检索结果-内蒙古大学图书馆

SIMOXIDE镁合金无铬化学转化工艺

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电镀与涂饰 2008年第5期27卷 34-37页

作者：卫中领沈钰李春梅陈秋荣黄元伟中国科学院上海微系统与信息技术研究所镁合金技术中心上海200050 嘉兴市轻合金技术重点实验室浙江嘉兴314051 嘉兴中科亚美合金技术有限责任公司浙江嘉兴314051

介绍了SIMOXIDE镁合金无铬化学转化膜的形貌、化学组成及相结构,描述了其成膜过程及电化学特性,给出了生产工艺。SIMOXIDE无铬化学转化膜具有表面电阻低、漆膜附着力高、耐蚀性强的特点,其主要性能达到甚至超过传统铬酸盐转化膜的水平。

关键词：镁合金化学转化工艺无铬电化学耐蚀性

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环境磁场的补偿与控制

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现代科学仪器 2008年第5期 114-116页

作者：丰朋胡国四蒋式勤陈亮谢晓明同济大学控制科学与工程系烟台大学光电信息科学技术学院中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

实现了一种对环境磁场补偿控制的比例积分(PI)控制模拟电路,即利用磁强计测量到的环境磁场作为系统输入,经过PI模拟电路放大处理后,作为反馈信号输出到线圈,形成闭环控制,起到了补偿环境磁场的作用。该模拟控制电路与数字电路方案相比,... 详细信息

实现了一种对环境磁场补偿控制的比例积分(PI)控制模拟电路,即利用磁强计测量到的环境磁场作为系统输入,经过PI模拟电路放大处理后,作为反馈信号输出到线圈,形成闭环控制,起到了补偿环境磁场的作用。该模拟控制电路与数字电路方案相比,具有控制速度快、结构简单等特点。实验结果说明,该系统对环境磁场的低频扰动具有较好的补偿作用。

关键词：环境磁场 PI控制模拟电路

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柔性神经微电极阵列设计及微加工工艺研究

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微细加工技术 2008年第2期 43-47页

作者：吴义伯邢玉梅倪鹤南徐爱兰惠春任秋实李刚上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030 上海交通大学生命科学技术学院上海200030 中国科学院上海微系统与信息技术研究所生物芯片实验室上海200050

采用聚对二甲苯(parylene)作为基底,通过对柔性神经微电极阵列结构、引线排布、电极材料等进行优化选择和设计,并采用微机电加工工艺(MEMS),设计并研制出了2×8柔性神经微电极阵列,旨在为视网膜神经接口电极的研究开发奠定基础。

关键词：微电极阵列聚对二甲苯微加工工艺柔性基底视网膜修复

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16SrDNA结合显色法芯片技术鉴定分枝杆菌的方法学研究

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中国病原生物学杂志 2008年第6期3卷 404-407,F0004页

作者：赵源景奉香刘志辉王洁郑瑞娟陆俊梅赵辉尹俊胡忠义上海市肺科医院上海市结核重点实验室上海200433 内蒙古农业大学生物工程学院中国科学院微系统与信息技术研究所广州市胸科医院

目的建立16SrDNA结合显色法芯片技术(玻璃芯片转尼龙膜显色法)鉴定分枝杆菌的方法。方法利用GenBank中细菌16SrDNA保守区序列,设计两对分枝杆菌属特异性通用引物,采用双重PCR法同时扩增16SrDNA的2个不同片段;根据已知16种分枝杆菌的16Sr... 详细信息

目的建立16SrDNA结合显色法芯片技术(玻璃芯片转尼龙膜显色法)鉴定分枝杆菌的方法。方法利用GenBank中细菌16SrDNA保守区序列,设计两对分枝杆菌属特异性通用引物,采用双重PCR法同时扩增16SrDNA的2个不同片段;根据已知16种分枝杆菌的16SrDNA序列,设计合成对应的特异性寡核苷酸探针。先用通用引物PCR扩增所有标准菌株DNA,PCR产物分别与16种分枝杆菌探针的玻璃芯片杂交,通过尼龙膜显色进行分析。结果应用显色法芯片技术分析16种分枝杆菌标准菌株和5种非分枝杆菌菌株,对其双重PCR、杂交、洗涤条件进行优化。确定双重PCR最佳退火温度为52℃,在该温度下除5株非分枝杆菌外均产生2条DNA片段,大小分别为272～280bp和183～192bp;杂交温度32℃、2×SSC洗涤5min、0.2×SSC洗涤1min,16种分枝杆菌的杂交效果最好,特异性达100%。结论用显色芯片法检测16SrDNA,可准确鉴别16种分枝杆菌。

关键词： 16SrDNA 显色芯片法分枝杆菌

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一种基于MELAS和MERRF综合征相关线粒体DNA突变位点检测集成芯片...

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中国遗传学会第八次代表大会暨学术讨论会

作者：陈刚李伟杜卫东曹慧敏汤华阳唐先发孙中武赵辉金庆辉赵建龙张学军安徽医科大学省部共建教育部重要遗传病基因资源利用重点实验室安徽省基因研究重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所安徽医科大学第一附属医院神经内科

建立了一种新型的寡核苷酸芯片,用于线粒体脑肌病伴高乳酸血症和卒中样发作 (mitochondrial encephalomyopathy with lactic acidosis and stroke-like episodes, MELAS)和肌阵挛性癫痫伴发不规整红纤维(myoclonic epilepsy with ragged red fibers, MERRF)线粒体 DNA 所有已知突变位点的集成检测。将31对 allele 位点特异性的寡核苷酸探针包被在醛基修饰的载玻片表面,以多重不对称 PCR 方法制备 Cy5荧光标记靶基因。利用此芯片对5例 MELAS 患者、5例 MERRF 患者及20例健康对照进行筛查,结果发现,MELAS 患者均为 MT-T1基因 A3243G 突变;在 MERRF 患者组,MT-TK 基因 A8344G 突变4例,T8356C 突变1 例;健康对照组均未发现31种相关 mtDNA 突变。芯片检测与 DNA 测序结果完全一致。结果表明,这种寡核苷酸芯片可以对 MELAS 和 MERRF 综合征已知突变位点进行同步快速检测,具有较高的灵敏度和特异性。这一模式的基因芯片经过适当改装后也可用于其他人类线粒体疾病的基因诊断。

关键词：寡核苷酸芯片线粒体 DNA 突变 MELAS 综合征 MERRF 综合征

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量子级联激光器有源核中界面声子的特性研究

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物理学报 2007年第1期56卷 500-506页

作者：徐刚毅李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

研究了量子级联激光器有源核中界面声子的色散关系和静电势分布.根据有源核内部的平移不变性导出了界面声子的色散关系.计算显示有源核中的界面声子可以分为体声子和表面声子模式.体声子的色散曲线构成一系列准连续的声子子带,其静电势... 详细信息

研究了量子级联激光器有源核中界面声子的色散关系和静电势分布.根据有源核内部的平移不变性导出了界面声子的色散关系.计算显示有源核中的界面声子可以分为体声子和表面声子模式.体声子的色散曲线构成一系列准连续的声子子带,其静电势分布于整个有源核并呈现出Bloch波的特征.表面声子的色散曲线位于各体声子子带的带隙内,其静电势局域在有源核一侧.这些结果将有助于量子级联激光器和子带跃迁激光器的优化设计.

关键词：量子级联激光器界面声子

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GaAs/AlAs DBR的GSMBE优化生长及表征

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稀有金属材料与工程 2007年第4期36卷 587-591页

作者：谢正生吴惠桢劳燕锋刘成曹萌中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

采用气态源分子束外延(GSMBE)技术优化生长了GaAs/AlAs分布布拉格反射镜(DBR)材料,并用X射线衍射(XRD)及反射光谱对其生长质量进行了表征。结果表明,采用5s间断生长的GaAs/AlAs DBR材料质量和界面质量优于无间断生长,并且10对GaAs/AlAs ... 详细信息

采用气态源分子束外延(GSMBE)技术优化生长了GaAs/AlAs分布布拉格反射镜(DBR)材料,并用X射线衍射(XRD)及反射光谱对其生长质量进行了表征。结果表明,采用5s间断生长的GaAs/AlAs DBR材料质量和界面质量优于无间断生长,并且10对GaAs/AlAs DBR的质量优于30对,说明DBR对数越多,周期厚度波动越大,材料质量越差。优化生长得到的30对GaAs/AlAs DBR的反射率大于99%,中心波长为1316nm,与理论设计结构的模拟结果基本一致,可用作1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)直接键合的反射腔镜。

关键词：分布布拉格反射镜气态源分子束外延 X射线衍射反射谱

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低温Au-In-Au金属键合及其在VCSELs制作中的应用

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金属学报 2007年第3期43卷 264-268页

作者：谢正生吴惠桢劳燕锋刘成曹萌中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

研究了Au-In-Au低温金属键合技术,并把它应用到长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)器件结构的制作中．利用该技术不仅有利于提升器件的热学性能,而且有利于提高VCSEL结构中分布Bragg反射腔镜(DBR)的反射率．实验结果表明,InP基外延半腔VC... 详细信息

研究了Au-In-Au低温金属键合技术,并把它应用到长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)器件结构的制作中．利用该技术不仅有利于提升器件的热学性能,而且有利于提高VCSEL结构中分布Bragg反射腔镜(DBR)的反射率．实验结果表明,InP基外延半腔VCSEL结构成功地在200℃低温下金属键合到Si衬底上,键合强度高,键合质量达到了VCSEL器件工艺制作要求．对键合样品光学特性的分析表明,低温金属键合过程不影响量子阱有源区及DBR的光学性质,这对VCSEL器件结构的制作是有利的．这种低温金属键合技术,有望应用在许多半导体光电器件的制作中．

关键词：低温金属键合垂直腔面发射激光器反射谱光致荧光谱

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气态源分子束外延Al_xGa_(1-x)As(x=0~1)材料中Si的掺杂行为研究(英文)

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红外与毫米波学报 2007年第1期26卷 1-4,9页

作者：李华李爱珍张永刚齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

研究了Si在AlxGa1-xAs(0≤x≤1)中的掺杂行为.为比较Al組份对Si掺杂浓度的影响,在用气态源分子束外延生长(GSMBE)掺Si n型AlxGa1-xAs(0≤x≤1)的所有样品时,n型掺杂剂Si炉的温度恒定不变.用Hall效应测量外延层的自由载流子浓度和迁移率,... 详细信息

研究了Si在AlxGa1-xAs(0≤x≤1)中的掺杂行为.为比较Al組份对Si掺杂浓度的影响,在用气态源分子束外延生长(GSMBE)掺Si n型AlxGa1-xAs(0≤x≤1)的所有样品时,n型掺杂剂Si炉的温度恒定不变.用Hall效应测量外延层的自由载流子浓度和迁移率,用X射线双晶衍射迴摆曲线测量外延层的组份.测试结果表明,当AlxGa1-xAs中Al组份从0增至0.38时,Si的掺杂浓度从4×1018cm-3降至7.8×1016cm-3,电子迁移率从1900 cm2/Vs降至100 cm2/Vs.这与AlxGa1-xAs材料的Γ-X直接—间接带隙的转换点十分吻合.在AlxGa1-xAs全组份范囲内,自由载流子浓度隨Al组份从0至1呈“V”形变化,在X=0.38处呈最低点.在x>0.4之后,AlxGa1-xAs的电子迁移随Al组分的增加,一直维持较低值且波动幅度很小.

关键词：气态源分子束外延 AlGaAs Si掺杂电学性质组分

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一种基于概率判决的强纠错卫星数据存储编码

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核电子学与探测技术 2007年第6期27卷 1210-1215页

作者：陈光重徐会勤李东中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

单粒子翻转可能造成星载电子系统的损伤,甚至使之失效。本文针对解决皮卫星数据存储的可靠性问题,提出一种新的纠错编码:交叉正反码,并将之与常用的三倍冗余判决(TMR)技术进行了比较研究。

关键词：单粒子翻转纠错编码 EDAC TMR 交叉正反码

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