检索结果-内蒙古大学图书馆

Journal of Semiconductors 2007年第11期28卷 1765-1768页

作者：孙浩齐鸣徐安怀艾立鹍朱福英中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

以四溴化碳(CBr4)作为碳掺杂源,采用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长了InP衬底上晶格匹配的重碳掺杂p型GaAsSb材料.通过改变CBr4压力,研究了掺杂浓度在(1～20)×1019cm-3范围内的掺杂特性,得到的最大掺杂浓度为2.025×1020cm-3... 详细信息

以四溴化碳(CBr4)作为碳掺杂源,采用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长了InP衬底上晶格匹配的重碳掺杂p型GaAsSb材料.通过改变CBr4压力,研究了掺杂浓度在(1～20)×1019cm-3范围内的掺杂特性,得到的最大掺杂浓度为2.025×1020cm-3,相应的空穴迁移率为20.4cm2/(V.s).研究了不同生长温度对掺碳GaAsSb外延层组分、晶格质量和表面粗糙度的影响,结果表明480℃是生长优良晶格质量的最优温度.

关键词：异质结双极晶体管 InP GaAsSb 碳掺杂气态源分子束外延

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离子注入在1.3μm面发射激光器结构中的应用

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功能材料 2007年第8期38卷 1257-1259,1264页

作者：刘成曹春芳劳燕锋曹萌谢正生吴惠桢中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

研究了H+离子注入对InP材料和1.3μm面发射激光器结构的电学、光学性能的影响。当离子注入后InP表面电学特性退化,在300℃以上退火后,材料表面回复较好,H+离子注入区电阻率约为InP体材料的104倍。接着,将离子注入工艺应用于1.3μm面发... 详细信息

研究了H+离子注入对InP材料和1.3μm面发射激光器结构的电学、光学性能的影响。当离子注入后InP表面电学特性退化,在300℃以上退火后,材料表面回复较好,H+离子注入区电阻率约为InP体材料的104倍。接着,将离子注入工艺应用于1.3μm面发射激光器结构电流限制孔径的制作,通过比较电学特性得出450℃的最佳退火温度,并发现高温退火后电致发光强度增强。

关键词：垂直腔面发射激光器离子注入退火

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一种具有“8悬臂梁-质量块”结构的新型硅微加速度计

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Journal of Semiconductors 2007年第5期28卷 783-788页

作者：王育才焦继伟段飞张颖宓斌玮李金鹏钱清王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室

提出了一种具有“8悬臂梁-质量块”结构的新型三明治式硅微机械电容式加速度计,用微机械加工工艺在(111)硅片上制作出了具有信号输出的器件.该加速度计的惯性质量块由同一(111)硅片上下表面对称分布的8根悬臂梁支撑.这些悬臂梁是利用(1... 详细信息

提出了一种具有“8悬臂梁-质量块”结构的新型三明治式硅微机械电容式加速度计,用微机械加工工艺在(111)硅片上制作出了具有信号输出的器件.该加速度计的惯性质量块由同一(111)硅片上下表面对称分布的8根悬臂梁支撑.这些悬臂梁是利用(111)硅在KOH溶液中的各向异性腐蚀特性结合深反应离子刻蚀(DRIE)实现的,其尺度精确可控,保证了结构的对称性.该加速度计的谐振频率为2·08kHz,品质因子Q为21·4,灵敏度为93·7mV/g.

关键词：微加速度计微机械加工各向异性腐蚀

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石油勘探用MEMS加速度传感器噪声机理研究

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传感器与微系统 2007年第1期26卷 41-44页

作者：王俊杰车录锋吴浩王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室

针对石油勘探的应用需求,分析了MEMS加速度传感器及其检测电路的噪声源,并对不同电路结构的噪声进行了比较。根据分析结果,采取多种措施进行了改进,振动测试结果表明:传感器分辨力由原来的大于0.01m/s2提高到0.001m/s2,进一步提高了MEM... 详细信息

针对石油勘探的应用需求,分析了MEMS加速度传感器及其检测电路的噪声源,并对不同电路结构的噪声进行了比较。根据分析结果,采取多种措施进行了改进,振动测试结果表明:传感器分辨力由原来的大于0.01m/s2提高到0.001m/s2,进一步提高了MEMS加速度传感器的性能。

关键词： MEMS加速度传感器检测电路分辨力噪声

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微机械Golay腔型红外探测器的研究

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传感器与微系统 2007年第3期26卷 20-23页

作者：高翔徐静赵本刚万助军吴亚明中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室

通过分析微机械Golay腔型红外探测器设计中影响性能的关键因素:温致压变系数、红外吸收层、阻尼噪声,提出了一种采用硅和玻璃阳极键合技术实现的新型Golay腔型红外探测器。计算其灵敏度为2 700 pF/W、噪声等效功率为8.4×10-8W/Hz1/... 详细信息

通过分析微机械Golay腔型红外探测器设计中影响性能的关键因素:温致压变系数、红外吸收层、阻尼噪声,提出了一种采用硅和玻璃阳极键合技术实现的新型Golay腔型红外探测器。计算其灵敏度为2 700 pF/W、噪声等效功率为8.4×10-8W/Hz1/2和响应时间为0.5m s。利用光学测量变形,可以实现探测器无电化设计,使得测量不受强电磁场和湿度的影响。

关键词：微电子机械系统红外探测器气动 Golay腔

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一种硅四层键合的高对称电容式加速度传感器

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Journal of Semiconductors 2007年第10期28卷 1620-1624页

作者：徐玮鹤车录锋李玉芳熊斌王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室

提出了一种利用体微机械加工技术制作的硅四层键合高对称电容式加速度传感器.采用硅/硅直接键合技术实现中间对称梁质量块结构的制作,然后采用硼硅玻璃软化键合方法完成上、下电极的键合.在完成整体结构圆片级真空封装的同时,通过引线... 详细信息

提出了一种利用体微机械加工技术制作的硅四层键合高对称电容式加速度传感器.采用硅/硅直接键合技术实现中间对称梁质量块结构的制作,然后采用硼硅玻璃软化键合方法完成上、下电极的键合.在完成整体结构圆片级真空封装的同时,通过引线腔结构方便地实现了中间电极的引线.传感器芯片大小为6.8mm×5.6mm×1.68mm,其中敏感质量块尺寸为3.2mm×3.2mm×0.84mm.对封装的传感器性能进行了初步测试,结果表明制作的传感器漏率小于0.1×10-9cm3/s,灵敏度约为6pF/g,品质因子为35,谐振频率为489Hz.

关键词：电容式加速度传感器硅/硅键合圆片级真空封装

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Effects of Si Ion Implantation on the Total-Dose Radiation Properties of SIMOX SOI Materials

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Journal of Semiconductors 2007年第3期28卷 323-326页

作者：杨慧张恩霞张正选中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

To improve the total-dose radiation hardness,silicon-on-insulator （SOI） wafers fabricated by the separation-by-implanted-oxygen （SIMOX） method are modified by Si ion implantation into the buried oxide with a post anneal. The ID- VG characteristics can be tested with the pseudo-MOSFET method before and after radiation. The results show that a proper Si-ion-implantation method can enhance the total-dose radiation tolerance of the materials.

关键词： SIMOX SOI Si ion implantation total-dose radiation effect pseudo-MOS

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室温低阈值分布反馈量子级联激光器

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Journal of Semiconductors 2007年第Z1期28卷 489-491页

作者：徐刚毅李耀耀李爱珍魏林张永刚李华中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

报道了室温脉冲工作和低温下连续工作的分布反馈量子级联激光器(DFB-QCL),提出了一种新型波导和光栅制备技术,同时获得了合适的光耦合系数和低的波导损耗.利用这种方法研制出波长为7.7μm的分布反馈量子级联激光器.激光器可以在大的温... 详细信息

报道了室温脉冲工作和低温下连续工作的分布反馈量子级联激光器(DFB-QCL),提出了一种新型波导和光栅制备技术,同时获得了合适的光耦合系数和低的波导损耗.利用这种方法研制出波长为7.7μm的分布反馈量子级联激光器.激光器可以在大的温度范围内(155～320K)实现单模激射,边模抑制比约***-QCL在室温脉冲工作时阈值电流密度为970A/cm2,峰值输出功率达到75mW.该激光器还可以在连续模式下工作,最高工作温度为130K.

关键词：中红外分布反馈量子级联激光器

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THz量子级联激光器的材料生长和器件制作

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功能材料 2007年第A1期38卷 11-12页

作者：韩英军黎华谭智勇曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用分子束外延的方法，生长了GaAs／Al0.17Ga0.85As基共振声子辅助跃迁的太赫兹量子级联激光器结构，并按照单面金属波导的工艺进行了器件制作。材料的结构由高分辨X射线衍射来确定。在温度为9-150K的范围内，测量了器件的I-V曲线。

关键词：太赫兹量子级联激光器分子束外延

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含有低温AlN插入层的厚膜GaN的氢化物气相外延生长

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Journal of Semiconductors 2007年第Z1期28卷 238-240页

作者：于广辉雷本亮孟胜王新中林朝通齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

研究了采用低温氮化铝(LT-AlN)插入层的厚膜GaN的氢化物气相外延生长(HVPE),并比较了7nm厚的LT-AlN插入层在经过不同退火时间后对GaN膜生长的影响.结果表明,退火后的LT-AlN插入层表面形貌发生很大变化.在一定的退火条件下,AlN插入层能... 详细信息

研究了采用低温氮化铝(LT-AlN)插入层的厚膜GaN的氢化物气相外延生长(HVPE),并比较了7nm厚的LT-AlN插入层在经过不同退火时间后对GaN膜生长的影响.结果表明,退火后的LT-AlN插入层表面形貌发生很大变化.在一定的退火条件下,AlN插入层能有效地改善HVPE生长的GaN外延层的结晶质量.

关键词：氮化镓氢化物气相外延低温氮化铝插入层

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