检索结果-内蒙古大学图书馆

上海交通大学学报 2006年第11期40卷 1918-1923页

作者：姜涛王安麟刘广军张颖焦继伟同济大学机械工程学院上海200092 上海交通大学机械与动力工程学院上海200240 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

以一种通过体微机械加工技术制备的音叉振动式微机械陀螺为对象,基于随机摄动技术定量计算了微陀螺固有频率变异和检测输出电容变异的统计特征,以概率思想表达了微陀螺批量加工过程所带来的材料/尺寸随机误差对其性能的影响.通过所提出... 详细信息

以一种通过体微机械加工技术制备的音叉振动式微机械陀螺为对象,基于随机摄动技术定量计算了微陀螺固有频率变异和检测输出电容变异的统计特征,以概率思想表达了微陀螺批量加工过程所带来的材料/尺寸随机误差对其性能的影响.通过所提出的影响因子这一概念反映了微陀螺参数变异对性能变异的敏感度.在详尽分析微陀螺众多参数影响因子的基础上获得了微陀螺最为关键的5个参数.这有限关键参数的获得,不仅为微陀螺的健壮性设计提供了方向,同时也为实际微陀螺的加工控制提供了量化的参考依据.

关键词：微机械陀螺影响因子随机参数输出电容固有频率摄动法

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基于子结构模型的音叉振动式微机械陀螺的检测电容解析方法

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机械工程学报 2006年第9期42卷 97-102页

作者：刘广军王安麟姜涛焦继伟张正福上海交通大学机械与动力工程学院上海200030 同济大学机械工程学院上海200092 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

为建立加工缺陷对微机械陀螺性能影响的机理性模型,解决高精度微机械结构优化设计的计算时间问题,以微机械加工技术制备的音叉振动式微机械陀螺为研究对象,利用多自由度动态有限元解析理论,提出基于子结构模型的检测电容解析法,实现微... 详细信息

为建立加工缺陷对微机械陀螺性能影响的机理性模型,解决高精度微机械结构优化设计的计算时间问题,以微机械加工技术制备的音叉振动式微机械陀螺为研究对象,利用多自由度动态有限元解析理论,提出基于子结构模型的检测电容解析法,实现微陀螺实际工作状态的模拟,并对模拟结果进行试验验证。从实例解析出发,发现微陀螺加工缺陷和工艺误差虽然对其结构固频特性影响不大,但是对其最终输出的电容检测特性具有较大影响这一重要现象。解析方法和结果在提高微机械陀螺解析精度和解析效率的基础上,对多物理场耦合工作环境下音叉振动式微机械陀螺健壮性能的解析和评价具有重要的参考价值。

关键词：微机械陀螺子结构检测电容工艺误差

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太赫兹半导体探测器研究进展

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物理 2006年第11期35卷 953-956页

作者：曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

太赫兹(THz)探测器是THz技术应用的关键器件之一.基于半导体的全固态THz量子阱探测器(THzQWIP)具有探测响应速度快、制作工艺成熟、体积小和易集成等优点.文章简要介绍了THz探测器的分类和特点,重点介绍了THzQWIP的工作原理和研究进展.

关键词：太赫兹量子阱探测器探测响应率

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太赫兹量子级联激光器研究进展

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物理 2006年第8期35卷 632-636页

作者：曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

太赫兹技术涉及电磁学、光电子学、半导体物理学、材料科学以及微加工技术等多个学科,它在信息科学、生物学、医学、天文学、环境科学等领域有重要的应用价值.太赫兹辐射源是太赫兹频段应用的关键器件.本文简要介绍了太赫兹电磁波的研... 详细信息

太赫兹技术涉及电磁学、光电子学、半导体物理学、材料科学以及微加工技术等多个学科,它在信息科学、生物学、医学、天文学、环境科学等领域有重要的应用价值.太赫兹辐射源是太赫兹频段应用的关键器件.本文简要介绍了太赫兹电磁波的研究背景、重要特点以及潜在应用,重点讨论了太赫兹半导体量子级联激光器的工作原理和研究进展等.

关键词：太赫兹量子级联激光器量子阱波导

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太赫兹量子级联激光器波导数值模拟

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功能材料与器件学报 2006年第3期12卷 203-206页

作者：何晓勇曹俊诚封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用传输矩阵法(TMM)计算比较了太赫兹量子级联激光器两种波导限制方式(单面等离子波导和双面金属波导)的特点.结果表明双面金属波导的限制因子较单面等离子波导的限制因子有明显的提高,具有良好的模式限制作用,可以有效地降低波导层的... 详细信息

采用传输矩阵法(TMM)计算比较了太赫兹量子级联激光器两种波导限制方式(单面等离子波导和双面金属波导)的特点.结果表明双面金属波导的限制因子较单面等离子波导的限制因子有明显的提高,具有良好的模式限制作用,可以有效地降低波导层的厚度.

关键词：传输矩阵法太赫兹量子级联激光器双面金属波导

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悬臂梁式MEMS探卡的设计和制造

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仪表技术与传感器 2006年第4期 12-14页

作者：郭南翔汪飞李昕欣中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感器技术国家重点实验室上海200050

集成电路圆片级测试探卡主要应用于芯片分片封装前对芯片电学性能进行初步测量。随着集成电路设计和制造技术的发展,芯片焊盘密度日益增加,电路工作速度不断提高,由此产生的寄生电容和寄生电感效应会对传统测试探卡的正常工作造成影响,... 详细信息

集成电路圆片级测试探卡主要应用于芯片分片封装前对芯片电学性能进行初步测量。随着集成电路设计和制造技术的发展,芯片焊盘密度日益增加,电路工作速度不断提高,由此产生的寄生电容和寄生电感效应会对传统测试探卡的正常工作造成影响,难以得到正确的测试结果。结合先进的MEMS技术,提出了一种采用铝通孔导电、金属自隔离结构的MEMS探卡,探卡由台阶结构的悬臂梁探针陈列构成,探针的具体结构排列依据待测芯片(DUT)的管脚分布,同时测试探针电学导通电阻小于1Ω.详细叙述了探卡的结构设计和制造方法。

关键词：悬臂梁探卡 MEMS

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带有复合掺杂层集电区的InP/InGaAs/InP DHBT直流特性分析

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Journal of Semiconductors 2006年第8期27卷 1431-1435页

作者：孙浩齐鸣徐安怀艾立鹍苏树兵刘新宇刘训春钱鹤中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院微电子研究所北京100029

设计了一种新结构InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT),在集电区与基区之间插入n+-InP层,以降低集电结的导带势垒尖峰,克服电流阻挡效应.采用基于热场发射和连续性方程的发射透射模型,计算了n+-InP插入层掺杂浓度和厚度对InP/InGaAs... 详细信息

设计了一种新结构InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT),在集电区与基区之间插入n+-InP层,以降低集电结的导带势垒尖峰,克服电流阻挡效应.采用基于热场发射和连续性方程的发射透射模型,计算了n+-InP插入层掺杂浓度和厚度对InP/InGaAs/InPDHBT集电结导带有效势垒高度和I-V特性的影响.结果表明,当n+-InP插入层掺杂浓度为3×1019cm-3、厚度为3nm时,可以获得较好的器件特性.采用气态源分子束外延(GSMBE)技术成功地生长出InP/InGaAs/InPDHBT结构材料.器件研制结果表明,所设计的DHBT材料结构能有效降低集电结的导带势垒尖峰,显著改善器件的输出特性.

关键词： InP/InGaAs 异质结双极晶体管复合集电区掺杂势垒尖峰

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利用基因芯片快速检测多种临床常见致病菌及其耐药性基因

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中华传染病杂志 2006年第6期24卷 372-377页

作者：毛红菊林东昉徐晓刚张宏莲张婴元汪复赵建龙中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点联合实验室上海200050 复旦大学附属华山医院抗生素研究所

目的快速、准确、灵敏地检测临床常见的致病菌及其耐药基因。方法采用基因芯片技术，利用细菌23S rRNA基因序列信息和某些耐药基因作为检测靶基因，设计针对不同菌属的寡核苷酸探针和耐药基因探针的基因芯片，聚合酶链反应（PCR）扩增... 详细信息

目的快速、准确、灵敏地检测临床常见的致病菌及其耐药基因。方法采用基因芯片技术，利用细菌23S rRNA基因序列信息和某些耐药基因作为检测靶基因，设计针对不同菌属的寡核苷酸探针和耐药基因探针的基因芯片，聚合酶链反应（PCR）扩增并荧光标记目的DNA片段，通过杂交反应检测致病菌及其耐药基因。结果在理想状态下（检测试剂盒抽提的细菌基因组DNA）检测的结果与国内外文献报道的灵敏度相当（10^3～10^6细菌／ml），并在部分临床分离株、耐药标准菌株中进行验证，显示该方法有良好的特异性及可重复性。细菌种类能鉴别到种水平的有16种，能鉴别到属水平的有7类。覆盖了临床常见的多种病原菌，并且还可同期检测超广谱β内酰胺酶（ESBLs）基因耐药。结论DNA芯片检测具有快速、高特异性和高灵敏度的特点，是常规鉴定方法的一种有益补充。

关键词：寡核苷酸序列分析抗药性微生物基因细菌

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宽带隙ZnMgO的电学特性及其透明薄膜场效应晶体管

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Journal of Semiconductors 2006年第Z1期27卷 218-222页

作者：吴惠桢梁军劳燕锋余萍徐天宁邱东江中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 浙江大学物理系杭州310027

首次提出了用六方相晶体结构的宽带隙ZnMgO作为薄膜场效应晶体管(TFT)的沟道层,用立方相ZnMgO纳米晶体薄膜作为栅绝缘层,在实验中用透明的ITO导电玻璃作为衬底,通过连续沉积六方和立方相结构的纳米ZnMgO晶体薄膜,并通过光刻、电极工艺等... 详细信息

首次提出了用六方相晶体结构的宽带隙ZnMgO作为薄膜场效应晶体管(TFT)的沟道层,用立方相ZnMgO纳米晶体薄膜作为栅绝缘层,在实验中用透明的ITO导电玻璃作为衬底,通过连续沉积六方和立方相结构的纳米ZnMgO晶体薄膜,并通过光刻、电极工艺等,研制了透明的ZnO基TFT,TFT的电流开关比达到104,场效应迁移率为0.6cm2/(V·s).在偏压2.5MV/cm下漏电流为10-8A.

关键词：立方相和六方相ZnMgO 薄膜场效应晶体管电学特性

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质子膜表面粗糙化对质子交换膜燃料电池膜电极性能改善研究

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中国科学院研究生院学报 2006年第4期23卷 472-476页

作者：张熙贵夏保佳刘娟英王涛钦佩中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点联合实验室上海200050

通过对Nafion117表面粗糙化和“预先溶胀法”制备技术提高了微型PEM燃料电池膜电极的极化性能.循环伏安和交流阻抗等电化学检测方法证明,Nafion117表面粗糙化后扩展了催化层/质子膜三相界面区域,增大了电化学反应的有效活性面积,降低了... 详细信息

通过对Nafion117表面粗糙化和“预先溶胀法”制备技术提高了微型PEM燃料电池膜电极的极化性能.循环伏安和交流阻抗等电化学检测方法证明,Nafion117表面粗糙化后扩展了催化层/质子膜三相界面区域,增大了电化学反应的有效活性面积,降低了界面的接触阻抗.

关键词：质子交换膜燃料电池膜电极 Nafion117 粗糙化极化性能

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