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检索条件"机构=上海市计量测试技术研究院电子与电气计量技术研究所"
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硅外延S坑缺陷的研究
收藏 引用
固体电子研究与进展 1999年 第2期19卷 221-225页
作者: 闵靖 邹子英 陈一 姚保纲 李积和 上海市计量测试技术研究院 上海微电子分析测试重点实验室 复旦大学材料科学研究所 上海硅材料厂
用扫描电镜、透射电镜和二次离子质谱研究了硅外延片中的S坑缺陷。在S坑缺陷中观察到一种线度比通常S坑更大的浅底坑缺陷。研究表明S坑缺陷分布在3~4μm深的外延表面层中,其结构为位错缠结及带有杂质沉淀的缺陷团。S坑缺陷起... 详细信息
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