检索结果-内蒙古大学图书馆

Journal of Semiconductors 2007年第Z1期28卷 167-170页

作者：金国芬吴惠桢梁军劳燕锋余萍徐天宁浙江大学物理系固体电子材料物理与器件实验室杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在半导体硅衬底上沉积C-ZnMgO纳米薄膜,并做成金属-绝缘体-半导体(MIS)结构.通过测试MIS结构的C-V曲线,计算得到C-ZnMgO材料的介电常数为10.5±0.5,并获得了介电常数的频率响应:在1～8MHz的频率范围内,介电常数由10.5降到6.4.通过测... 详细信息

在半导体硅衬底上沉积C-ZnMgO纳米薄膜,并做成金属-绝缘体-半导体(MIS)结构.通过测试MIS结构的C-V曲线,计算得到C-ZnMgO材料的介电常数为10.5±0.5,并获得了介电常数的频率响应:在1～8MHz的频率范围内,介电常数由10.5降到6.4.通过测试MIS结构的I-V特性曲线,对漏电流产生原因进行了讨论与分析.

关键词： C-ZnMgO薄膜 MIS结构介电常数漏电性能

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两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析

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Journal of Semiconductors 2007年第Z1期28卷 426-429页

作者：林玲徐安怀孙晓玮齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料... 详细信息

InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料结构的大尺寸(发射极面积100μm×100μm)双台面InGaP/GaAs HBT器件,对其直流特性进行了测试和分析,两种外延结构的器件共射直流增益分别为50和350,模拟得其最大截止频率分别为8和10GHz.

关键词：异质结双极晶体管 InGaP/GaAs 直流特性

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干法刻蚀对InAsP/InGaAsP应变多量子阱发光特性的影响

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Journal of Semiconductors 2007年第Z1期28卷 467-470页

作者：曹萌吴惠桢劳燕锋刘成谢正生曹春芳中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

采用气态源分子束外延(GSMBE)生长了具有不同阱宽的InAsP/InGaAsP应变多量子阱,并对干法刻蚀前、干法刻蚀及湿法腐蚀不同厚度覆盖层后的多量子阱光致发光(PL)谱进行了表征.测量发现干法刻蚀量子阱覆盖层一定厚度后量子阱光致发光强度得... 详细信息

采用气态源分子束外延(GSMBE)生长了具有不同阱宽的InAsP/InGaAsP应变多量子阱,并对干法刻蚀前、干法刻蚀及湿法腐蚀不同厚度覆盖层后的多量子阱光致发光(PL)谱进行了表征.测量发现干法刻蚀量子阱覆盖层一定厚度后量子阱光致发光强度得到了明显的增强.这与干法刻蚀后量子阱覆盖层表面粗糙度变化及量子阱内部微结构变化有关.

关键词：干法刻蚀应变量子阱光致发光谱损伤

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集成悬臂梁／探针阵列在PMMA薄膜上微纳摩擦的尺寸和温度效应

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功能材料与器件学报 2007年第6期13卷 593-598页

作者：刘斌鲍海飞李昕欣中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室中国科学院研究生院北京100039

在微纳米尺度下,摩擦行为受到针尖尺寸和温度两个重要参数的影响。本研究利用基于Si的微加工制造技术制作了三种不同尺寸并且具有加热功能的悬臂梁探针阵列,用来研究在聚合物PMMA薄膜上摩擦的针尖尺寸效应和温度效应。在PMMA薄膜中存在... 详细信息

在微纳米尺度下,摩擦行为受到针尖尺寸和温度两个重要参数的影响。本研究利用基于Si的微加工制造技术制作了三种不同尺寸并且具有加热功能的悬臂梁探针阵列,用来研究在聚合物PMMA薄膜上摩擦的针尖尺寸效应和温度效应。在PMMA薄膜中存在着两种显著的结构转变过程,包括玻璃态转变(α)和结构驰豫过程(β),这两个过程一直是目前人们广泛研究的热点。本次实验中通过加热针尖从摩擦的变化中检测到PMMA薄膜中的玻璃转变过程和结构驰豫过程,实验结果清楚表明了微纳摩擦中针尖的尺寸和温度的效应。

关键词： MEMS集成探针阵列微纳摩擦尺寸效应温度效应

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InN Stillinger-Weber参数:用于InxGa1-xN合金

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Journal of Semiconductors 2007年第Z1期28卷 12-15页

作者：雷华平蒋寻涯于广辉 Chen J Petit S Ruterana P Nouet G 薄膜界面结构和功能实验室(SIFCOM) 国家科研中心混合实验室UMR CNRS 6176Caen 14050法国中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 CAEN大学ALENCON技术学院新材料性能研究室Damigny61250法国薄膜界面结构和功能实验室(SIFCOM) 国家科研中心混合实验室UMR CNRS 6176Caen14050法国

使用Stillinger-Weber(SW)类型经典势,研究了InxGa1-xN合金的原子结构以及富铟Clusters引起的InGaN/GaN量子阱的形变.SW参数来自氮化铟晶体常数和闪锌矿及铅锌矿结构中的弹性常数.还给出了含有富铟团簇的量子阱的能量.

关键词：氮化铟 SW参数 InGaN量子阱富铟团簇

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单片集成的高性能压阻式三轴高g加速度计的设计、制造和测试

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Journal of Semiconductors 2007年第9期28卷 1482-1487页

作者：董培涛李昕欣张鲲吴学忠李圣怡封松林国防科技大学机电工程与自动化学院长沙410073 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

设计、制造并测试了一种单片集成的压阻式高性能三轴高g加速度计,量程可达105g.x和y轴单元均采用一种带微梁的三梁-质量块结构,z轴单元采用三梁-双岛结构.与传统的单悬臂梁结构或者悬臂梁-质量块结构相比,这两种结构均同时具有高灵敏度... 详细信息

设计、制造并测试了一种单片集成的压阻式高性能三轴高g加速度计,量程可达105g.x和y轴单元均采用一种带微梁的三梁-质量块结构,z轴单元采用三梁-双岛结构.与传统的单悬臂梁结构或者悬臂梁-质量块结构相比,这两种结构均同时具有高灵敏度和高谐振频率的优点.采用ANSYS软件进行了结构分析和优化设计.中间结构层主要制作工艺包括压阻集成工艺和双面DeepICP刻蚀,并与玻璃衬底阳极键合和上层盖板BCB键合形成可以塑封的三层结构,从而提高加速度计的可靠性.封装以后的加速度计采用落杆方法进行测试,三轴灵敏度分别为2.28,2.36和2.52μV/g,谐振频率分别为309,302和156kHz.利用东菱冲击试验台,采用比较校准法测得y轴和z轴加速度计的非线性度分别为1.4%和1.8%.

关键词：硅微机械加工技术三轴加速度计压阻高g 塑封

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超声浴回流法制取哌啶类离子液体

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东华大学学报（自然科学版） 2007年第4期33卷 522-525,542页

作者：罗郈谢晓华王可解晶莹沈新元东华大学材料科学与工程学院纤维材料改性国家重点实验室上海201620 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

离子液体由于具有电导率高、低蒸汽压、宽电化学窗口、对环境友好等特点,已应用于锂离子电池电解液.采用超声浴回流方法制取高纯度哌啶类离子液体,在电池体系Li/LiTFSI的PP_(13/14)TFSI溶液/LiCoO_2中,0.1 C充放时获得超过139 mAh/g的... 详细信息

离子液体由于具有电导率高、低蒸汽压、宽电化学窗口、对环境友好等特点,已应用于锂离子电池电解液.采用超声浴回流方法制取高纯度哌啶类离子液体,在电池体系Li/LiTFSI的PP_(13/14)TFSI溶液/LiCoO_2中,0.1 C充放时获得超过139 mAh/g的释放比容量.并用核磁共振(NMR)技术对产物结构进行表征,同时就该制取法对产物纯度提高、缩短制备周期和节约成本等特点进行了探讨.

关键词：离子液体合成超声浴回流法电化学

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用于相变存储器的W亚微米管加热电极性能

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Journal of Semiconductors 2007年第7期28卷 1134-1138页

作者：冯高明刘波吴良才宋志棠封松林陈宝明中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术实验室中国科学院研究生院北京100049 美国硅存储技术公司

为了降低C-RAM器件的操作电流,利用0.18μm标准CMOS工艺线制备出外径为260nm的W亚微米管加热电极,并对其进行了电学性能的表征.使用W亚微米管加热电极制备出C-RAM器件,并通过疲劳特性测试分析了器件失效的原因.结果表明,W亚微米管具有... 详细信息

为了降低C-RAM器件的操作电流,利用0.18μm标准CMOS工艺线制备出外径为260nm的W亚微米管加热电极,并对其进行了电学性能的表征.使用W亚微米管加热电极制备出C-RAM器件,并通过疲劳特性测试分析了器件失效的原因.结果表明,W亚微米管具有良好的电学稳定性和疲劳特性,为降低C-RAM器件的操作电流提供了一种非常有效的途径.

关键词：相变存储器 W亚微米管加热电极电学性能疲劳特性

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Pyrex7740玻璃深刻蚀研究

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微细加工技术 2007年第1期 51-55页

作者：明安杰李铁刘文平王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室微系统技术国家级重点实验室

研究了以TiW/Au为掩膜,在氢氟酸以及氢氟酸加硝酸溶液中Pyrex7740玻璃的湿法深刻蚀现象。实验发现,在氢氟酸中玻璃的刻蚀速率随溶液温度及浓度的升高而升高,室温下纵/横向侧蚀比最小。在氢氟酸中加入少量硝酸后可以提高其刻蚀速率,当硝... 详细信息

研究了以TiW/Au为掩膜,在氢氟酸以及氢氟酸加硝酸溶液中Pyrex7740玻璃的湿法深刻蚀现象。实验发现,在氢氟酸中玻璃的刻蚀速率随溶液温度及浓度的升高而升高,室温下纵/横向侧蚀比最小。在氢氟酸中加入少量硝酸后可以提高其刻蚀速率,当硝酸含量为10%时,刻蚀速率可以提高两倍左右。利用上述结果,实现了用一层TiW/Au掩膜制作多种不同深度的玻璃坑槽结构,为玻璃上不同深度沟道制作提供了一种新的方法。

关键词： Pyrex7740玻璃湿法刻蚀 MEMS

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应变对PbSe材料晶格振动的影响

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Journal of Semiconductors 2007年第Z1期28卷 103-106页

作者：曹春芳吴惠桢徐天宁斯剑霄陈静沈文忠浙江大学物理系固体电子材料物理与器件实验室杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海交通大学物理系上海200030

在晶格失配的BaF2衬底上用分子束外延技术生长了不同厚度的PbSe单晶薄膜,PbSe外延薄膜的喇曼光谱测量到:位于136～143cm-1之间的布里渊区中心纵光学声子(LO)振动,位于83～88cm-1之间的纵光学声子与横光学声子的耦合模(LO-TO)振动,以及位... 详细信息

在晶格失配的BaF2衬底上用分子束外延技术生长了不同厚度的PbSe单晶薄膜,PbSe外延薄膜的喇曼光谱测量到:位于136～143cm-1之间的布里渊区中心纵光学声子(LO)振动,位于83～88cm-1之间的纵光学声子与横光学声子的耦合模(LO-TO)振动,以及位于268～280cm-1之间的2LO声子振动.而且PbSe薄膜的LO声子频率随薄膜厚度的不同明显移动,随着薄膜的厚度减小声子频率线性增大,这是由外延膜与衬底之间的失配应力不同引起的.为了理解PbSe声子振动模喇曼活性的物理原因,还比较分析了PbSe体单晶的喇曼光谱,同样,PbSe体单晶样品也呈现出喇曼活性的散射峰.

关键词： PbSe外延薄膜喇曼光谱光学声子

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