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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

作者：黄新运沈忱黄大鸣李名复复旦大学微电子学系复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海 201203

在本工作中，我们定义了的快速和慢速两种陷阱，并用图解的方式直观地解释了电荷泵测量中出现的诸如脉冲上升下降时间相关现象，频率相关现象，快速与慢速成分与测量电压的关系以及几何效应对电荷泵测量结果的影响。结果表明，由于电子... 详细信息

在本工作中，我们定义了的快速和慢速两种陷阱，并用图解的方式直观地解释了电荷泵测量中出现的诸如脉冲上升下降时间相关现象，频率相关现象，快速与慢速成分与测量电压的关系以及几何效应对电荷泵测量结果的影响。结果表明，由于电子和空穴的俘获截面不对称，并且测量到的电荷泵电流是由捕获截面较小的电子或者空穴陷阱决定，所以慢速陷阱的电荷泵测量中含有动态过程和稳态过程。

关键词：电荷泵浦界面态偏压温度不稳定性氧化层电荷几何效应空穴陷阱

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PECVD新型低介电常数SiCONF介质薄膜

PECVD新型低介电常数SiCONF介质薄膜

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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

作者：钱可嘉丁士进张卫刘冉专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子研究院上海 200433

以C2F6、SiH4和N2O为反应前驱体，采用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）制备了新型低介电常数SiCONF介质薄膜，并通过X射线光电子能谱（XPS）、电容－电压（C-V）和电流－电压（I-V）特性测试以及纳米压痕法对材料的组成、电学和力学... 详细信息

以C2F6、SiH4和N2O为反应前驱体，采用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）制备了新型低介电常数SiCONF介质薄膜，并通过X射线光电子能谱（XPS）、电容－电压（C-V）和电流－电压（I-V）特性测试以及纳米压痕法对材料的组成、电学和力学性质进行了表征。结果表明，随着C2F6流量的增加（同时保持其它气体流量不变），所淀积的薄膜中氟元素含量逐渐增加，氮元素含量逐渐降低，碳元素含量也表现出增加的趋势，薄膜的介电常数逐渐降低。当C2F6的流量为750sccm时，所淀积的SiCONF薄膜的介电常数为2.64，薄膜中氟的含量达到9.90％。该薄膜均具有良好的漏电特性，在1MV/cm的电场强度下，其泄漏电流密度小于3×10-8A/cm2。此外，薄膜的机械性能测试表明，所得薄膜均具有较好的机械性能，其硬度大于3GPa，杨氏模量大于84GPa，这可能与薄膜中氮元素的存在有关。另外，C、F两种元素的引入有利于降低薄膜的介电常数。

关键词：等离子体增强化学气相淀积低介电常数介质薄膜泄漏电流密度漏电特性机械性能杨氏模量

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基于SiO2/HfO2/A2lO3隧穿层的Co纳米晶存储电容研究

基于SiO2/HfO2/A2lO3隧穿层的Co纳米晶存储电容研究

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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

作者：黄玥苟鸿雁丁士进专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子研究院上海 200433

本文根据隧穿层能带工程提出的“可变氧化层厚度”的概念，设计了SiO2/HfO2/A2lO3叠层作为纳米晶MOS电容的隧穿层。利用金属层夹在隧穿层和控制层中间再进行退火处理会限制原子流动的特性来形成Co纳米晶。SiO2/HfO2/A2lO3/Co纳米晶/Al2O... 详细信息

本文根据隧穿层能带工程提出的“可变氧化层厚度”的概念，设计了SiO2/HfO2/A2lO3叠层作为纳米晶MOS电容的隧穿层。利用金属层夹在隧穿层和控制层中间再进行退火处理会限制原子流动的特性来形成Co纳米晶。SiO2/HfO2/A2lO3/Co纳米晶/Al2O3构成的MOS电容在1 MHz频率±7 V的扫描电压范围下净C-V滞回窗口能够达到1.98 V;其平带电压随着编程和擦除电压的增大分别向正方向和负方向漂移，直到出现饱和。这种现象可由库仑阻塞效应引起的库仑充电能来解释。从编程和擦除操作对应的能带示意图上可以看出，不同偏置电压下电荷对应的能量势垒不同，即有效隧穿电学厚度是可变的，从而导致了电荷隧穿机制的不同。

关键词：纳米晶非挥发存储器能带工程库仑阻塞效应隧穿层可变氧化层厚度金属氧化物半导体

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原子层淀积铪铝氧高K栅介质特性研究

原子层淀积铪铝氧高K栅介质特性研究

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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

作者：陈琳孙清清刘晗徐岩王鹏飞张卫复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子学系上海200433

本文利用先进的原子层淀积技术在Si（100）衬底上制备了HfAlO3.5高k栅介质薄膜。在等效电学厚度4.1 nm 的情况下，样品呈现优良的C-V 特性曲线，以及较小的电压滞回窗口(小于10 mV)。在100 kHz下测定了Al/HfAlO3.5/Si(100) MOS 结构电... 详细信息

本文利用先进的原子层淀积技术在Si（100）衬底上制备了HfAlO3.5高k栅介质薄膜。在等效电学厚度4.1 nm 的情况下，样品呈现优良的C-V 特性曲线，以及较小的电压滞回窗口(小于10 mV)。在100 kHz下测定了Al/HfAlO3.5/Si(100) MOS 结构电容的高频C-V 特性曲线，利用Terman方法获得了Si 禁带中央附近的界面态密度为5×1011 cm-2eV-1 到1×1012 cm-2eV-1之间，并用Hill-Coleman 测量方法进行了验证。研究了1 kHz到100 kHz HfAlO3.5 高k栅介质的频率耗散特性，发现由于寄生电阻的关系，随着频率的上升，其MOS 电容密度从0.73 μF/cm2 下降到 0.71 μF/cm2。研究表明，利用原子层淀积方法制备的HfxAlyOz复合介质材料在CMOS栅介质中有良好的应用前景。

关键词：铪铝氧介质薄膜高k栅介质原子层淀积等效电学厚度频率耗散特性寄生电阻金属氧化物半导体

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长期演进(LTE)接收器电路设计和分析

长期演进(LTE)接收器电路设计和分析

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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

作者：谢豪律闫娜闵昊曾晓洋复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室微电子研究院上海 201203

随着3GPP 主导的长期演进Long Term Evolution (LTE) 4G 无线通信标准在2008 年1 月取得了重大进展[1]，LTE 技术在各个领域的已经取得了迅猛的发展。日本，美国，欧洲，2010-2012 年将会开始商业化部署频分复用的LTE 通信网络。我国专... 详细信息

随着3GPP 主导的长期演进Long Term Evolution (LTE) 4G 无线通信标准在2008 年1 月取得了重大进展[1]，LTE 技术在各个领域的已经取得了迅猛的发展。日本，美国，欧洲，2010-2012 年将会开始商业化部署频分复用的LTE 通信网络。我国专用的时分复用LTE 通信网络，估计将在2012 后开始商业化部署。与传统的GSM 和WCDMA 手机通信标准相比，LTE 技术配合系统架构演进(SAE)技术，实现了无线接入系统的重大进步。LTE 可提供给单用户最大20MHz 的带宽，下行最高300Mbps、上行最高75Mbps 的峰值数据率，并通过减小延迟达到更快的响应速度。同时 LTE 采用了更多先进的无线接入技术：包括OFDMA(正交频分多址接入)技术的采纳以及利用多天线技术(MIMO)和更高阶调制实现频谱效率的提高。

关键词：长期演进接收器电路设计手机通信标准峰值数据率正交频分多址接入频谱效率

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基于钌纳米晶和Al2O3介质的MOS存储效应

基于钌纳米晶和Al2O3介质的MOS存储效应

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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

作者：苟鸿雁丁士进专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子研究院上海 200433

采用物理气相淀积(PVD)后退火的方法在原子层淀积的Al2O3薄膜表面生长钌(Ru)纳米晶，研究了淀积Ru薄膜的初始厚度、退火温度和退火时间对Ru纳米晶形成的影响，通过原子力显微镜（AFM）和透射电子显微镜（TEM）对样品表面形貌进行表征。... 详细信息

采用物理气相淀积(PVD)后退火的方法在原子层淀积的Al2O3薄膜表面生长钌(Ru)纳米晶，研究了淀积Ru薄膜的初始厚度、退火温度和退火时间对Ru纳米晶形成的影响，通过原子力显微镜（AFM）和透射电子显微镜（TEM）对样品表面形貌进行表征。结果表明，在Ru薄膜初始厚度为2 nm、退火温度为900℃、退火时间为30秒时，得到了直径为5-6 nm、密度约为1.6.1012/cm-2的高质量Ru纳米晶。并进一步对基于原子层淀积的Al2O3介质中嵌有Ru纳米晶的MOS电容进行了电学表征。结果表明，在+/-10V的扫描电压下，C-V滞回窗口可达10.2 V，在+/-8V、100 .s的编程/擦除操作时，其存储窗口为4.2V;在+/-10V下编程和擦除1ms所得存储窗口为9.8V，室温下10年后存储窗口仍然保持在7.1V。上述结果表明了嵌有Ru纳米晶的Al2O3介质MOS电容具有擦写电压低、速度快，电荷保持特性好等特点，因此在非挥发性快闪存储器中具有很好的应用前景。

关键词：物理气相淀积钌纳米晶存储效应金属氧化物半导体电学表征

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低成本高可靠性NOR型Flash耐久性测试系统的研究与设计

低成本高可靠性NOR型Flash耐久性测试系统的研究与设计

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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

作者：孙鹏彭丽花李楠郑国祥曾(华) 复旦大学材料科学系上海 200433 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海 200433 上海复旦微电子公司上海 200433 复旦大学材料科学系上海 200433

基于浮栅结构的NOR型Flash在进行长时间大量的读写操作后，会由于氧化层可靠性、读写干扰等问题，导致芯片出现耐久性缺陷。耐久性测试是Flash芯片测试中占用测试时间最长的测试过程，测试成本很高。本文在深入分析NOR型Flash耐久性缺... 详细信息

基于浮栅结构的NOR型Flash在进行长时间大量的读写操作后，会由于氧化层可靠性、读写干扰等问题，导致芯片出现耐久性缺陷。耐久性测试是Flash芯片测试中占用测试时间最长的测试过程，测试成本很高。本文在深入分析NOR型Flash耐久性缺陷机理的基础上，对Flash存储器耐久性测试方法进行了研究，设计了一种成本相对较低但可靠性很高的NOR型Flash耐久性测试与评估系统，该系统基于FPGA，可对待测芯片进行各种可编程的测试图形的耐久性读写测试，可实现长达100小时的稳定的可靠性读写实验，集成了对测试结果的定位、统计与评估，大大降低了测试成本。

关键词：耐久性测试浮栅结构读写操作芯片测试

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两种级联交错相位调制归零码的100Gbit/s传输

两种级联交错相位调制归零码的100Gbit/s传输

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全国第14次光纤通信暨第15届集成光学学术会议

作者：邵宇丰贺志学迟楠专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学通信科学与工程系上海 200433 光纤通信技术和网络国家重点实验室(筹) 武汉邮电科学研究院武汉 430074

本文在级联相位调制的100Gbit/s光信号传输系统中，提出了两种新码型-占空比为33％的光交错相移键控归零码(RZ—SDPSK)和占空比为67％的光交错相移键控载波抑制归零码(CSRZ—SDPSK)的产生和检测方案。通过50km的普通单模光纤(SMD)和8km... 详细信息

本文在级联相位调制的100Gbit/s光信号传输系统中，提出了两种新码型-占空比为33％的光交错相移键控归零码(RZ—SDPSK)和占空比为67％的光交错相移键控载波抑制归零码(CSRZ—SDPSK)的产生和检测方案。通过50km的普通单模光纤(SMD)和8km的色散补偿光纤(DCF)传输后，当入纤功率相同时，CSRZ—SDPSK码具有较高的色散容限:如果仅考虑一阶偏振模色散，RZ-SDPSK信号具有较好的抗偏振模色散特性。入纤功率在0～10dBm的范围内调节时，两种码型码有相似的传输特性。通过125GHz带宽的三阶高斯滤波器后，RZ—SDPSK码接收性能较优，并且三阶高斯滤波器的带宽值必须大于100GHz，才能有效地恢复信号时钟。

关键词：光纤通信数据传输相位调制色散补偿

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高性能QC-LDPC码译码器的VLSI实现

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计算机辅助设计与图形学学报 2008年第4期20卷 432-437页

作者：邓运松申瑞李庆曾晓洋复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

基于改进的最小和(Min-Sum)译码算法,提出一种高速半并行准循环低密度奇偶校验(QC-LDPC)码译码器结构.设计了对数桶型移位器来传递数据,以降低译码器内部连线的复杂度;引入微指令控制技术,使译码器的硬件结构独立于具体的码率和码的规则... 详细信息

基于改进的最小和(Min-Sum)译码算法,提出一种高速半并行准循环低密度奇偶校验(QC-LDPC)码译码器结构.设计了对数桶型移位器来传递数据,以降低译码器内部连线的复杂度;引入微指令控制技术,使译码器的硬件结构独立于具体的码率和码的规则性,可以在不改变硬件的情况下支持任意码率;采用动态功耗管理技术,译码器可以随信道好坏自动控制功耗.基于该结构实现了一个适合中国数字电视地面传输标准(GB20600—2006)系统的LDPC码译码器,在SMIC0.18μm标准CMOS工艺下综合,总面积仅为62万等效门,频率最高可达100MHz.

关键词： QC-LDPC码译码器高清数字电视最小和译码算法

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基于延迟合并嵌入的带障碍的时钟树布线算法

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计算机辅助设计与图形学学报 2008年第6期20卷 718-723页

作者：黄惠萍陆伟成付强赵文庆复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

提出一种在带障碍情况下,基于延迟合并嵌入方法的时钟树构建算法,并在时钟树构造过程中引入了轨迹图以保证布线可以绕过障碍.该算法以已知障碍为布线约束,首先自底向上计算时钟树内部节点的可能位置,然后自顶向下确定每个节点的确切位置... 详细信息

提出一种在带障碍情况下,基于延迟合并嵌入方法的时钟树构建算法,并在时钟树构造过程中引入了轨迹图以保证布线可以绕过障碍.该算法以已知障碍为布线约束,首先自底向上计算时钟树内部节点的可能位置,然后自顶向下确定每个节点的确切位置.实验结果表明,该算法能够正确、有效地实现有障碍存在时的时钟树布线,线长优化率超过7%.

关键词：时钟布线障碍延迟合并嵌入指定偏差

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