检索结果-内蒙古大学图书馆

中国感染控制杂志 2005年第2期4卷 105-108页

作者：曹慧敏刘勇魏社鹏周范民赵建龙中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点联合实验室上海200050 复旦大学华山医院上海200030

目的　研制一种用于快速检测急症常见感染细菌的芯片反应系统。方法　应用生物信息学技术,设计检测细菌的探针和聚合酶链反应扩增引物,探针点制成寡核苷酸芯片,待测样本经扩增并标记生物素或CY5荧光素后与芯片杂交,再经链酶亲和素碱性... 详细信息

目的　研制一种用于快速检测急症常见感染细菌的芯片反应系统。方法　应用生物信息学技术,设计检测细菌的探针和聚合酶链反应扩增引物,探针点制成寡核苷酸芯片,待测样本经扩增并标记生物素或CY5荧光素后与芯片杂交,再经链酶亲和素碱性磷酸酶显色反应后,获得肉眼可见的杂交信号,或通过荧光检测仪读出样本的检测结果。结果　建立了针对临床急症患者标本的非荧光法与荧光法芯片检测系统,芯片的检测灵敏度(大肠埃希菌)为10～10 0CFU/反应体系。结论　两种方法不仅能快速、灵敏地检测靶细菌感染,且重复性好、信号强及不易出现非特异信号。生物素酶联显色芯片法由于更为经济、简便而有重要的临床价值。

关键词：细菌感染生物素荧光计寡核苷酸芯片实验室技术和方法

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硅衬底超精密CMP中抛光液的研究

硅衬底超精密CMP中抛光液的研究

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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

作者：钟旻张楷亮宋志棠封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心信息功能材料国家重点实验室200050上海

化学机械抛光(CMP)是当今IC生产的重要工艺之一,本文针对硅衬底的化学机械抛光,采用自制的大粒径硅溶胶抛光液进行抛光实验,研究了抛光液中主要组分对抛光速率和表面平整度的影响,以提高抛光速率和抛光质量,采用测厚仪、AFM、台阶仪对... 详细信息

化学机械抛光(CMP)是当今IC生产的重要工艺之一,本文针对硅衬底的化学机械抛光,采用自制的大粒径硅溶胶抛光液进行抛光实验,研究了抛光液中主要组分对抛光速率和表面平整度的影响,以提高抛光速率和抛光质量,采用测厚仪、AFM、台阶仪对抛光速率和表面进行了测试和表征.通过优化试验获得了高速率、高平整的抛光表面:去除速率(RR)达697nm/min,粗糙度RMS降低至4.516(A),在提高抛光速率的同时对硅片实现了超精密抛光.

关键词：化学机械抛光胶体SiO2 抛光速率抛光液

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制备条件对Ge2Sb2Te5薄膜电学性能的影响

制备条件对Ge2Sb2Te5薄膜电学性能的影响

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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

作者：夏吉林刘波宋志棠封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心信息功能材料国家重点实验室上海200050

本文研究了磁控溅射制备Ge2Sb2Te5薄膜时,制备条件诸如功率、气压等对薄膜性能的影响.主要通过测量薄膜方块电阻随退火温度的变化情况,探索Ge2Sb2Te5薄膜的成长机理.实验结果表明,不同溅射功率下制备的薄膜经不同温度退火后方块电阻没... 详细信息

本文研究了磁控溅射制备Ge2Sb2Te5薄膜时,制备条件诸如功率、气压等对薄膜性能的影响.主要通过测量薄膜方块电阻随退火温度的变化情况,探索Ge2Sb2Te5薄膜的成长机理.实验结果表明,不同溅射功率下制备的薄膜经不同温度退火后方块电阻没有明显的区别,而随着溅射气压的上升,薄膜方块电阻随退火温度的增加,下降的速率增加,也就是意味着由面心立方结构转变为六方结构所需的结晶温度降低.

关键词： Ge2Sb2Te5薄膜电学性能制备条件相变

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从微到纳尺度缩小进程中的传感器技术应对方略探讨

从微到纳尺度缩小进程中的传感器技术应对方略探讨

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第九届全国敏感元件与传感器学术会议

作者：李昕欣王跃林鲍敏杭焦继伟李铁杨恒罗乐车录锋传感技术国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 复旦大学微电子学系上海200433

本文回顾和概括了MEMS传感器进入微米尺度后解决的几个关键性问题.文中结合微传感器发展的典型事例进行分析,并对我国科学工作者在其中的贡献给予肯定.在总结的基础上分析目前传感器走向纳米尺度的一些相关概念理解和需要着重研究的纳... 详细信息

本文回顾和概括了MEMS传感器进入微米尺度后解决的几个关键性问题.文中结合微传感器发展的典型事例进行分析,并对我国科学工作者在其中的贡献给予肯定.在总结的基础上分析目前传感器走向纳米尺度的一些相关概念理解和需要着重研究的纳米效应问题.对传感器从微到纳的发展趋势进行了展望.

关键词：传感器微米尺度纳米效应

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熔融织构YBa2Cu2.99Li0.01Oy的交流磁化性质

熔融织构YBa2Cu2.99Li0.01Oy的交流磁化性质

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第八届全国超导学术研讨会

作者：李配军王智河聂阳白忠邱里丁世英张宏南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京210093 中科院上海微系统与信息技术研究所上海200050

本文在不同直流磁场、交流磁场和频率下测量了熔融织构YBa2Cu2.99Li0.01Oy样品交流磁化率的温度关系.基于非线性磁通耗散理论,研究了交流场的大小和频率对χ″的峰值温度Tp的影响,获得了磁通有效钉扎势与温度、直流场和电流密度的关系,U... 详细信息

本文在不同直流磁场、交流磁场和频率下测量了熔融织构YBa2Cu2.99Li0.01Oy样品交流磁化率的温度关系.基于非线性磁通耗散理论,研究了交流场的大小和频率对χ″的峰值温度Tp的影响,获得了磁通有效钉扎势与温度、直流场和电流密度的关系,U(J,Hdc,T)(J-(Hdc-0.75(1-T2/Tc2)3/2,其中μ约为0.13与理论预期的μ=1/7相一致,表明该样品中可能存在涡旋玻璃相变.

关键词：高温超导体熔融织构磁通钉扎磁化性质

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Li掺杂熔融织构YBCO晶体的面内磁阻

Li掺杂熔融织构YBCO晶体的面内磁阻

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第八届全国超导学术研讨会

作者：聂阳王智河白忠李配军邱里丁世英张宏南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京210093 中科院上海微系统与信息技术研究所上海200050

本文在0～9T范围内测量了磁场平行于c-轴时Li掺杂熔融织构YBCO样品面内电阻的温度关系.文章用A～H模型拟合实验数据.结果表明,以R/Rn=20﹪作为高阻区和低阻区的分界线,R～T曲线可分别用R=Rn{I0[CH-p(1-t)q]}-2来描述,其中Rn是正常态的电... 详细信息

本文在0～9T范围内测量了磁场平行于c-轴时Li掺杂熔融织构YBCO样品面内电阻的温度关系.文章用A～H模型拟合实验数据.结果表明,以R/Rn=20﹪作为高阻区和低阻区的分界线,R～T曲线可分别用R=Rn{I0[CH-p(1-t)q]}-2来描述,其中Rn是正常态的电阻Rn=-5.36+0.145T.p=0.78,1.88和q=1.5,3.5分别是高阻区和低阻区的拟合参数.

关键词：高温超导体熔融织构面内磁阻

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C、Hf薄膜抑制栅极电子发射的机理研究

C、Hf薄膜抑制栅极电子发射的机理研究

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2005年全国功能材料学术年会

作者：吴雪梅诸葛兰剑柳襄怀苏州大学物理系江苏省薄膜材料重点实验室(江苏苏州) 中国科学院上海微系统与信息技术研究所(上海)

利用双离子束溅射和射频磁控溅射技术在Mo基底上分别制备了C膜和Hf膜,并利用化学方法制备了BaO涂层以模拟行波管栅极结构,随后在N保护下,通过在900~1300K范围内退火,研究样品处于高温工作环境下表面相结构和成分的变化,以此解决了C、Hf... 详细信息

利用双离子束溅射和射频磁控溅射技术在Mo基底上分别制备了C膜和Hf膜,并利用化学方法制备了BaO涂层以模拟行波管栅极结构,随后在N<,2>保护下,通过在900~1300K范围内退火,研究样品处于高温工作环境下表面相结构和成分的变化,以此解决了C、Hf薄膜抑制栅极电子发射的工作机理.

关键词：栅极电子发射薄膜材料表面相结构双离子束溅射

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改进型Ge浓缩技术制备SGOI及其机理研究

改进型Ge浓缩技术制备SGOI及其机理研究

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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

作者：张苗狄增峰刘卫丽骆苏华宋志棠朱剑豪林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 香港城市大学物理与材料学系等离子实验室香港

SiGe-on-Insulator(SGOI)是一种新型的SOI材料,在微电子领域具有广泛的应用前景.本文对原有Ge浓缩技术进行改进,将Si/SiGe/Si三明治结构通过氧化退火,成功制备出了Ge含量高达18﹪的SGOI材料.实验结果表明:顶层的Si可以有效抑制SiGe层氧... 详细信息

SiGe-on-Insulator(SGOI)是一种新型的SOI材料,在微电子领域具有广泛的应用前景.本文对原有Ge浓缩技术进行改进,将Si/SiGe/Si三明治结构通过氧化退火,成功制备出了Ge含量高达18﹪的SGOI材料.实验结果表明:顶层的Si可以有效抑制SiGe层氧化初期时Ge元素的损失,退火过程有助于Ge元素在SiGe层中的均匀分布,同时也减轻了Ge元素在氧化层下的聚集.在高温条件(1150℃)制备的SGOI材料应力完全释放,几乎没有引入位错.

关键词： SGOI材料 Ge浓缩技术氧化退火

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Ge浓缩技术制备SGOI过程中应力释放机理

Ge浓缩技术制备SGOI过程中应力释放机理

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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

作者：刘卫丽狄增峰张苗骆苏华宋志棠朱剑豪林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 香港城市大学物理与材料学系等离子实验室香港

基于Ge浓缩技术,通过氧化生长在silicon-on-insulator(SOI)衬底上的SiGe,成功制备出驰豫的SiGe-on-Insulator(SGOI)材料.Raman结果表明,1150℃高温氧化条件下SiGe层中的应力得到了完全的释放.原子力显微镜照片和透射电镜照片均表明在应... 详细信息

基于Ge浓缩技术,通过氧化生长在silicon-on-insulator(SOI)衬底上的SiGe,成功制备出驰豫的SiGe-on-Insulator(SGOI)材料.Raman结果表明,1150℃高温氧化条件下SiGe层中的应力得到了完全的释放.原子力显微镜照片和透射电镜照片均表明在应力释放过程中未引入位错和缺陷.我们通过"容忍型"衬底的理论来解释氧化过程所涉及的应力释放.在氧化过程中,由于埋层SiO2在高温条件下具有流动性,所以SiGe层可以在其上滑移,从而释放应力.

关键词： SiGe 应力释放氧化扩散 Ge浓缩技术 SGOI材料

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C、Hf薄膜抑制栅极电子发射的机理研究

C、Hf薄膜抑制栅极电子发射的机理研究

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2005年功能材料学术年会

作者：吴雪梅诸葛兰剑柳襄怀苏州大学物理系江苏省薄膜材料重点实验室苏州大学物理系江苏省薄膜材料重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所

利用双离子束溅射和射频磁控溅射技术在Mo基底上分别制备了C膜和Hf膜,并利用化学方法制备了BaO涂层以模拟行波管栅极结构,随后在N2保护下,通过在900-1300K范围内退火,研究样品处于高温工作环境下表面相结构和成分的变化,以此解释了C、H... 详细信息

利用双离子束溅射和射频磁控溅射技术在Mo基底上分别制备了C膜和Hf膜,并利用化学方法制备了BaO涂层以模拟行波管栅极结构,随后在N2保护下,通过在900-1300K范围内退火,研究样品处于高温工作环境下表面相结构和成分的变化,以此解释了C、Hf薄膜抑制栅极电子发射的工作机理。

关键词：栅发射 C薄膜 Hf薄膜 BaO

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