检索结果-内蒙古大学图书馆

电源技术 2005年第10期29卷 663-667页

作者：王涛陈聪张熙贵夏保佳中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点联合实验室上海200050

采用微机电系统(MEMS)技术,在n型单晶硅片衬底上制作微型质子交换膜燃料电池(μPEMFC)的流场板,并用电子扫描电镜(SEM)观察其表面形貌。将它与用Nafion1135质子交换膜以传统热压方法制备的膜电极组装成H2/空气自呼吸式"PEMFC,该电... 详细信息

采用微机电系统(MEMS)技术,在n型单晶硅片衬底上制作微型质子交换膜燃料电池(μPEMFC)的流场板,并用电子扫描电镜(SEM)观察其表面形貌。将它与用Nafion1135质子交换膜以传统热压方法制备的膜电极组装成H2/空气自呼吸式"PEMFC,该电池的体积为0.28mL,质量不足0.65g。用电化学阻抗谱(EIS)测量了电池装配压缩比与内阻的关系,结果表明:在常温常压下,当压缩比!2%时,随压缩比增加,电池内阻减小,功率性能提高显著;当压缩比为2%时,电池功率性能最好,其峰值比功率约为83mW/cm2;而当压缩比"2%时,这种变化不显著。

关键词：微型质子交换膜燃料电池(μPEMFC) 微机电系统(MEMS) 单晶硅片压缩比

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In_(0.53)Ga_(0.47)As PIN光电探测器的温度特性分析

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功能材料与器件学报 2005年第2期11卷 192-196页

作者：郝国强张永刚顾溢刘天东李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

从理论和实验上分析了双异质结In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器在不同的反向偏置电压下暗电流在甚宽温度范围内的温度特性。结果表明:在反向偏置低压与高压段,产生-复合电流与隧道电流(缺陷隧道电流与带带间隧道电流)分别占主导地位,并呈... 详细信息

从理论和实验上分析了双异质结In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器在不同的反向偏置电压下暗电流在甚宽温度范围内的温度特性。结果表明:在反向偏置低压与高压段,产生-复合电流与隧道电流(缺陷隧道电流与带带间隧道电流)分别占主导地位,并呈现出相应的温度特性。还从理论与实验两方面探讨了噪声对探测器R0A的影响,结果表明:在低温段,产生-复合噪声起主要作用,在高温段,俄歇复合噪声起主要作用。

关键词：光电探测器暗电流探测率温度特性

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InGaAsSb多量子阱材料的光致发光特性研究

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功能材料与器件学报 2005年第2期11卷 183-186页

作者：唐田张永刚郑燕兰李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

研究了InGaAsSb多量子阱材料光致发光特性。通过实验数据分析和理论计算,发现对于分子束外延(MBE)法生长的InGaAsSb多量子阱材料,生长时的衬底温度决定着材料的质量,合适的衬底温度可以明显的增加其发射的光致发光强度;组分相同时,在一... 详细信息

研究了InGaAsSb多量子阱材料光致发光特性。通过实验数据分析和理论计算,发现对于分子束外延(MBE)法生长的InGaAsSb多量子阱材料,生长时的衬底温度决定着材料的质量,合适的衬底温度可以明显的增加其发射的光致发光强度;组分相同时,在一定范围内,随着阱厚的增加,其发射的光致发光波长也随着增加,但是随着阱厚增大,波长增加趋于平缓。

关键词： InGaAsSb 分子束外延多量子阱光致发光

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带有片上天线的非接触式IC卡设计

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复旦学报（自然科学版） 2005年第1期44卷 65-69页

作者：王元高丹黄均鼐复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

介绍了一种基于ISO/IEC14443协议的带有片上天线的近耦合非接触式IC卡的芯片设计,它将天线集成到芯片中并用状态机代替MCU作为芯片的控制器,采用0.35μm工艺模型,用HSPICE对天线、模拟电路进行了仿真,采用Verilog语言和Synopsys综合工... 详细信息

介绍了一种基于ISO/IEC14443协议的带有片上天线的近耦合非接触式IC卡的芯片设计,它将天线集成到芯片中并用状态机代替MCU作为芯片的控制器,采用0.35μm工艺模型,用HSPICE对天线、模拟电路进行了仿真,采用Verilog语言和Synopsys综合工具对数字电路进行了VLSI设计.芯片仿真结果表明功能及各项性能达到了原定指标.

关键词：天线非接触式IC卡芯片设计模拟电路数字电路 VLSI设计协议仿真结果 Verilog语言状态机

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气态源分子束外延1.3μm VCSEL器件结构

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功能材料与器件学报 2005年第2期11卷 173-176,191页

作者：刘成吴惠桢劳燕锋黄占超曹萌中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP(100)衬底上生长了InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱为有源层和InP/InGaAsP分布布拉格反射镜(DBR)为上、下腔镜的垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构。通过湿法刻蚀和聚酰亚胺隔离工艺制作出了1.3μmVCSEL... 详细信息

采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP(100)衬底上生长了InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱为有源层和InP/InGaAsP分布布拉格反射镜(DBR)为上、下腔镜的垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构。通过湿法刻蚀和聚酰亚胺隔离工艺制作出了1.3μmVCSEL,器件在室温下可连续单模激射,阈值电流约为4mA。实验测得的VCSEL结构反射光谱包括高反射带和腔模等参数与传递矩阵法拟合的反射光谱相符合;边发射电致发光谱的增益峰与腔模位置一致。

关键词：垂直腔面发射激光器气态源分子束外延光电特性

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微机械面型微加热器的热学分析

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功能材料与器件学报 2005年第4期11卷 466-470,475页

作者：吴雷李铁王立春王翊王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

针对微机械面型微加热器,采用解析方法对加热器在真空和大气下的温度分布,以及均热器对加热器温度分布的影响进行了深入分析。分析结果表明,真空下环形加热电阻可以达到较好的大面积均温效果,而大气下的加热电阻应尽可能小同时尽可能分... 详细信息

针对微机械面型微加热器,采用解析方法对加热器在真空和大气下的温度分布,以及均热器对加热器温度分布的影响进行了深入分析。分析结果表明,真空下环形加热电阻可以达到较好的大面积均温效果,而大气下的加热电阻应尽可能小同时尽可能分布在整个加热区内,分析的结果经ANSYS有限元模拟和样品制作测试,与实际情况吻合较好。

关键词：微电子机械系统面型微加热器热分析

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Li掺杂熔融织构YBCO晶体的面内磁阻(英文)

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低温物理学报 2005年第S1期27卷 596-600页

作者：聂阳王智河白忠李配军邱里丁世英张宏南京大学物理系固体微结构国家重点实验室中科院上海微系统与信息技术研究所

在09T范围内测量了磁场平行于c-轴时Li掺杂熔融织构YBCO样品面内电阻的温度关系.我们用AH模型拟合实验数据.结果表明,以R/ Rn=20 %作为高阻区和低阻区的分界线,RT曲线可分别用R = Rn{I0[ CH-p(1-t)q]}-2来描述,其中Rn是正常态的电阻Rn=-... 详细信息

在09T范围内测量了磁场平行于c-轴时Li掺杂熔融织构YBCO样品面内电阻的温度关系.我们用AH模型拟合实验数据.结果表明,以R/ Rn=20 %作为高阻区和低阻区的分界线,RT曲线可分别用R = Rn{I0[ CH-p(1-t)q]}-2来描述,其中Rn是正常态的电阻Rn=-5.36+0.145T.p=0 .78 ,1 .88和q=1 .5 ,3 .5分别是高阻区和低阻区的拟合参数.

关键词：高温超导体传输性质

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Pt元素添加提高LiCoO_2的电化学性能

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无机材料学报 2005年第2期20卷 351-358页

作者：杜柯其鲁王银杰张宏北京大学化学与分子工程学院新能源与技术实验室北京100871 北京理工大学电子工程系北京100081 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

研究了Pt掺杂对LiCoO2电化学性能的影响.以氧化物形式将少量Pt元素引入到 LiCoO2中,发现形成了LiCoO2-Li2PtO3-Pt混合化合物系统.比较了纯LiCoO2和该LiCoO2 基复合材料的电化学性能,结果显示复合材料具有比纯LiCoO2材料优秀得多的倍率性... 详细信息

研究了Pt掺杂对LiCoO2电化学性能的影响.以氧化物形式将少量Pt元素引入到 LiCoO2中,发现形成了LiCoO2-Li2PtO3-Pt混合化合物系统.比较了纯LiCoO2和该LiCoO2 基复合材料的电化学性能,结果显示复合材料具有比纯LiCoO2材料优秀得多的倍率性能,表明Li离子在该复合化合物中有更快的扩散速率,恒电流滴定实验结果也证明了这一点.

关键词： LiCoO2基复合材料 Pt元素添加放电倍率扩散

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SOI在射频电路中的应用

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微电子学 2005年第1期35卷 67-70页

作者：骆苏华刘卫丽张苗狄增峰王石冶宋志棠孙晓玮林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所国家半导体功能薄膜工程技术研究中心中国科学院上海微系统与信息技术研究所射频与微波集成系统实验室上海200050

随着射频电路(RF)工作频率和集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大。 SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性。与CMOS工艺的兼容使它能将数字电路与模拟电路混合,在射频电路应用方面显示... 详细信息

随着射频电路(RF)工作频率和集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大。 SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性。与CMOS工艺的兼容使它能将数字电路与模拟电路混合,在射频电路应用方面显示巨大优势。文章分析了RF电路发展中遇到的挑战和SOI在RF电路中的应用优势,综述了SOI RF电路的最新进展。

关键词：射频集成电路高阻SOI FD-SOI CMOS SIMOX

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熔融织构YBa2Cu2.99Li0.01Oy的交流磁化性质

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低温物理学报 2005年第S1期27卷 475-479页

作者：李配军王智河聂阳白忠邱里丁世英张宏南京大学物理系固体微结构国家重点实验室 2. 中科院上海微系统与信息技术研究所

在不同直流磁场、交流磁场和频率下测量了熔融织构YBa2Cu2.99Li0.01Oy样品交流磁化率的温度关系.基于非线性磁通耗散理论,研究了交流场的大小和频率对χ″的峰值温度Tp的影响,获得了磁通有效钉扎势与温度、直流场和电流密度的关系,U(J,H... 详细信息

在不同直流磁场、交流磁场和频率下测量了熔融织构YBa2Cu2.99Li0.01Oy样品交流磁化率的温度关系.基于非线性磁通耗散理论,研究了交流场的大小和频率对χ″的峰值温度Tp的影响,获得了磁通有效钉扎势与温度、直流场和电流密度的关系,U(J,Hdc,T)(J-(Hdc-0.75(1-T2/Tc2)3/2,其中μ约为0.13与理论预期的μ=1/7相一致,表明该样品中可能存在涡旋玻璃相变.

关键词：高温超导体磁通钉扎

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