检索结果-内蒙古大学图书馆

人工晶体学报 2007年第2期36卷 448-452,459页

作者：马铁英李铁刘文平王跃林中国科学院微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室

本文对采用PECVD技术制备的不同掺杂比掺磷硅薄膜在不同退火时间和温度下的结构和电阻温度系数进行了研究。拉曼散射光谱结果表明:未退火样品主要为非晶/微晶混合相;当退火温度从500℃上升到700℃,薄膜结构呈现出先向非晶相转变,后完全... 详细信息

本文对采用PECVD技术制备的不同掺杂比掺磷硅薄膜在不同退火时间和温度下的结构和电阻温度系数进行了研究。拉曼散射光谱结果表明:未退火样品主要为非晶/微晶混合相;当退火温度从500℃上升到700℃,薄膜结构呈现出先向非晶相转变,后完全晶化的趋势,与此同时,电阻率和电阻温度系数随掺杂浓度及退火温度的增加而单调减小。文中我们采用Lu的模型对上述实验结果进行了解释,认为由Si-P键构成的晶界势垒高度的变化是上述实验结果的根本原因。

关键词：退火拉曼散射电阻温度系数

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刻蚀改变InGaN/AlGaN应变多量子阱发光特性

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光学学报 2007年第3期27卷 494-498页

作者：曹萌吴惠桢劳燕锋刘成谢正生中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

为了分析干法刻蚀对应变多量子阱(SMQWs)发光特性的影响,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长的InGaN/AIGaN应变多量子阱覆盖层表面刻蚀了约95 nm。通过光致发光(PL)特性表征发现,干法刻蚀后量子阱... 详细信息

为了分析干法刻蚀对应变多量子阱(SMQWs)发光特性的影响,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长的InGaN/AIGaN应变多量子阱覆盖层表面刻蚀了约95 nm。通过光致发光(PL)特性表征发现,干法刻蚀后量子阱光致发光强度较未刻蚀量子阱光致发光强度提高了近3倍。干法刻蚀后,量子阱表面呈现高低起伏状形貌,粗糙度提高,出射光在起伏状粗糙形貌表面反复散射,从而逃逸概率增大,有助于光致发光强度增强。理论计算结果得出表面形貌变化引起的量子阱光致发光强度增强因子约为1．3倍。另外,由于所采用的感应耦合等离子体功率较小,刻蚀损伤深度几乎不会达到量子阱阱层,然而干法刻蚀过程中Ar离子隧穿到量子阱阱层内部可能形成新的发光中心,从而使量子阱的发光强度得到提高。

关键词：光学材料应变多量子阱干法刻蚀损伤光致发光

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极板不平行对力反馈微加速度传感器可靠工作范围的影响

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机械强度 2007年第5期29卷 745-748页

作者：吴浩车录锋王俊杰王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室

根据梳齿式电容加速度传感器极板不平行对传感器静电力和阻尼力的影响,建立有阻尼力反馈微加速度传感器的等效电学模型。通过电学模拟,分析不同阻尼情况下由工艺原因引起的电容极板不平行对传感器可靠工作范围的影响。结果表明,当传感... 详细信息

根据梳齿式电容加速度传感器极板不平行对传感器静电力和阻尼力的影响,建立有阻尼力反馈微加速度传感器的等效电学模型。通过电学模拟,分析不同阻尼情况下由工艺原因引起的电容极板不平行对传感器可靠工作范围的影响。结果表明,当传感器受阶跃信号的冲击时,可靠工作范围随极板倾斜程度的增大而减小,并且模拟结果还表明,在欠阻尼情况下传感器的可靠工作范围比临界阻尼或过阻尼情况下要小。

关键词：加速度传感器非平行极板阻尼等效电学模型阶跃响应可靠工作范围

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用于MEMS红外传感器的集成低噪声CMOS接口电路设计

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传感技术学报 2007年第10期20卷 2203-2206页

作者：姚镭郝跃国李铁熊斌王跃林传感技术联合国家重点实验室微系统技术国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

实现了一种应用于采集MEMS红外传感器微弱信号的低噪声CMOS接口电路.该电路应用了斩波技术(CHS),对斩波技术中抑制低频噪声的效率分析表明其可以有效降低低频噪声.利用苏州和舰科技(HJTC)的商用0.18μmCMOS工艺流程制作的试样芯片.测试... 详细信息

实现了一种应用于采集MEMS红外传感器微弱信号的低噪声CMOS接口电路.该电路应用了斩波技术(CHS),对斩波技术中抑制低频噪声的效率分析表明其可以有效降低低频噪声.利用苏州和舰科技(HJTC)的商用0.18μmCMOS工艺流程制作的试样芯片.测试结果证实了此电路的工作原理.整个斩波放大系统的增益为84.9dB,带宽160Hz,等效输入噪声87nV/rtHz.

关键词： CMOS接口电路单片集成MEMS 斩波技术红外传感器

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基于微电子机械系统的光学电流传感器原理与设计

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中国电机工程学报 2007年第3期27卷 89-94页

作者：赵本刚徐静高翔刘玉菲吴亚明中科院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海市长宁区200050

光学电流传感器解决了传统电流互感器的缺点,但仍然存在生产困难、性能易受环境温度影响等不足,MEMS作为一种新兴技术,可批量生产各种性能良好的微电子器件,该文提出了将MEMS技术用于检测高压交流电的光学电流传感器。高压侧的传感装置... 详细信息

光学电流传感器解决了传统电流互感器的缺点,但仍然存在生产困难、性能易受环境温度影响等不足,MEMS作为一种新兴技术,可批量生产各种性能良好的微电子器件,该文提出了将MEMS技术用于检测高压交流电的光学电流传感器。高压侧的传感装置由Rogowski线圈、MEMS扭转微镜和双光纤准直器组成。文中介绍了器件的高压侧敏感原理和光学检出原理,给出了器件的结构参数条件、模态分析和温度补偿结果,并利用ANSYS与Matlab软件对器件的性能进行了仿真模拟和分析。理论结果表明：温度补偿后,温度变化±50K时测试误差为0．2%,400A、2000A电流下的灵敏度分别为0．001dB/A与0．09dB/A,说明了基于MEMS技术的光学电流传感器具有一定的研究价值。

关键词：光学电流传感器微电子机械系统扭转微镜温度补偿耦合损耗

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微机械悬臂梁中的机械噪声机制分析

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传感技术学报 2007年第1期20卷 101-106页

作者：金大重李昕欣刘剑于海涛王跃林左国民李鹏中科院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

本文采用能量统计分布方法研究微机械悬臂梁的噪声模型,对热机械噪声理论模型进行了拓展和修正,使之适用于低温和高频条件.研究了温度、压力和频率对热机械噪声、温漂噪声和吸附-脱附噪声的影响.根据研究结果对静态检测悬臂梁和动态频... 详细信息

本文采用能量统计分布方法研究微机械悬臂梁的噪声模型,对热机械噪声理论模型进行了拓展和修正,使之适用于低温和高频条件.研究了温度、压力和频率对热机械噪声、温漂噪声和吸附-脱附噪声的影响.根据研究结果对静态检测悬臂梁和动态频率响应悬臂梁传感器进行了具体分析.对于静态下工作的微机械悬臂梁,振幅的随机变化取决于热机械噪声.对于工作在谐振状态的微米尺度悬臂梁,在室温常压下热机械噪声是主要的噪声机制;当尺寸进一步缩小至纳米尺度时,表面效应变得显著,吸附-脱附噪声成为主要的噪声机制.基于对不同情况下噪声特性的分析,对微机械悬臂梁传感器的优化设计规则进行了探讨.

关键词：微电子机械系统噪声机制微机械悬臂梁分辨率

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长波长VCSEL结构中的欧姆接触工艺

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半导体光电 2007年第5期28卷 667-670,675页

作者：刘成曹春芳劳燕锋曹萌吴惠桢中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

简要叙述了欧姆接触工艺在长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)制作中的重要作用。采用圆环传输线方法(CTLM)研究了应用于长波长VCSEL结构的p型InGaAsP和InP材料与Ti-Au的接触特性,发现p-InGaAsP与Ti-Au经高温退火后能获得欧姆接触,其最低... 详细信息

简要叙述了欧姆接触工艺在长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)制作中的重要作用。采用圆环传输线方法(CTLM)研究了应用于长波长VCSEL结构的p型InGaAsP和InP材料与Ti-Au的接触特性,发现p-InGaAsP与Ti-Au经高温退火后能获得欧姆接触,其最低比接触电阻值可达6.49×10-5Ω.cm2。将此工艺结果应用于1.3μm VCSEL结构中,发现其开启电压和串联电阻显著减小。

关键词：垂直腔面发射激光器欧姆接触比接触电阻快速退火

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干法刻蚀影响应变量子阱发光的机理研究

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物理学报 2007年第2期56卷 1027-1031页

作者：曹萌吴惠桢刘成劳燕锋黄占超谢正生张军江山中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室武汉邮电科学研究院武汉430074

采用感应耦合等离子体刻蚀技术对InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱材料的覆盖层进行了不同厚度的干法刻蚀.实验结果表明,干法刻蚀后量子阱光致荧光强度得到了不同程度的增强.干法刻蚀过程不仅增加了材料表面粗糙度,同... 详细信息

采用感应耦合等离子体刻蚀技术对InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱材料的覆盖层进行了不同厚度的干法刻蚀.实验结果表明,干法刻蚀后量子阱光致荧光强度得到了不同程度的增强.干法刻蚀过程不仅增加了材料表面粗糙度,同时使其内部微结构发生变化.采用湿法腐蚀方法去除表面变粗糙对量子阱发光特性的影响,得到干法刻蚀覆盖层20nm后应变单量子阱微结构变化和其表面粗糙度变化两个因素分别使荧光强度提高1.8倍和1.2倍的结果.

关键词：干法刻蚀应变多量子阱光致发光谱损伤

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Pb_(1-x)Sr_xSe薄膜材料的微结构和光学特性

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无机材料学报 2007年第6期22卷 1108-1112页

作者：王擎雷吴惠桢斯剑霄徐天宁夏明龙谢正生劳燕锋浙江大学物理系杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用分子束外延的方法在BaF_2衬底(111)上制备出了高质量的Pb_(1-x)Sr_xSe(0≤x≤0.050)薄膜.X射线衍射结果表明,Pb_(1-x)Sr_xSe薄膜为立方相NaCl型晶体结构,没有观察到SrSe相分离现象,薄膜的取向为平行于衬底(111)晶面.薄膜晶格常数随S... 详细信息

采用分子束外延的方法在BaF_2衬底(111)上制备出了高质量的Pb_(1-x)Sr_xSe(0≤x≤0.050)薄膜.X射线衍射结果表明,Pb_(1-x)Sr_xSe薄膜为立方相NaCl型晶体结构,没有观察到SrSe相分离现象,薄膜的取向为平行于衬底(111)晶面.薄膜晶格常数随Sr含量的增加逐渐增大,Sr含量由Vegard公式得到.再用理论模拟Pb_(1-x)Sr_xSe薄膜透射光谱的方法得到了相应的带隙.最后通过介电函数模型拟合得到了PbSe和Pb_(1-x)Sr_xSe薄膜在光子能量位于基本带隙附近的折射率n和吸收系数α.

关键词： Pb1-xSrxSe外延薄膜透射光谱折射率吸收系数

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Pb_(1-x)Mn_xSe薄膜的光学特性

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物理学报 2007年第8期56卷 4950-4954页

采用分子束外延的方法在BaF2(111)衬底上制备出了高质量的Pb1-xMnxSe(0≤x≤0.0681)薄膜.X射线衍射结果表明,Pb1-xMnxSe薄膜为立方相NaCl型结构,没有观察到MnSe相分离现象,薄膜的取向为平行于衬底(111)晶面.晶格常数随着Mn含量的增加逐... 详细信息

采用分子束外延的方法在BaF2(111)衬底上制备出了高质量的Pb1-xMnxSe(0≤x≤0.0681)薄膜.X射线衍射结果表明,Pb1-xMnxSe薄膜为立方相NaCl型结构,没有观察到MnSe相分离现象,薄膜的取向为平行于衬底(111)晶面.晶格常数随着Mn含量的增加逐渐减小,Mn含量由Vegard公式得到.通过理论模拟Pb1-xMnxSe薄膜的透射光谱,得到了Pb1-xMnxSe薄膜的带隙与Mn组分的关系,Pb1-xMnxSe薄膜的带隙宽度由0.28eV(x=0)按e指数形式增加到0.49eV(x=0.0681).同时还获得了Pb1-xMnxSe薄膜在波长为4—9.5μm间的折射率.

关键词： Pb1-xMnxSe外延薄膜透射光谱带隙折射率

来源：评论

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