检索结果-内蒙古大学图书馆

Journal of Semiconductors 2005年第9期26卷 1798-1803页

作者：龙文华李广波贾科淼屈红昌唐衍哲吴亚明杨建义王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

采用高精度光刻版、PECVD材料生长、反应离子刻蚀和端面8°角抛光等技术,设计并研制了1×32硅基二氧化硅阵列波导光栅.研制的AWG芯片,其相邻通道引起的通道串扰小于-28dB,非相邻通道引入的串扰小于-35dB.通道的插入损耗在进行... 详细信息

采用高精度光刻版、PECVD材料生长、反应离子刻蚀和端面8°角抛光等技术,设计并研制了1×32硅基二氧化硅阵列波导光栅.研制的AWG芯片,其相邻通道引起的通道串扰小于-28dB,非相邻通道引入的串扰小于-35dB.通道的插入损耗在进行光纤耦合封装后进一步提高,平均损耗约为4.9dB,不均匀性约为1.72dB.

关键词：阵列波导光栅硅基二氧化硅光波导光波分复用器/解复用器集成光学

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基于NEMS技术的硅基纳机电探针阵列器件研究

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传感技术学报 2005年第4期18卷 766-770页

作者：杨尊先于映林丽华李昕欣福州大学电子科学与应用物理系福州350002 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

进行一种用于高密度存储的硅基纳机电探针阵列器件研究。并采用理论计算和有限元模拟相结合方法对器件进行了设计;使用先进的微纳加工工艺技术将压阻敏感器和电阻加热器集成到超薄悬臂梁—针尖结构纳机电探针阵列器件上,实现器件制作;随... 详细信息

进行一种用于高密度存储的硅基纳机电探针阵列器件研究。并采用理论计算和有限元模拟相结合方法对器件进行了设计;使用先进的微纳加工工艺技术将压阻敏感器和电阻加热器集成到超薄悬臂梁—针尖结构纳机电探针阵列器件上,实现器件制作;随后,进行器件电热特性及其敏感特性测试,测试结果与模拟结果相吻合;借助于原子力学显微镜在聚合物有机薄膜上实现了数据写入,优化写入条件后,数据记录面密度达31.6 GB/in2。

关键词： NEMS 压阻敏感器纳机电探针数据存储

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YBCO熔融织构准单晶中的进氧和脱氧扩散研究

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物理学报 2005年第7期54卷 3380-3385页

作者：张玉龙姚忻张宏金燕苹上海交通大学物理系上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室上海200030 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室

采用热重法研究了YBCO熔融织构准单晶中氧的化学扩散过程.与以往的实验不同,采用固定氧偏压变化温度的方法获得氧浓度梯度.拟合实验所得重量等温弛豫曲线可知,在375—600℃温区内,熔融织构准单晶的氧化学扩散系数比单晶体高出约50%,但... 详细信息

采用热重法研究了YBCO熔融织构准单晶中氧的化学扩散过程.与以往的实验不同,采用固定氧偏压变化温度的方法获得氧浓度梯度.拟合实验所得重量等温弛豫曲线可知,在375—600℃温区内,熔融织构准单晶的氧化学扩散系数比单晶体高出约50%,但都约为10-10cm2s-1,激活能为～1eV.对YBCO熔融织构准单晶中的进氧和脱氧研究表明两者具有相同的速率,证实实验过程中环境氧分压的改变会导致进氧和脱氧过程不一致.

关键词：熔融织构 YBCO 准单晶氧扩散扩散过程浓度梯度扩散系数实验过程热重法 600 激活能氧分压化学脱氧

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带有静电自检测功能的高灵敏度加速度传感器

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Journal of Semiconductors 2005年第3期26卷 547-553页

作者：程保罗李昕欣王跃林焦继伟车录锋杨恒戈肖鸿宋朝晖中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点联合实验室

研究了一种带有自检功能的在平面内自限制压阻式加速度传感器.为实现该加速度传感器,提出了一套新的体硅微机械工艺,使用普通硅片取代SOI硅片来制作器件.传感器采用在深槽侧壁(悬臂梁弯曲的表面)制作压阻的方法,灵敏度比在硅表面上制作... 详细信息

研究了一种带有自检功能的在平面内自限制压阻式加速度传感器.为实现该加速度传感器,提出了一套新的体硅微机械工艺,使用普通硅片取代SOI硅片来制作器件.传感器采用在深槽侧壁(悬臂梁弯曲的表面)制作压阻的方法,灵敏度比在硅表面上制作压阻的传统器件高近一倍.传感器利用集成在内的静电驱动器,实现电自检测功能.

关键词：微机电系统加速度传感器自检功能静电驱动侧壁扩散绝缘工艺

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压阻式微机械陀螺接口电路的数学原理

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传感器技术 2005年第8期24卷 8-10页

作者：陈雪萌李昕欣王跃林焦继伟杨恒刘民中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

压阻式微机械陀螺是MEMS研究的重要方向之一,有效的接口电路是发挥陀螺性能的重要保证。用数学方法完整地推导了陀螺驱动和信号检测的内在机理,并据此设计了一种简单的压阻式陀螺接口电路。接口电路的最小分辨力为0.33°/s。测量结... 详细信息

压阻式微机械陀螺是MEMS研究的重要方向之一,有效的接口电路是发挥陀螺性能的重要保证。用数学方法完整地推导了陀螺驱动和信号检测的内在机理,并据此设计了一种简单的压阻式陀螺接口电路。接口电路的最小分辨力为0.33°/s。测量结果证明了数学推导的正确性。

关键词：微机械陀螺压阻接口电路数学推导

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高量程MEMS加速度计封装工艺研究

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传感器技术 2005年第2期24卷 83-85页

作者：蒋玉齐程迎军许薇张鲲李昕欣罗乐中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

对一种先进的双悬臂梁高量程MEMS加速度计的单芯片封装工艺进行了失效机理分析。手工粘贴芯片盖板可靠性不高,加速度计失效是由于胶粘剂(粘贴胶或灌封胶 )从芯片盖板和芯片的间隙流淌进入悬臂梁的过载保护间隙,阻碍了悬臂梁的摆动。高... 详细信息

对一种先进的双悬臂梁高量程MEMS加速度计的单芯片封装工艺进行了失效机理分析。手工粘贴芯片盖板可靠性不高,加速度计失效是由于胶粘剂(粘贴胶或灌封胶 )从芯片盖板和芯片的间隙流淌进入悬臂梁的过载保护间隙,阻碍了悬臂梁的摆动。高量程加速度计采用单芯片封装方法时,存在芯片正面和背面保护的可靠性问题,更好的封装方法是采用圆片级封装。黑胶不适宜用作加速度计的贴片胶,至少使用聚酰亚胺膜作背面保护时如此。

关键词：高量程MEMS加速度计胶粘工艺圆片级封装

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硅KOH腐蚀<100>晶向凸角补偿技术及应用

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传感器技术 2005年第7期24卷 22-24页

作者：王浙辉李昕欣王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

在(100)硅上制作边沿晶向的长方形掩模,用KOH各向异性腐蚀液腐蚀可制得竖直微镜,这种微镜存在凸角削角问题。研究了边沿晶向掩模的凸角补偿技术,提出了2种凸角补偿图形,并应用于竖直微镜制作。实验表明“工”形补偿可获得方正的反射面;... 详细信息

在(100)硅上制作边沿<100>晶向的长方形掩模,用KOH各向异性腐蚀液腐蚀可制得竖直微镜,这种微镜存在凸角削角问题。研究了边沿<100>晶向掩模的凸角补偿技术,提出了2种凸角补偿图形,并应用于竖直微镜制作。实验表明“工”形补偿可获得方正的反射面;“Y”形补偿的微镜,反射面呈底角为75.96°的梯形。经补偿后的微镜,可提高光开关切换光束效率。讨论了(100)硅的<100>晶向掩模凸角补偿技术应用于微机械加速度计质量块制作的可能性。

关键词：各向异性腐蚀削角补偿微镜微机械加工

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熔融织构Y0.8Ca0.2Ba2Cu3Oy的电子比热

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低温物理学报 2005年第S1期27卷 580-585页

作者：白忠王智河李配军聂阳邱里丁世英张宏南京大学固体微结构国家重点实验室 2. 中科院上海微系统与信息技术研究所

采用热驰豫方法在0到9T范围内测量了熔融织构Y0.8Ca0.2Ba2Cu3Oy的比热.零场下,2~180K的比热结果可以用Einstein模型来描述.通过4-Einstein峰拟合声子谱的方法,我们分别处理了不同磁场下超导转变附近的比热,获得了晶格比热和不同磁场下... 详细信息

采用热驰豫方法在0到9T范围内测量了熔融织构Y0.8Ca0.2Ba2Cu3Oy的比热.零场下,2~180K的比热结果可以用Einstein模型来描述.通过4-Einstein峰拟合声子谱的方法,我们分别处理了不同磁场下超导转变附近的比热,获得了晶格比热和不同磁场下的电子比热,并将实验结果与London模型的计算结果进行对比,发现London模型能够很好地模拟出我们的实验结果.

关键词：高温超导体比热

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反应离子刻蚀ZnTe的THz辐射和探测研究

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物理学报 2005年第10期54卷 4938-4943页

作者：贺莉蓉顾春明沈文忠曹俊诚小川博司郭其新上海交通大学物理系凝聚态光谱与光电子物理实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室佐贺大学理工学部电气与电子工程系

运用电光采样技术揭示了反应离子刻蚀(RIE)ZnTe晶体表面THz辐射的光学整流产生机制,观察到0·25ps的THz场分布.通过比较刻蚀前后以及不同刻蚀条件下ZnTe样品在不同激发功率下的THz辐射强度,发现由于反应离子刻蚀破坏了ZnTe样品表面... 详细信息

运用电光采样技术揭示了反应离子刻蚀(RIE)ZnTe晶体表面THz辐射的光学整流产生机制,观察到0·25ps的THz场分布.通过比较刻蚀前后以及不同刻蚀条件下ZnTe样品在不同激发功率下的THz辐射强度,发现由于反应离子刻蚀破坏了ZnTe样品表面的有序性,晶体的电光系数随射频功率的增加而减小.借助于计算不同刻蚀条件下ZnTe晶体的频率响应函数,分析了随射频功率增加ZnTe晶体响应频谱展宽的现象.

关键词： THz辐射反应离子刻蚀 ZnTe 频率响应函数晶体表面探测射频功率电光系数采样技术辐射强度

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NEMS谐振器的研究与分析

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电子器件 2005年第1期28卷 30-34页

作者：宋达刘文平李铁李昕欣王跃林浙江大学信息与电子工程学系杭州310027 中科院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家联合重点实验室上海200050

介绍了NEMS谐振器的主要特点与性能参数。并且详细讨论了NEMS谐振器的材料、制备工艺以及激励与检测手段。同时根据结构与工作模态,分类介绍了近年来国际上出现的几种典型的NEMS谐振器。最后分析了 NEMS谐振器发展所面临的挑战,并指出N... 详细信息

介绍了NEMS谐振器的主要特点与性能参数。并且详细讨论了NEMS谐振器的材料、制备工艺以及激励与检测手段。同时根据结构与工作模态,分类介绍了近年来国际上出现的几种典型的NEMS谐振器。最后分析了 NEMS谐振器发展所面临的挑战,并指出NEMS谐振器将具有良好的应用与发展前景。

关键词： NEMS 纳米技术谐振器

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