检索结果-内蒙古大学图书馆

Effects of Si Ion Implantation on the Total-Dose Radiation Properties of SIMOX SOI Materials

Journal of Semiconductors 2007年第3期28卷 323-326页

作者：杨慧张恩霞张正选中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

To improve the total-dose radiation hardness,silicon-on-insulator （SOI） wafers fabricated by the separation-by-implanted-oxygen （SIMOX） method are modified by Si ion implantation into the buried oxide with a post anneal. The ID- VG characteristics can be tested with the pseudo-MOSFET method before and after radiation. The results show that a proper Si-ion-implantation method can enhance the total-dose radiation tolerance of the materials.

关键词： SIMOX SOI Si ion implantation total-dose radiation effect pseudo-MOS

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含有低温AlN插入层的厚膜GaN的氢化物气相外延生长

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Journal of Semiconductors 2007年第z1期28卷 238-240页

作者：于广辉雷本亮孟胜王新中林朝通齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

研究了采用低温氮化铝(LT-AlN)插入层的厚膜GaN的氢化物气相外延生长(HVPE),并比较了7nm厚的LT-AlN插入层在经过不同退火时间后对GaN膜生长的影响.结果表明,退火后的LT-AlN插入层表面形貌发生很大变化.在一定的退火条件下,AlN插入层能... 详细信息

研究了采用低温氮化铝(LT-AlN)插入层的厚膜GaN的氢化物气相外延生长(HVPE),并比较了7nm厚的LT-AlN插入层在经过不同退火时间后对GaN膜生长的影响.结果表明,退火后的LT-AlN插入层表面形貌发生很大变化.在一定的退火条件下,AlN插入层能有效地改善HVPE生长的GaN外延层的结晶质量.

关键词：氮化镓氢化物气相外延低温氮化铝插入层

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THz量子级联激光器的材料生长和器件制作

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功能材料 2007年第A01期38卷 11-12页

作者：韩英军黎华谭智勇曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用分子束外延的方法，生长了GaAs／Al0.17Ga0.85As基共振声子辅助跃迁的太赫兹量子级联激光器结构，并按照单面金属波导的工艺进行了器件制作。材料的结构由高分辨X射线衍射来确定。在温度为9-150K的范围内，测量了器件的I-V曲线。

关键词：太赫兹量子级联激光器分子束外延

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高Q值音叉式微陀螺静电自激驱动研究

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传感器与微系统 2007年第10期26卷 38-40页

作者：王俊杰车录锋李玉芳熊斌谢铮王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

为了提高检测精度,对研制的具有滑膜阻尼的音叉式微机械陀螺采用静电自激驱动方式,它能够使驱动振动自动稳定在驱动模态的固有频率上,并保持恒定的驱动振动速度幅度。分析了静电自激驱动电路工作原理,采用自动增益控制(AGC)设计制作了... 详细信息

为了提高检测精度,对研制的具有滑膜阻尼的音叉式微机械陀螺采用静电自激驱动方式,它能够使驱动振动自动稳定在驱动模态的固有频率上,并保持恒定的驱动振动速度幅度。分析了静电自激驱动电路工作原理,采用自动增益控制(AGC)设计制作了相应的检测电路,实现了Q值为325、谐振频率为2.04 kHz微陀螺的闭环恒幅自激振动。

关键词：微机械陀螺自激振动自动增益控制

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金属键合技术及其在光电器件中的应用

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激光与光电子学进展 2007年第1期44卷 31-37页

作者：谢正生吴惠桢劳燕锋刘成曹萌中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

系统阐述了金属键合的发展概况、基本工艺和方法、表征技术及其在光电器件中的应用。金属键合制备光电器件的一般工艺流程分为三步:蒸镀金属薄膜、键合、腐蚀去除衬底,列举了常用的金属键合方法及其工艺条件;并着重论述了该技术在光电... 详细信息

系统阐述了金属键合的发展概况、基本工艺和方法、表征技术及其在光电器件中的应用。金属键合制备光电器件的一般工艺流程分为三步:蒸镀金属薄膜、键合、腐蚀去除衬底,列举了常用的金属键合方法及其工艺条件;并着重论述了该技术在光电器件特别是垂直腔面发射激光器(VCSEL)器件结构制作中的应用。金属键合可以实现衬底倒扣和改善器件热学性能,而对器件原有的光学性质影响不大。

关键词：光电器件金属键合工艺表征应用垂直腔面发射激光器

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锗纳米晶浮栅存储器的电荷存储特性

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功能材料与器件学报 2007年第2期13卷 145-149页

作者：刘奇斌宋志棠吴良才封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术实验室

Ge纳米晶嵌入高k介质中既可以提高器件的可靠性又可以降低写入电压和提高存储速度。本实验主要研究了用于非挥发存储器的含有Ge纳米晶MIS结构的电荷存储特性。MIS结构由电子束蒸发的方法制备,包括Al2O3控制栅,Al2O3中Ge纳米晶和Al2O3隧... 详细信息

Ge纳米晶嵌入高k介质中既可以提高器件的可靠性又可以降低写入电压和提高存储速度。本实验主要研究了用于非挥发存储器的含有Ge纳米晶MIS结构的电荷存储特性。MIS结构由电子束蒸发的方法制备,包括Al2O3控制栅,Al2O3中Ge纳米晶和Al2O3隧道氧化层。这种MIS结构在1MHz下的C-V特性表现出良好的电学性能,平带电压漂移为0.96V,电荷存储密度达到4.17×1012cm-2。不同频率下Ge纳米晶在Al2O3介质中电荷存储特性随着频率的增加,平带电压的漂移和存储的电荷数减小。随着扫描速率的增加,平带电压的漂移和存储电荷也减小。

关键词： Ge纳米晶高k介质 C-V曲线

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一种非致冷光读出红外成像阵列器件的设计

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半导体光电 2007年第3期28卷 327-330,337页

作者：杨广立冯飞熊斌王跃林中国科学院研究生院北京100039 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

提出了一种具有“双材料梁-微镜一体化”特征结构的光读出红外成像阵列器件。该特征结构集成了红外敏感、调制和输出读出可见光信号的双重功能。通过研究相关性能,完成了像素单元尺寸的优化设计。理论计算表明,其关键性能指标的热-机械... 详细信息

提出了一种具有“双材料梁-微镜一体化”特征结构的光读出红外成像阵列器件。该特征结构集成了红外敏感、调制和输出读出可见光信号的双重功能。通过研究相关性能,完成了像素单元尺寸的优化设计。理论计算表明,其关键性能指标的热-机械灵敏度和噪声等效温差分别为2.14×10-3rad/K和2.94 mK。

关键词：双材料梁-微镜一体化热-机械灵敏度热时间常数噪声等效温差光读出红外成像阵列器件

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几种基于MEMS的纳米梁制作方法研究

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传感技术学报 2007年第9期20卷 1971-1976页

作者：许科峰于海涛杨永亮杨恒李昕欣王跃林中国科学院研究生院北京100864 上海微系统与信息技术研究所传感器技术联合国家重点实验室上海200050

特征尺度在纳米量级的梁结构是多种纳机电器件的基本结构.提出了几种基于MEMS技术的纳米梁制作方法,通过利用MEMS技术中材料与工艺的特性实现单晶硅纳米梁的制作.在普通(111)硅片上,利用各向异性湿法腐蚀对(111)面腐蚀速率极低的特性,... 详细信息

特征尺度在纳米量级的梁结构是多种纳机电器件的基本结构.提出了几种基于MEMS技术的纳米梁制作方法,通过利用MEMS技术中材料与工艺的特性实现单晶硅纳米梁的制作.在普通(111)硅片上,利用各向异性湿法腐蚀对(111)面腐蚀速率极低的特性,通过干法与湿法腐蚀相结合制成厚度在100nm以下的纳米梁.该方法不使用SOI硅片,有效控制了成本.在(100)SOI硅片上,通过氧化减薄的方法得到厚度在100nm以下的多种纳米梁,由于热氧化的精度高,一致性好,该方法重复性与一致性均较好.在(110)SOI硅片上,利用硅的各向异性腐蚀特性以及(110)硅片的晶向特点,制作宽度在100nm以下的纳米梁,梁的两个侧面是(111)面.

关键词： MEMS 纳米梁各向异性腐蚀硅纳米谐振器

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长波长垂直腔面发射激光器研究

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物理 2007年第4期36卷 306-312页

作者：谢正生吴惠桢劳燕锋刘成曹萌曹春芳中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

垂直腔面发射激光器(简称VCSEL)近年来受到了国内外科技界和企业界的高度关注,它在光通信领域具有潜在的应用.文章主要介绍了长波长垂直腔面发射激光器的发展历史、基本应用、器件结构、材料和制备工艺,最后分析了研制长波长VCSEL所遇... 详细信息

垂直腔面发射激光器(简称VCSEL)近年来受到了国内外科技界和企业界的高度关注,它在光通信领域具有潜在的应用.文章主要介绍了长波长垂直腔面发射激光器的发展历史、基本应用、器件结构、材料和制备工艺,最后分析了研制长波长VCSEL所遇到的问题及相应解决方法,并进行了展望.

关键词：垂直腔面发射激光器(VCSEL) 布拉格反射镜(DBR) 有源层键合隧道结

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用于化学气体检测的压阻检测式二氧化硅微悬臂梁传感器

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传感技术学报 2007年第10期20卷 2174-2177页

作者：李鹏李昕欣王跃林上海交通大学微纳科学技术研究院上海200030 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

文中演示了一种高分辨率的压阻检测式二氧化硅微悬臂梁传感器及其制作方法,并利用该传感器实现了对化学气体的检测.通过传感器在线检测以及其它表征手段,验证了该传感器通过单分子自组装方法获得敏感层的可行性.经过Cu2+/巯基十一酸单... 详细信息

文中演示了一种高分辨率的压阻检测式二氧化硅微悬臂梁传感器及其制作方法,并利用该传感器实现了对化学气体的检测.通过传感器在线检测以及其它表征手段,验证了该传感器通过单分子自组装方法获得敏感层的可行性.经过Cu2+/巯基十一酸单分子自组装层修饰的微悬臂梁传感器可以对甲基膦酸二甲酯(DMMP)气体进行快速响应,最小检测浓度可达数ppb(×10-9).

关键词：二氧化硅微悬臂梁压阻传感器

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