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第十届超导学术交流会

作者：李配军白忠王智河吴王杰张宏邱里放军理工大学理学院江苏南京 211101 南京大学物理系固体微结构重点实验室江苏南京 210093 南京大学物理系固体微结构重点实验室江苏南京 210093 放军理工大学理学院江苏南京 211101 中科院上海微系统与信息技术研究所上海 200050

我们测量了Li掺杂YBa2Cu3Oy晶体的交流磁化率,从交流磁化率曲线的实部提取出晶体在临界温度附近的临界电流密度,我们得到临界电流密度与温度的关系为Jc(T)∝(1-T/Tc)1.38,与传统的最大耗散法获得临界电流密度和温度关系相一致.并且讨论... 详细信息

我们测量了Li掺杂YBa2Cu3Oy晶体的交流磁化率,从交流磁化率曲线的实部提取出晶体在临界温度附近的临界电流密度,我们得到临界电流密度与温度的关系为Jc(T)∝(1-T/Tc)1.38,与传统的最大耗散法获得临界电流密度和温度关系相一致.并且讨论了临界温度Tc附近的有效激活能.

关键词： Li掺杂 YBCO晶体交流磁化率临界电流密度有效激活能

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Ca掺杂熔融织构YBCO晶体的低温比热

Ca掺杂熔融织构YBCO晶体的低温比热

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第十届超导学术交流会

作者：白忠李配军王智河李延标苗仁德张宏解放军理工大学理学院南京 211101 南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京 210093 中科院上海微系统与信息技术研究所上海 200050

用熔融织构法生长了Ca掺杂Y0.8Ca0.2Ba2Cu3Oy晶体,采用热驰豫方法在0～4T磁场下对该晶体1.8～5.4K范围内的低温比热进行了测量。将背景比热剔除后,发现由磁场诱导的比热△C(H)=C(H)-C(0)基本与d波理论相一致.进一步将不同磁场下低温比热... 详细信息

用熔融织构法生长了Ca掺杂Y0.8Ca0.2Ba2Cu3Oy晶体,采用热驰豫方法在0～4T磁场下对该晶体1.8～5.4K范围内的低温比热进行了测量。将背景比热剔除后,发现由磁场诱导的比热△C(H)=C(H)-C(0)基本与d波理论相一致.进一步将不同磁场下低温比热在d波理论框架下得到了较好的拟合,证实了Y0.8Ca0.2Ba2Cu3Oy晶体为d波超导体.从低温比热中所得到的两个重要参数Sommedeld常数γ-和上临界场Hc2(0)也与高温下的结果吻合.

关键词：高温超导体低温比热 Ca掺杂熔融织构法 YBCO晶体

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Al_(0.22)Ga_(0.78)N/GaN二维电子气中的弱局域和反弱局域效应

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物理学报 2006年第5期55卷 2498-2503页

作者：朱博桂永胜周文政商丽燕郭少令褚君浩吕捷唐宁沈波张福甲兰州大学物理系兰州730000 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验北京100871

通过磁输运测量研究了Al0·22Ga0·78N/GaN二维电子气的电子相干散射中的弱局域和反弱局域化现象.在外加弱磁场的情况下,该系统表现出正-负磁阻的变化,说明在Al0·22Ga0·78N/GaN异质结中存在晶体场引起的电子自旋-轨... 详细信息

通过磁输运测量研究了Al0·22Ga0·78N/GaN二维电子气的电子相干散射中的弱局域和反弱局域化现象.在外加弱磁场的情况下,该系统表现出正-负磁阻的变化,说明在Al0·22Ga0·78N/GaN异质结中存在晶体场引起的电子自旋-轨道散射.同时讨论了二维电子气中不同的散射时间对温度的依赖关系,实验得到的非弹性散射时间与温度成反比,表明非弹性散射机理主要来源于小能量转移的电子-电子散射.

关键词：二维电子气弱局域磁阻

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表面钝化前后Al_(0.22)Ga_(0.78)N/GaN异质结势垒层应变的高温特性

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物理学报 2006年第3期55卷 1402-1406页

作者：张开骁陈敦军沈波陶亚奇吴小山徐金张荣郑有炓河海大学理学院南京210098 江苏省光电材料重点实验室国家微结构重点实验室南京大学物理系南京210093 北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心北京100871

用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)研究了表面钝化前后Al_(0.22)Ga_(0.78)N/GaN异质结势垒层应变的高温特性,温度变化范围从室温到813K.结果表明,对未钝化的异质结,当测试温度高于523K时,Al_(0.22)Ga_(0.78)N势垒层开始出现应变弛豫;钝化后,在... 详细信息

用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)研究了表面钝化前后Al_(0.22)Ga_(0.78)N/GaN异质结势垒层应变的高温特性,温度变化范围从室温到813K.结果表明,对未钝化的异质结,当测试温度高于523K时,Al_(0.22)Ga_(0.78)N势垒层开始出现应变弛豫;钝化后,在Al_(0.22)Ga_(0.78)N势垒层中会产生一个附加的平面拉伸应变,并随着温度的增加,势垒层中的平面拉伸应变会呈现出一个初始的增加,接着应变将减小,对100nm厚的Al_(0.22)Ga_(0.78)N势垒层,应变只是轻微地减小,但对于50nm厚的Al_(0.22)Ga_(0.78)N势垒层,则出现了严重的应变弛豫现象.

关键词： Al0.22Ga0.78N/GaN异质结应变 Si3N4钝化高温XRD

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