检索结果-内蒙古大学图书馆

红外与激光工程 2023年第4期52卷 235-243页

作者：赵琳张晓东雷李华袁群李锁印梁法国吴爱华河北半导体研究所河北石家庄050051 上海市计量测试技术研究院上海201203 南京理工大学电子工程与光电子技术学院江苏南京210094

硅基MEMS器件中存在大量高深宽比结构,对这些结构进行线宽和深度的无损检测,是当前的热点问题。为了实现对这些高深宽比结构无损测量系统的准确校准,采用半导体工艺研制了一系列高深宽比沟槽标准样板,宽度范围2~30μm、深度范围10~300... 详细信息

硅基MEMS器件中存在大量高深宽比结构,对这些结构进行线宽和深度的无损检测,是当前的热点问题。为了实现对这些高深宽比结构无损测量系统的准确校准,采用半导体工艺研制了一系列高深宽比沟槽标准样板,宽度范围2~30μm、深度范围10~300μm,其深宽比最大达到30∶1。为了满足样板的校准功能,设计了多种特征结构,包括辅助定值结构、测量定位结构和定位角结构等,还设计了样板量值的表征与考核方法。考核量值包括线宽尺寸、沟槽深度尺寸和均匀性。使用扫描电镜对标准样板进行了测试,结果表明该标准样板可以用于校准近红外宽光谱干涉显微测量系统。

关键词：高深宽比线宽沟槽深度复合型标准样板

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基于平移差分的微结构线宽显微测量方法

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光子学报 2023年第2期52卷 1-10页

作者：马剑秋高志山袁群郭珍艳孙一峰雷李华赵琳南京理工大学电子工程与光电技术学院南京210094 上海市计量测试技术研究院上海201203 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

从显微成像测量线宽的理论模型出发,分析了限制测量精度的边缘定位误差因素,基于阶跃边缘衍射光强微分的灵敏探测原理,提出一种平移差分的微结构线宽显微测量方法,即使用压电陶瓷微位移平台微量移动待测微结构沟槽,两步平移并采集三幅... 详细信息

从显微成像测量线宽的理论模型出发,分析了限制测量精度的边缘定位误差因素,基于阶跃边缘衍射光强微分的灵敏探测原理,提出一种平移差分的微结构线宽显微测量方法,即使用压电陶瓷微位移平台微量移动待测微结构沟槽,两步平移并采集三幅对沟槽清晰成像的显微图像,显微图像依次相减得到两幅差分图,将线宽测量转为差分脉冲距离测量,利用差分脉冲在阶跃边缘附近梯度变化灵敏度高的特点,突破衍射极限,提高线宽测量精度;再用纳米精度压电陶瓷位移台标定与显微成像系统有关的倍率测量常数,以压电陶瓷位移台的高精度保证测量结果的准确性。以可溯源计量部门、线宽为30.00μm的标准沟槽样板作为待测样品,10次测量得到线宽测量平均值30.03μm,标准差0.005μm,并对本方法进行了不确定度分析,最终得到合成不确定度为0.37%(k=1)。

关键词：线宽测量光学显微平移差分测量精度衍射极限

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悬浮聚合法制备多孔吡啶基阴离子交换树脂及其表征

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化学世界 2024年第3期65卷 184-188页

作者：胡崇庆韩刚陈彦良上海市计量测试技术研究院化学与电流辐射计量技术研究所上海201203

采用悬浮聚合法成功制备了多孔吡啶基弱碱性阴离子交换树脂(4VP-DVB),通过季铵化制备了强碱性阴离子交换树脂(4VP-DVBQ)。对两种树脂采用粒径分析、扫描电子显微镜(SEM)、比表面积测试(BET)、傅立叶变换红外吸收光谱(FT IR)以及热重分析... 详细信息

采用悬浮聚合法成功制备了多孔吡啶基弱碱性阴离子交换树脂(4VP-DVB),通过季铵化制备了强碱性阴离子交换树脂(4VP-DVBQ)。对两种树脂采用粒径分析、扫描电子显微镜(SEM)、比表面积测试(BET)、傅立叶变换红外吸收光谱(FT IR)以及热重分析(TGA)等进行了表征,并对成本进行了评估。实验结果表明:两种树脂都具有规则的球形结构,粒径分布于40~130μm,具备多孔性结构且平均孔径达15 nm;TGA结果表明,两种树脂有较好的热稳定性能,起始分解温度在200℃以上。

关键词：悬浮聚合法吡啶基树脂多孔性离子交换树脂

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基于纳米测量机的微结构三维坐标测量

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光学精密工程 2020年第10期28卷 2252-2259页

作者：吴俊杰李源上海市计量测试技术研究院机械与制造计量技术研究所上海201203

针对当前微纳米测量中存在的微结构跨尺度、高精度测量及高深宽比结构多参数表征问题,基于纳米测量机和微接触测头构建了纳米坐标测量系统。通过对测头与定位平台机械、电气及软件接口的设计,实现测头与平台的集成,并利用标准球对测量... 详细信息

针对当前微纳米测量中存在的微结构跨尺度、高精度测量及高深宽比结构多参数表征问题,基于纳米测量机和微接触测头构建了纳米坐标测量系统。通过对测头与定位平台机械、电气及软件接口的设计,实现测头与平台的集成,并利用标准球对测量系统进行校准。为保证测量结果的可溯源性,对定位平台三轴激光干涉仪的激光器进行了拍频。最后,利用搭建的测量系统对高度10μm,2 mm的超高台阶及硅臂卡爪的侧壁倾角进行了测量,表明系统具备大尺寸结构的高精度测量和复杂MEMS器件特征尺寸的精确表征能力。

关键词：微纳米测量纳米测量机三维微接触测头高深宽比侧壁倾角

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高深宽比沟槽标准样板的设计与表征

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微纳电子技术 2022年第12期59卷 1375-1382页

作者：陈雅晴管钰晴邹文哲赵琳梁法国孔明陈凯晴傅云霞雷李华中国计量大学计量测试工程学院杭州310018 上海市计量测试技术研究院上海201203 上海市在线检测与控制技术重点实验室上海201203 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

针对高深宽比三维结构无损测量系统的量值溯源难点,开发并设计了最大深宽比为30∶1,宽度为2~30μm,深度为10~300μm的一系列具有循迹结构、可快速定位功能的高深宽比沟槽标准样板。采用计量型扫描电子显微镜(SEM)对制备的高深宽比沟槽... 详细信息

针对高深宽比三维结构无损测量系统的量值溯源难点,开发并设计了最大深宽比为30∶1,宽度为2~30μm,深度为10~300μm的一系列具有循迹结构、可快速定位功能的高深宽比沟槽标准样板。采用计量型扫描电子显微镜(SEM)对制备的高深宽比沟槽标准样板进行参数表征与溯源性分析。结果表明标称宽度2μm、标称深度60μm的高深宽比沟槽标准样板,其实际宽度测量结果为(2.191±0.008)μm,实际深度测量结果为(59.923±0.040)μm。对于标称宽度30μm、标称深度200μm的标准样板,其实际宽度测量结果为(29.721±0.112)μm,实际深度测量结果为(200.343±0.220)μm,并实现了近红外光谱型高深宽比三维结构测量系统高精密的校准。实验结果表明:设计的高深宽比沟槽标准样板是一种理想的高深宽比沟槽标准样板。

关键词：高深宽比标准样板测量系统溯源性三维结构

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穆勒椭偏标定方法中LM算法研究

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红外与激光工程 2020年第8期49卷 160-168页

作者：管钰晴唐冬梅傅云霞孙佳媛韩志国张波孔明曹程明雷李华中国计量大学计量测试工程学院浙江杭州310018 上海市计量测试技术研究院上海201203 中国电子电科集团第十三研究所河北石家庄050051

依据穆勒椭偏测量方法中偏振光的传输方式,提出了一种椭偏系统中光学元件参数的定标方法。通过建立出射光强关于起偏器和检偏器透光轴方位角、旋转补偿器方位角和相位延迟的非线性最小二乘模型,用列文伯格-马夸尔特(Levenberg-Marquardt... 详细信息

依据穆勒椭偏测量方法中偏振光的传输方式,提出了一种椭偏系统中光学元件参数的定标方法。通过建立出射光强关于起偏器和检偏器透光轴方位角、旋转补偿器方位角和相位延迟的非线性最小二乘模型,用列文伯格-马夸尔特(Levenberg-Marquardt,LM)算法对初始参数进行迭代。求解出光学元件参数的精确值,从而实现对元件的定标。通过仿真实验,利用已知穆勒(Mueller)矩阵且标定值为(24.90±0.30)nm的SiO2/Si标准样片,基于LM算法迭代计算光强值的残差平方和。实验可得当迭代次数为50次时,残差平方和收敛到最小值0.24;与传统多点标定法进行对比试验,验证了基于LM算法求解光学参数的可行性;用标定值为(91.21±0.36)nm的SiO2/Si标准样片进行验证,得到膜厚的计算值为91.53 nm,相对误差为0.35%。结果表明:在穆勒椭偏系统参数标定中,LM算法具有收敛速度快,计算精度高等优点。

关键词：参数定标穆勒矩阵椭偏测量 LM算法标准样片

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电磁兼容　试验和测量技术　第39部分：近距离辐射场抗扰度试验

电磁兼容　试验和测量技术　第39部分：近距离辐射场抗扰度试验

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作者：马士平赵文晖陈世钢李妮黄攀吕飞燕姚利军高凯李焕然王伟明刘嘉伟邢琳田禾箐金善益桑昱上海市计量测试技术研究院中国电子技术标准化研究院中国电力科学研究院有限公司中国计量科学研究院联想(北京)有限公司北京无线电计量测试研究所国网上海市电力公司电力科学研究院上海市医疗器械检验研究院上海电器科学研究所(集团)有限公司

标准类型：国家标准

本文件规定了电气和电子设备暴露在近距离使用的射频（RF）发射机的辐射电磁能量下的抗扰度要求。建立了试验等级和所需的试验程序。适用频率范围为 9 kHz~6 GHz。考虑了暴露于便携式发射装置的固定安装设备，暴露于固定发射装置的移动...

标准号: GB/T 17626.39-2023

本文件规定了电气和电子设备暴露在近距离使用的射频（RF）发射机的辐射电磁能量下的抗扰度要求。建立了试验等级和所需的试验程序。适用频率范围为 9 kHz~6 GHz。考虑了暴露于便携式发射装置的固定安装设备，暴露于固定发射装置的移动设备，以及暴露于其他移动发射装置的移动设备。

关键词：

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电磁兼容　通用标准第2部分：工业环境中的抗扰度标准

电磁兼容　通用标准第2部分：工业环境中的抗扰度标准

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作者：李妮万保权陈世钢朱文立张建功邢琳刘兴发赵文晖赵军干喆渊谢辉春吴永康胡静竹张业茂贺伟中国电力科学研究院有限公司中国电子技术标准化研究院工业和信息化部电子第五研究所上海电器科学研究所(集团)有限公司上海市计量测试技术研究院

标准类型：国家标准

本文件适用于在工业场所（定义见3.7）中运行的电气和电子设备，包括室内和室外场所。本文件还适用于直接连接到直流（DC）配电网络或使用电池供电、且在工业场所中使用的设备。本文件为适用范围内的设备规定了连续和瞬态、传导和辐射...

标准号: GB/T 17799.2-2023

本文件适用于在工业场所（定义见3.7）中运行的电气和电子设备，包括室内和室外场所。本文件还适用于直接连接到直流（DC）配电网络或使用电池供电、且在工业场所中使用的设备。本文件为适用范围内的设备规定了连续和瞬态、传导和辐射骚扰以及静电放电相关的抗扰度试验要求。

关键词：

来源：评论

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集成电路　电磁抗扰度测量　第4部分：射频功率直接注入法

集成电路　电磁抗扰度测量　第4部分：射频功率直接注入法

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作者：张强崔强沈学其乔彦彬方文啸吴建飞刘小军王少启付君杨博李金龙崔培宾廉鹏飞史锁兰黄旭彪张红升刘洋鲍晶晶中国电子技术标准化研究院南京容测检测技术有限公司深圳市北测标准技术服务有限公司北京智芯微电子科技有限公司工业和信息化部电子第五研究所天津先进技术研究院江苏省质量和标准化研究院上海市计量测试技术研究院苏州菲利波电磁技术有限公司安徽省计量科学研究院中国信息通信研究院深圳市铨兴科技有限公司重庆邮电大学重庆仕益产品质量检测有限责任公司东莞职业技术学院上海精密计量测试研究所

标准类型：国家标准

本文件规定了在传导射频(RF)骚扰存在的情况下集成电路(IC)抗扰度的测量方法，例如，由辐射RF骚扰引起的传导RF骚扰。本方法确保抗扰度测量的高度可重复性和相关性。本文件为设备中的半导体器件在无用RF电磁波环境下工作时的评估建立...

标准号: GB/T 42968.4-2024

本文件规定了在传导射频(RF)骚扰存在的情况下集成电路(IC)抗扰度的测量方法，例如，由辐射RF骚扰引起的传导RF骚扰。本方法确保抗扰度测量的高度可重复性和相关性。本文件为设备中的半导体器件在无用RF电磁波环境下工作时的评估建立公共基础。

关键词：

来源：评论

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电磁兼容　试验和测量技术　第12部分：振铃波抗扰度试验

电磁兼容　试验和测量技术　第12部分：振铃波抗扰度试验

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作者：徐嵬陈庆梅田禾箐赵文晖霍宏艳丁少华邢琳张晓刚付兆丰中国电子科技集团公司第三研究所上海市计量测试技术研究院厦门光莆电子股份有限公司北京中认检测技术服务有限公司上海电器科学研究所(集团)有限公司

标准类型：国家标准

本文件描述了运行状态下的电气和电子设备对公共或非公共网络中低压电源、控制和信号线产生的振铃波的抗扰度要求和试验方法。本文件的目的是为评估电气和电子设备对振铃波的抗扰度建立共同基准。本文件规定的试验方法描述了评估设备或...

标准号: GB/T 17626.12-2023

本文件描述了运行状态下的电气和电子设备对公共或非公共网络中低压电源、控制和信号线产生的振铃波的抗扰度要求和试验方法。本文件的目的是为评估电气和电子设备对振铃波的抗扰度建立共同基准。本文件规定的试验方法描述了评估设备或系统对已定义现象的抗扰度的一致性方法。

关键词：

来源：评论

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