检索结果-内蒙古大学图书馆

燃料化学学报 2004年第6期32卷 723-728页

作者：王涛张熙贵李巨峰钦佩夏保佳中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点联合实验室上海200050

采用置换镀的方法在泡沫镍基体上获得不同载钌量的NaBH4水解制氢催化剂。实验结果表明,NaBH4水解制氢反应为零级反应,氢气生成速率随载钌量的增加而变快;当泡沫镍表面完全被钌覆盖时,载钌量为6%,相应的催化能力最强。与离子交换树脂载... 详细信息

采用置换镀的方法在泡沫镍基体上获得不同载钌量的NaBH4水解制氢催化剂。实验结果表明,NaBH4水解制氢反应为零级反应,氢气生成速率随载钌量的增加而变快;当泡沫镍表面完全被钌覆盖时,载钌量为6%,相应的催化能力最强。与离子交换树脂载钌催化剂相比,泡沫镍载钌催化剂更稳定、耐用。实验还证实,30%比35%的NaBH4水溶液在相同的催化剂作用下更易发生水解反应;NaBH4水溶液中加入少量的NaOH有助于提高钌催化剂的催化性能。通过对NaBH4储氢体系的能量计算,说明采用该氢源体系的微型燃料电池的能量密度有望达到甚至超过锂离子电池的比能量水平。

关键词：载钌催化剂硼氢化钠氢气生成速率微型质子交换膜燃料电池

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SIMOX大截面单模脊型光波导的研制

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光电子．激光 2004年第1期15卷 25-28页

作者：林志浪程新利王永进张峰中国科学院上海微系统信息技术研究所离子束实验室上海200050

以注入氧隔离(SIMOX)技术制备的SOI(silicon on insulator)为衬底,利用气相外延生长技术获得了质量良好的厚膜SOI材料,进而通过反应离子刻蚀方法在厚膜SOI材料上成功研制了SIMOX大截面单模脊型光波导。对于波长为1.55μm的光,其传输损... 详细信息

以注入氧隔离(SIMOX)技术制备的SOI(silicon on insulator)为衬底,利用气相外延生长技术获得了质量良好的厚膜SOI材料,进而通过反应离子刻蚀方法在厚膜SOI材料上成功研制了SIMOX大截面单模脊型光波导。对于波长为1.55μm的光,其传输损耗小于0.6dB/cm。

关键词：注入氧隔离 SIMOX 化学气相沉积脊型光波导集成光学厚膜SOI材料

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InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的子带跃迁设计

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半导体光电 2004年第5期25卷 376-379页

作者：唐田张永刚郑燕兰李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

　采用有效质量框架下一维有限单势阱的Kronig Pency模型对InxGa1-xAsySb1-y/Al0.25Ga0.75As0.02Sb0.98量子阱激光器结构的子带跃迁波长及其和阱宽间的关系进行了设计,并采用能量平衡模型计算了此应变材料体系在生长时的临界厚度。结果... 详细信息

　采用有效质量框架下一维有限单势阱的Kronig Pency模型对InxGa1-xAsySb1-y/Al0.25Ga0.75As0.02Sb0.98量子阱激光器结构的子带跃迁波长及其和阱宽间的关系进行了设计,并采用能量平衡模型计算了此应变材料体系在生长时的临界厚度。结果表明InGaAsSb/AlGaAsSb是制作23μm中红外波段量子阱激光器的良好材料体系,然而在结构设计和材料生长中采用合适的材料组分及阱宽并对应变总量进行控制是十分重要的。

关键词：量子阱激光器子带跃迁锑化物

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偏置电压极性对力反馈电容式微加速度计特性的影响分析

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高技术通讯 2004年第12期14卷 67-72页

作者：董林玺车录锋王跃林浙江大学信息学院信电系，杭州311027／／中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室，上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室，上海200050

对电容式加速度计，为测量其电容的变化，通常需要带直流偏置的交流电压信号来驱动。驱动信号产生的静电力有时会干扰器件的测量和正常工作。文章中定量分析了带有电压反馈的双边驱动信号对器件特性的影响。对于这种驱动方式，正-负和正... 详细信息

对电容式加速度计，为测量其电容的变化，通常需要带直流偏置的交流电压信号来驱动。驱动信号产生的静电力有时会干扰器件的测量和正常工作。文章中定量分析了带有电压反馈的双边驱动信号对器件特性的影响。对于这种驱动方式，正-负和正-正的直流电压偏置可以改善器件的测量线性度，基本消除由驱动信号导致的吸合效应，而负-负和负．正的直流电压偏置会使驱动信号引起的吸合效应增大，从而大大缩小了器件的安全工作范围。

关键词：驱动信号馈电偏置电压器件特性电压反馈直流偏置电容式直流电压交流电压极性

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光波导计算中全矢量-罚项有限元方法新解

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量子电子学报 2004年第5期21卷 658-664页

作者：曹共柏林志浪肖海波张峰上海微系统与信息技术研究所离子束开放实验室上海200050

数值求解光波导模式的方法,矢量元方法应用比较普遍,能够消除伪模,但由于矢量元的构造和求解过程比较烦琐,而用传统的节点有限元方法求解全矢量波动方程时,在得到物理模式的同时,也出现了伪模。本文在传统的罚项节点有限元方法的启发下... 详细信息

数值求解光波导模式的方法,矢量元方法应用比较普遍,能够消除伪模,但由于矢量元的构造和求解过程比较烦琐,而用传统的节点有限元方法求解全矢量波动方程时,在得到物理模式的同时,也出现了伪模。本文在传统的罚项节点有限元方法的启发下,从麦克斯韦方程组本身的物理意义出发,导出了伪模的产生源,并对传统的罚项做了改正,大大提高了数值解的质量;尽管没有彻底消除伪模,它相对于矢量元方法优越的地方,体现在解(本征值)的精度,模场的特性,和高的数值稳定性等方面。

关键词：纤维与波导光学有限元方法罚项伪模

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力反馈微加速度计的准静态和阶跃响应模型

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机械工程学报 2004年第10期40卷 102-108页

作者：车录锋徐志农熊斌王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 浙江大学机械与能源工程学院杭州310027

对于微机械电容式加速度计,为了检测微小电容变化,必须引入交直流电压驱动信号,然而该静电力的存在显著影响传感器的最大可靠工作范围。对准静态惯性信号和阶跃惯性信号,深入研究了力反馈加速度计的可靠工作范围,建立了不同偏压配置的... 详细信息

对于微机械电容式加速度计,为了检测微小电容变化,必须引入交直流电压驱动信号,然而该静电力的存在显著影响传感器的最大可靠工作范围。对准静态惯性信号和阶跃惯性信号,深入研究了力反馈加速度计的可靠工作范围,建立了不同偏压配置的驱动信号对引起吸合失效的临界加速度信号的影响模型。研究结果表明静电力对阶跃信号的影响要比准静态信号大,动态工作条件下所能承受的最大阶跃加速度信号比准静态信号要小一个数量因子。对于双边驱动的力反馈加速度计,正正偏压配置或正负偏压配置可以最大程度地减小驱动信号引起的传感器吸合失效,从而增大可靠工作范围;而负负偏压配置或负正偏压配置增大了驱动信号效应,从而大大减小了可靠工作范围。

关键词：加速度计静电力偏置电压极性反馈

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太赫兹场作用下GaAs量子阱的光吸收研究

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稀有金属 2004年第3期28卷 585-587页

作者：米贤武曹俊诚中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

用密度矩阵理论 ,研究了在超快脉冲及太赫兹场作用下GaAs量子阱的光吸收谱。在直流和太赫兹场作用下 ,由于量子约束斯塔克效应 ,光吸收谱呈现出多个激子吸收峰。改变太赫兹的强度和频率 ,吸收谱出现恶歇分裂 ,并产生边带。这些分裂主要... 详细信息

用密度矩阵理论 ,研究了在超快脉冲及太赫兹场作用下GaAs量子阱的光吸收谱。在直流和太赫兹场作用下 ,由于量子约束斯塔克效应 ,光吸收谱呈现出多个激子吸收峰。改变太赫兹的强度和频率 ,吸收谱出现恶歇分裂 ,并产生边带。这些分裂主要来源于太赫兹作用下激子的非线性效应。

关键词：光吸收谱量子阱太拉赫兹

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用于1.44μm半导体激光器的GaInAs/InGaAsP量子阱结构的设计

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稀有金属 2004年第3期28卷 511-515页

作者：劳燕锋吴惠桢中科院上海微系统与信息技术研究所信息与功能材料国家重点实验室上海200050

采用有效质量模型下的 4× 4Luttinger Kohn哈密顿量矩阵对GaxIn1 -xAs/In0 .80 Ga0 .2 0 As0 .4 4P0 .56 /InP量子阱结构进行了能带计算 ,求得了该量子阱结构跃迁能量随组份及阱宽的变化关系 ,从而得到了激射波长 1.44 μm时的Ga组... 详细信息

采用有效质量模型下的 4× 4Luttinger Kohn哈密顿量矩阵对GaxIn1 -xAs/In0 .80 Ga0 .2 0 As0 .4 4P0 .56 /InP量子阱结构进行了能带计算 ,求得了该量子阱结构跃迁能量随组份及阱宽的变化关系 ,从而得到了激射波长 1.44 μm时的Ga组份x与阱宽Lw(在 5～ 10nm内取值 )的相互关系 :x=0 .3 2 0 13 +0 .0 60 93Lw-0 .0 0 5 3 4Lw2 +0 .0 0 0 17483Lw3,当阱宽为 5～ 10nm ,因而Ga组份为 0 .5 1～ 0 .5 7时 ,阱材料中产生的张应变量为 :0 .2 9%～ 0 .70 %。最后 ,我们计算了该量子阱结构的能量色散关系和光增益谱 ,从而对x与Lw 组合值进行优化。

关键词：半导体激光器量子阱结构应变光增益谱

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一维准周期光子晶体的太拉赫兹布洛赫振荡源

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稀有金属 2004年第3期28卷 592-593页

作者：张拥华曹俊诚中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

从理论上研究了厚度梯变的一维光子晶体中的光学布洛赫振荡 ,利用传输矩阵和散射态方法讨论了该结构的透射谱特性和其中的电场随时间和空间的演变过程。研究表明 ,一束超快的高斯脉冲在该准周期的光学超晶格结构中能够形成光学微带结构... 详细信息

从理论上研究了厚度梯变的一维光子晶体中的光学布洛赫振荡 ,利用传输矩阵和散射态方法讨论了该结构的透射谱特性和其中的电场随时间和空间的演变过程。研究表明 ,一束超快的高斯脉冲在该准周期的光学超晶格结构中能够形成光学微带结构和太拉赫兹频段的光学布洛赫振荡 ,并可望应用于太拉赫兹振荡源。

关键词：光子晶体太拉赫兹光学布洛赫振荡

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基于GaN的太拉赫兹负微分电阻振荡器

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稀有金属 2004年第3期28卷 590-591页

作者：吕京涛曹俊诚中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在闪锌矿结构的GaN中 ,载流子在Γ能谷中反射能够引起负微分电阻效应。基于这种机制的GaNn+ nn+ 振荡器的自振荡频率在太拉赫兹范围内。从理论上仔细研究了这种振荡器内部电场畴的动态变化以及振荡频率对振荡器两端所加电场的依赖关系 ... 详细信息

在闪锌矿结构的GaN中 ,载流子在Γ能谷中反射能够引起负微分电阻效应。基于这种机制的GaNn+ nn+ 振荡器的自振荡频率在太拉赫兹范围内。从理论上仔细研究了这种振荡器内部电场畴的动态变化以及振荡频率对振荡器两端所加电场的依赖关系 ,并预言了利用GaN负微分电阻振荡器作为可调谐太拉赫兹源的理论可能性。

关键词：太拉赫兹负微分电阻庚氏效应

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