检索结果-内蒙古大学图书馆

微电子学 2021年第3期51卷 351-356页

作者：杨雪张弛单伟君王立辉李清俞军上海复旦微电子集团股份有限公司上海200433 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

安全性评估是密码芯片设计中的重要环节。传统的安全性分析方法主要包括泄漏评估和侧信道攻击,但是这些方法需要采集大量功耗曲线,对时间和采集设备都有较高要求。提出了利用芯片仿真波形进行安全性分析,并基于此设计了一种仿真安全分... 详细信息

安全性评估是密码芯片设计中的重要环节。传统的安全性分析方法主要包括泄漏评估和侧信道攻击,但是这些方法需要采集大量功耗曲线,对时间和采集设备都有较高要求。提出了利用芯片仿真波形进行安全性分析,并基于此设计了一种仿真安全分析软件。实验结果表明,仿真波形分析能够快速检测出加解密运算过程中出现的信息泄漏,且仿真分析需要的曲线条数与实际侧信道攻击需要的功耗曲线条数存在定性关系。与之前的安全分析技术相比,该方法主要应用于数字前端设计阶段,对硬件设备没有要求,可以极大节省时间和成本。

关键词：密码芯片仿真波形分析侧信道攻击泄漏评估 SM4

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钛表面氧化锌与纤连蛋白复合修饰应用于抗种植体周炎的研究

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无机材料学报 2021年第12期36卷 1316-1322,I0003-I0006页

作者：张大卫朱立远卢红亮王佐林同济大学口腔医学院同济大学附属口腔医院上海牙组织修复与再生工程技术研究中心上海200072 复旦大学微电子学院上海智能电子与系统研究院专用集成电路和系统国家重点实验室上海200433

种植体周炎会导致种植体周牙龈附着丧失、骨组织吸收,甚至种植体松动、脱落。本研究采用原子层沉积技术联合硅烷化修饰在钛表面制备氧化锌纳米薄膜和纤连蛋白复合涂层。选取种植体周炎相关致病菌伴放线聚集杆菌和牙龈卟啉单胞菌用作该... 详细信息

种植体周炎会导致种植体周牙龈附着丧失、骨组织吸收,甚至种植体松动、脱落。本研究采用原子层沉积技术联合硅烷化修饰在钛表面制备氧化锌纳米薄膜和纤连蛋白复合涂层。选取种植体周炎相关致病菌伴放线聚集杆菌和牙龈卟啉单胞菌用作该复合涂层抗菌效果的体外验证。同时,检测牙龈成纤维细胞在钛、氧化锌修饰钛及纤连蛋白与氧化锌复合修饰钛表面黏附、增殖及其相关基因的表达。在大鼠上颌第一磨牙位点通过注射细菌法建立种植体周炎模型,并比较不同材料的钛钉周围骨破坏范围和牙龈组织中的炎症程度。实验结果显示,该复合涂层对伴放线聚集杆菌和牙龈卟啉单胞菌的24 h抗菌率分别为80.9%和75.7%;牙龈成纤维细胞在复合修饰钛片表面展现出良好的黏附、增殖状态;在大鼠种植体周炎模型中,Micro-CT结果显示,纯钛钉周骨组织吸收为(1.14±0.71)mm,而经复合修饰的钛钉周围骨组织吸收仅为(0.37±0.28)mm。石蜡切片观察和qPCR定量检测结果显示,纯钛钉周牙龈及牙槽骨组织的炎症反应较重,而经复合修饰的钛钉周围组织炎症反应明显减轻。因此,该复合修饰可能在牙种植体防御细菌入侵、增强牙龈附着和降低牙龈炎症反应方面发挥作用。

关键词：钛氧化锌纤连蛋白种植体周炎

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一种轻量级数据加密标准循环掩码实现方案

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电子与信息学报 2020年第8期42卷 1828-1835页

作者：王立辉闫守礼李清复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 上海复旦微电子集团股份有限公司上海200433

随着智能卡技术的不断发展,智能卡芯片的安全性也面临越来越大的挑战。在众多加密算法中,数据加密标准(DES)算法是一种应用较广的对称加解密算法。为了抵御各种侧信道攻击,使用最为广泛的是在算法中通过掩码技术来消除真实密钥和功耗相... 详细信息

随着智能卡技术的不断发展,智能卡芯片的安全性也面临越来越大的挑战。在众多加密算法中,数据加密标准(DES)算法是一种应用较广的对称加解密算法。为了抵御各种侧信道攻击,使用最为广泛的是在算法中通过掩码技术来消除真实密钥和功耗相关性,该文提出一种新的适用于DES的循环掩码方案,和之前文献中的预计算掩码方案相比,不仅预计算量大大减少,而且整个DES运算过程的中间数据都是带有掩码的,把掩码拆分后,还可以防护高阶攻击。

关键词：数据加密标准侧信道攻击掩码

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不同晶向BiFeO3薄膜的表征及导电性研究

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功能材料 2020年第10期51卷 10001-10004,10027页

作者：刘少清复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

采用脉冲激光沉积技术,在(110)和(100)两种晶向的钛酸锶(SrTiO3)衬底上,先后异质外延生长钌酸锶(SrRuO3)氧化物底电极和铁酸铋(BiFeO3),形成BiFeO3/SrRuO3/SrTiO3结构的铁电薄膜。用原子力显微镜、压电力显微镜和XRD对BiFeO3薄膜进行微... 详细信息

采用脉冲激光沉积技术,在(110)和(100)两种晶向的钛酸锶(SrTiO3)衬底上,先后异质外延生长钌酸锶(SrRuO3)氧化物底电极和铁酸铋(BiFeO3),形成BiFeO3/SrRuO3/SrTiO3结构的铁电薄膜。用原子力显微镜、压电力显微镜和XRD对BiFeO3薄膜进行微观表征,分析其表面形貌、电畴结构和结晶程度。通过磁控溅射的方法生长Au上电极,测试两种晶向BiFeO3薄膜的电滞回线以及I-V特性曲线,通过对比发现(100)晶向的BiFeO3薄膜导电性更强;最后对I-V曲线进行拟合,综合分析证明不同晶向的铁酸铋薄膜导电性不同的主要原因是受膜内陷阱密度、结晶度和空间电荷限制导电机制的影响。

关键词：脉冲激光沉积铁酸铋铁电导电机制空间电荷限制导电

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新型范德瓦耳斯单极势垒红外探测器

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物理 2021年第7期50卷 474-476页

作者：陈允枫周鹏胡伟达中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

红外光电探测器由于在制导、反导、夜视、侦查等军事领域的重要性和敏感性,是现代科技追逐的制高点之一,也是科学技术壁垒极高的一个研究领域。其中,暗电流的抑制是长期以来制约红外探测器实现高工作温度(high operating temperature,H... 详细信息

红外光电探测器由于在制导、反导、夜视、侦查等军事领域的重要性和敏感性,是现代科技追逐的制高点之一,也是科学技术壁垒极高的一个研究领域。其中,暗电流的抑制是长期以来制约红外探测器实现高工作温度(high operating temperature,HOT)的核心瓶颈问题。

关键词：红外探测器红外光电探测器高工作温度暗电流范德瓦耳斯夜视瓶颈问题

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模拟集成电路的仿真与优化方法概述

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微纳电子与智能制造 2021年第2期3卷 80-85页

作者：杨帆复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 复旦大学微电子学院上海201203

与数字集成电路不同,模拟集成电路的设计主要依靠电路仿真和人工经验来完成设计。模拟集成电路的仿真对于传统设计方法至关重要。随着机器学习和人工智能技术的发展,基于机器学习和人工智能的智能优化和自动化版图设计也逐渐发展起来。... 详细信息

与数字集成电路不同,模拟集成电路的设计主要依靠电路仿真和人工经验来完成设计。模拟集成电路的仿真对于传统设计方法至关重要。随着机器学习和人工智能技术的发展,基于机器学习和人工智能的智能优化和自动化版图设计也逐渐发展起来。本文介绍了模拟电路的仿真的发展历史及最新进展,以及基于机器学习和人工智能的智能优化和自动化版图设计的最新进展,最后展望模拟集成电路的仿真与优化的未来发展趋势。

关键词：分析建模优化模拟集成电路综述

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集成电路光刻机精密运动台控制方法综述

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长春工业大学学报 2022年第4期43卷 419-427页

作者：姜龙滨刘维珂杨晓峰复旦大学工程与应用技术研究院上海市超精密运动控制与检测工程研究中心上海200433 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

集成电路的持续发展推动了信息技术的进步。步进扫描式光刻机是集成电路装备中技术难度最高、价格最昂贵的关键设备。其中,精密运动台是光刻机最为核心的子系统之一,高速、高加速和高精度的要求对控制方法的研究和应用提出了挑战。文中... 详细信息

集成电路的持续发展推动了信息技术的进步。步进扫描式光刻机是集成电路装备中技术难度最高、价格最昂贵的关键设备。其中,精密运动台是光刻机最为核心的子系统之一,高速、高加速和高精度的要求对控制方法的研究和应用提出了挑战。文中对集成电路光刻机中精密运动台的控制方法进行了综述。首先,介绍了面向光刻机工件台或掩模台单一运动台的前馈反馈复合控制方法;其次,介绍了工件台和掩模台的同步控制方法;最后,介绍了运动台的主动减振控制方法。

关键词：光刻机迭代学习控制扰动观测器同步控制主动减振控制

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原子层淀积Si掺杂ZnO薄膜的光电性能研究

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淮北师范大学学报（自然科学版） 2022年第4期43卷 60-64页

作者：张远张永兴张金锋牟福生淮北师范大学物理与电子信息学院安徽淮北235000 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

文章对原子层淀积(ALD)Si掺杂ZnO(SZO)薄膜的结构、电学和光学性能进行研究.通过生长ZnO和SiO2叠层的方法得到不同硅(Si)掺杂浓度的SZO薄膜,XRD测量结果表明,SZO薄膜为多晶结构,AFM测量结果表明,掺杂后样品的表面粗糙度变小.随着Si掺杂... 详细信息

文章对原子层淀积(ALD)Si掺杂ZnO(SZO)薄膜的结构、电学和光学性能进行研究.通过生长ZnO和SiO2叠层的方法得到不同硅(Si)掺杂浓度的SZO薄膜,XRD测量结果表明,SZO薄膜为多晶结构,AFM测量结果表明,掺杂后样品的表面粗糙度变小.随着Si掺杂浓度的提高,SZO薄膜的载流子浓度先增大后减小,电阻率不断增大. SZO薄膜的可见光透射率在85%之上,光致发光谱表面SZO薄膜的发光以紫外光为主. ALD生长的SZO薄膜可以通过调整Si浓度对其光电性能进行精确调控,在透明导电薄膜、薄膜晶体管、紫外发光和探测器件方面有巨大的应用潜力.

关键词： Si掺杂 ZnO薄膜原子层淀积透光率光致发光

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TaN薄膜的等离子体增强原子层沉积及其抗Cu扩散性能

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材料研究学报 2019年第1期33卷 9-14页

作者：王永平丁子君朱宝刘文军丁士进专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子学院上海200433

使用Ta[N(CH3)2]5和NH3等离子体作为反物用等离子体增强原子层沉积工艺生长了TaN薄膜,借助原子力显微镜、X射线光电子能谱、四探针和X射线反射等手段研究了薄膜的性能与工艺条件之间的关系。结果表明,TaN薄膜主要由Ta、N和少量的C、O组... 详细信息

使用Ta[N(CH3)2]5和NH3等离子体作为反物用等离子体增强原子层沉积工艺生长了TaN薄膜,借助原子力显微镜、X射线光电子能谱、四探针和X射线反射等手段研究了薄膜的性能与工艺条件之间的关系。结果表明,TaN薄膜主要由Ta、N和少量的C、O组成。当衬底温度由250℃提高到325℃时Ta与N的原子比由46:41升高到55:35,C的原子分数由6%降低到2%。同时,薄膜的密度由10.9 g/cm3提高到11.6 g/cm3,电阻率由0.18Ω?cm降低到0.044Ω?cm。与未退火的薄膜相比,在400℃退火30 min后TaN薄膜的密度平均提高了～0.28 g/cm3,电阻率降低到0.12～0.029Ω?cm。在250℃生长的3 nm超薄TaN阻挡层在500℃退火30 min后仍保持良好的抗Cu扩散性能。

关键词：材料表面与界面原子层沉积扩散阻挡层退火 TaN薄膜

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芯片-系统电磁脉冲耦合的高性能全波电磁模拟

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强激光与粒子束 2021年第12期33卷 103-110页

作者：王卫杰赵振国胡少亮李瀚宇周海京中物院高性能数值模拟软件中心北京100088 北京应用物理与计算数学研究所北京100094 中国工程物理研究院复杂电磁环境科学与技术重点实验室四川绵阳621900 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

目的是研究高性能的电磁场仿真软件,对真实的芯片-系统电磁脉冲耦合过程进行高分辨率、高置信度的电磁仿真。研究重点是针对多尺度问题,突破算法的并行计算瓶颈。基于自主软件平台快速研发出仿真软件,在高性能计算平台上完成对真实复杂... 详细信息

目的是研究高性能的电磁场仿真软件,对真实的芯片-系统电磁脉冲耦合过程进行高分辨率、高置信度的电磁仿真。研究重点是针对多尺度问题,突破算法的并行计算瓶颈。基于自主软件平台快速研发出仿真软件,在高性能计算平台上完成对真实复杂问题的全波电磁仿真。通过对某真实机箱内部芯片的电磁脉冲耦合仿真分析,验证了本文提出的算法的高性能、高效率的特性。

关键词：芯片-系统电磁脉冲多尺度有限元方法并行计算

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