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上海市化学化工学会2006年度学术年会

作者：郑丹张熙贵田娟夏保佳中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室哈尔滨工程大学中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室

“自呼吸式”μPEMFC即不用传统的压缩空气或纯氧,而是利用扩散作用直接从周围的空气中获得氧气作阴极氧化剂的微型质子交换膜燃料电池。在微型化手段上,微电子机械(MEMS)技术由于其加工的微小性、精确的加工分辨率(小于1μm)、高度的... 详细信息

“自呼吸式”μPEMFC即不用传统的压缩空气或纯氧,而是利用扩散作用直接从周围的空气中获得氧气作阴极氧化剂的微型质子交换膜燃料电池。在微型化手段上,微电子机械(MEMS)技术由于其加工的微小性、精确的加工分辨率(小于1μm)、高度的加工重复性等优点,不但突破了燃料电池制作

关键词：微型质子交换膜燃料电池自呼吸阴极结构 MEMS技术

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不同栅结构的部分耗尽NMOSFET/SIMOX的总剂量辐照效应研究

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功能材料与器件学报 2006年第4期12卷 308-312页

作者：钱聪张恩霞贺威张正选张峰林成鲁王英民王小荷赵桂茹恩云飞罗宏伟师谦中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国航天时代电子公司第771研究所西安710054 信息产业部电子第五研究所(中国赛宝实验室) 广州510610

研究了在改性注氧隔离(SIMOX)材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应。实验表明在10keV的X-射线总剂量辐照下,器件的背栅、正栅阈值电压负向漂移和漏电流都控制在较小的水平;在2Mrad(... 详细信息

研究了在改性注氧隔离(SIMOX)材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应。实验表明在10keV的X-射线总剂量辐照下,器件的背栅、正栅阈值电压负向漂移和漏电流都控制在较小的水平;在2Mrad(SiO2)的辐照下仍能正常工作。研究证实了无论哪种栅结构,对于背栅,PG均为最劣偏置,其次是OFF偏置,而ON偏置下器件受辐照的影响最小;而对于正栅,ON均为最劣偏置。通过拟合计算出了绝缘埋层(BOX,即埋氧)中的饱和净正电荷密度Not和空穴俘获分数α。

关键词：绝缘体上硅(SOI) 总剂量辐照效应环栅结构 H型栅结构

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室温低阈值分布反馈量子级联激光器

室温低阈值分布反馈量子级联激光器

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：徐刚毅李爱珍李耀耀魏林张永刚李华信息功能材料国家重点实验室中科院上海微系统与信息技术研究所上海市200050

本文报导了室温脉冲工作和低温下连续工作的分布反馈量子级联激光器(DFB-QCL).激光器的有源区基于三阱耦合垂直跃迁光发射结构,并通过降低有源区内调制掺杂浓度以降低激光器的波导损耗.作者提出了一种新型波导和光栅制备技术,同时获得... 详细信息

本文报导了室温脉冲工作和低温下连续工作的分布反馈量子级联激光器(DFB-QCL).激光器的有源区基于三阱耦合垂直跃迁光发射结构,并通过降低有源区内调制掺杂浓度以降低激光器的波导损耗.作者提出了一种新型波导和光栅制备技术,同时获得了合适的光耦合系数和低的波导损耗.利用这种方法研制出波长7.7μm的分布反馈量子级联激光器.激光器可以在大的温度范围内(155-320K)实现单模激射,边模抑制比～***-QCL在室温脉冲工作时阈值电流密度为970A/cm2,峰值输出功率达到75mW.该激光器还可以在连续模式下工作,最高工作温度为130K.

关键词：分布反馈量子级联激光器三阱耦合垂直跃迁光发射结构单模激射波导

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太赫兹半导体辐射源研究进展

太赫兹半导体辐射源研究进展

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

太赫兹(THz)辐射源是THz频段应用的由于其能量转换效率高、体积小、轻便和易集成等优点,成为本领域的研究热点.本文简要介绍了THzQCL的研究进展.

关键词：太赫兹量子级联激光器能带设计蒙特卡洛模拟

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InP基及含磷化合物HBT材料的GSMBE生长与特性研究

InP基及含磷化合物HBT材料的GSMBE生长与特性研究

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：齐鸣徐安怀艾立鹍孙浩朱福英中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

通过对外延材料结构设计和GSMBE生长工艺的深入研究,解决了生长InP基及含磷化合物HBT外延材料的关键问题,建立了稳定优化的GSMBE生长工艺,研制出性能优良的φ2"InP基HBT和φ4"InGaP/GaAs HBT外延材科.所发展的GSMBE外延技术,... 详细信息

通过对外延材料结构设计和GSMBE生长工艺的深入研究,解决了生长InP基及含磷化合物HBT外延材料的关键问题,建立了稳定优化的GSMBE生长工艺,研制出性能优良的φ2"InP基HBT和φ4"InGaP/GaAs HBT外延材科.所发展的GSMBE外延技术,在As/P气氛切换、基区p型重掺杂扩散抑制、双异质结HBT结构设计等方面具有自己的特色.器件单位采用所提供的外延材料研制出的InP基HBT和InGaP/GaAs HBT器件与电路,达到了目前采用国产HBT外延材料研制的最好水平.

关键词： InP基 InGaP GaAs GSMBE工艺 HBT材料外延生长

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用于MEMS结构的光刻胶牺牲层接触平坦化技术

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功能材料与器件学报 2006年第2期12卷 135-138,154页

作者：邢向龙焦继伟 Mark Daffron 王跃林 Hyung Choi 中国科学院上海微系统于信息技术研究所传感技术国家重点实验室 Brewer Science Inc.RollaMo.65401USA Samsung Advanced Institute of Technology 416 Maetan-DongYeongtong-GuSuwonKyungki-Do 442-742Korea

实验研究一种新颖的光刻胶牺牲层的接触平坦化（contact planarization）技术，应用于MEMS结构制作。实验研究了温度与光刻胶流动性的关系，以及牺牲层厚度、施加压力和温度、MEMS结构密度等因素对平坦化效果的影响，在优化条件下，牺... 详细信息

实验研究一种新颖的光刻胶牺牲层的接触平坦化（contact planarization）技术，应用于MEMS结构制作。实验研究了温度与光刻胶流动性的关系，以及牺牲层厚度、施加压力和温度、MEMS结构密度等因素对平坦化效果的影响，在优化条件下，牺牲层的起伏台阶从2μm减小到20～40nm。与化学机械抛光技术相比，接触平坦化无明显凹陷（Dishing）效应，无衬底损伤，同时呈现出良好的局部和总体均匀性。

关键词： MEMS 接触平坦化化学机械抛光均匀性凹陷效应

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一种新颖的基于离子束刻蚀的纳米沟道制备技术

一种新颖的基于离子束刻蚀的纳米沟道制备技术

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第八届中国微米/纳米技术学术年会

作者：史明甫焦继伟包晓清冯飞杨恒李铁王跃林中国科学院研究生院上海微系统与信息技术研究所传感器技术联合国家重点实验室上海上海微系统与信息技术研究所传感器技术联合国家重点实验室上海

本文研究了一种新颖的基于MEMS工艺中离子束刻蚀的纳米沟道制备技术,通过研究离子束刻蚀微米级线条时,离子束刻蚀角度与刻蚀的轮廓形状之间的关系,在2μm线条内刻蚀出纳米沟道所需要的掩模图形,并结合KOH的各向异性腐蚀,成功获得了纳米... 详细信息

本文研究了一种新颖的基于MEMS工艺中离子束刻蚀的纳米沟道制备技术,通过研究离子束刻蚀微米级线条时,离子束刻蚀角度与刻蚀的轮廓形状之间的关系,在2μm线条内刻蚀出纳米沟道所需要的掩模图形,并结合KOH的各向异性腐蚀,成功获得了纳米沟道阵列.在两种不同的离子束刻蚀条件下,在2 μm图形内分别制备出单纳米沟道和双纳米沟道,最小宽度可达440 nm.

关键词：微/纳机械系统纳米沟道离子束刻蚀

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基于压阻检测的双端固支硅纳米梁谐振特性研究

基于压阻检测的双端固支硅纳米梁谐振特性研究

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第八届中国微米/纳米技术学术年会

作者：赵全斌焦继伟杨恒林梓鑫李铁张颖王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

我们利用压阻检测法对双端固支硅纳米梁的谐振特性进行了研究.在(111)硅衬底上,用KOH选择性腐蚀制作出了厚度约为242 nm的双端固支硅纳米梁;对梁上表面采用Ar离子进行局部轰击,受轰击侧的原子结构遭到破坏,电导率显著下降,未受轰击侧原... 详细信息

我们利用压阻检测法对双端固支硅纳米梁的谐振特性进行了研究.在(111)硅衬底上,用KOH选择性腐蚀制作出了厚度约为242 nm的双端固支硅纳米梁;对梁上表面采用Ar离子进行局部轰击,受轰击侧的原子结构遭到破坏,电导率显著下降,未受轰击侧原子结构则保持原掺杂结构,在梁厚度方向形成非对称掺杂,表现出压阻特性.利用该局部压阻,我们首次完成了对双端固支硅纳米梁的谐振特性的测量,其共振频率为400 kHz;同时,我们对获得的低Q值进行了初步讨论.

关键词：双端固支硅纳米梁压阻检测 Ar离子轰击谐振特性

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可驱动碳纳米管冷阴极数码管的研制

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真空电子技术 2006年第1期19卷 30-32,40页

作者：冯涛戴丽娟蒋军王曦柳襄怀李琼中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室上海200050 华东师范大学电子科学与技术系上海200062

采用印刷技术实现了碳纳米管阴极的大面积、低成本制备,并采用等离子体表面改性技术来提高阴极的发射性能。在此工艺基础上,自行设计和封装了七段显示的碳纳米管冷阴极数码管,配以简单的驱动电路,实现了碳纳米管冷阴极数码管的动态显示。

关键词：碳纳米管数码管场发射冷阴极

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两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析

两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：林玲徐安怀孙晓玮齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料... 详细信息

InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料结构的大尺寸(发射极面积100μm×100μm)双台面InGaP/GaAs HBT器件,对其直流特性进行了测试和分析,两种外延结构的器件共射直流增益分别为50和350,模拟得其最大截止频率分别为8GHz和10GHz.

关键词：异质结双极晶体管直流特性高速固态器件 Medici软件

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