YBa2Cu3Oy晶体的交流磁化率,从交流磁化率曲线的实部提取出晶体在临界温度附近的临界电流密度,我们得到临界电流密度与温度的关系为Jc(T)∝(1-T/Tc)1.38,与传统的最大耗散法获得临界电流密度和温度关系相一致.并且讨论了临界温度Tc附近的有效激活能.

关键词： Li掺杂 YBCO晶体交流磁化率临界电流密度有效激活能

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