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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：吴惠桢黄占超劳燕锋中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海市)

本文报道了采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP基衬底上生长发光波长为1.31μm的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱和在GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs分布布拉格反射镜(DBR),并用直接键合技术将生长在InP基上的InAsP/InGaAsP应变补偿多量... 详细信息

本文报道了采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP基衬底上生长发光波长为1.31μm的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱和在GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs分布布拉格反射镜(DBR),并用直接键合技术将生长在InP基上的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱结构组装到GaAs衬底上生长的DBR结构上,对其微结构、发光和电学等物理特性进行了比较系统的研究,发现500℃,620℃的键合过程和后续的剥离工艺过程不仅没有引起量子阱发光效率的降低,反而由于键合过程中的退火改进了晶体质量,大大提高了量子阱的发光强度.

关键词： GaAs/AlGaAs 分布布拉格反射镜 InAsP/InGaAsP 多量子阱垂直腔面发射激光器物理特性

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基于MEMS技术微型质子交换膜燃料电池

基于MEMS技术微型质子交换膜燃料电池

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第二十六届全国化学与物理电源学术年会

作者：王涛陈聪李巨峰张熙贵夏保佳李昕欣国家传感技术联合实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所

本文采用MEMS制作工艺在半导体单晶Si上制作一种μPEMFC,该电池正负电极的活性面积均为1cm,采用Nafion112作隔膜,组装成的电池体积约为2ml(不包括氢源).电池工作时以氢气做燃料、以"自呼吸"方式直接从空气中获得氧气作氧化剂... 详细信息

本文采用MEMS制作工艺在半导体单晶Si上制作一种μPEMFC,该电池正负电极的活性面积均为1cm<'2>,采用Nafion112作隔膜,组装成的电池体积约为2ml(不包括氢源).电池工作时以氢气做燃料、以"自呼吸"方式直接从空气中获得氧气作氧化剂,极大地减小了燃料电池的体积.电池边缘四周用有机粘结剂粘结、密封.分别在正、负极上焊接金属引线,用Arbin FCTs(Arbin Instrument Inc.)燃料电池综合测试系统测试电池性能.

关键词：质子交换膜燃料电池微机电系统封装压缩量化学电源

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一种新型腔体式共面波导型微机械射频开关

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功能材料与器件学报 2004年第3期10卷 350-354页

作者：黄蓉焦继伟王跃林传感技术国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国科学院研究生院北京100039

提出了一种新型的腔体式共面波导型微机械射频开关的结构,可动的金属/电介质的复合膜结构的共面波导既可作射频开关,同时也构成微波信号的传输路径。在普通电阻率(4-8Ω·cm)的硅片上,采用表面微机械加工技术制作出体积大小为:1000... 详细信息

提出了一种新型的腔体式共面波导型微机械射频开关的结构,可动的金属/电介质的复合膜结构的共面波导既可作射频开关,同时也构成微波信号的传输路径。在普通电阻率(4-8Ω·cm)的硅片上,采用表面微机械加工技术制作出体积大小为:1000μm×600μm×300μm的射频开关,驱动电压为35V,在射频信号频率为50MHz到10GHz的范围内,该开关的插入损耗低于2dB,隔离度高于40dB。

关键词：微电子机械系统射频开关共面波导微机械

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无线局域网定位技术研究

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无线通信技术 2004年第3期13卷 33-37页

作者：贾青刘乃安朱明华西安电子科技大学ISN国家重点实验室陕西西安710071 中科院微系统与信息技术研究所上海200050

本文首先介绍了无线局域网定位的几种可行性方法 ,从原理上加以分析说明 ,阐明其优缺点 ,其次讨论了无线局域网定位在商业中应用 ,以及业界发展态势。

关键词：无线局域网定位技术原理

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SOI在高压器件中的应用

SOI在高压器件中的应用

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第五届中国功能材料及其应用学术会议

作者：王石冶刘卫丽张苗林成鲁宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心信息功能材料国家重点实验室

综述了绝缘层上的硅(SOI)材料在高压器件中的应用,分析了SOI高压器件的不同结构,并对现在最常用的RESURF LDMOS高压器件结构,以及不同器件参数对击穿电压的影响进行了分析和讨论。

关键词： SOI 高压器击穿电压

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一种基于SOI材料的直波导可调谐光衰减器

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功能材料与器件学报 2004年第3期10卷 355-358页

作者：韩晓峰吴亚明中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室中国科学院研究生院北京100039

设计并制造了一种基于SOI材料的直波导可调谐光衰减器,其调制区采用了独特的双脊型PIN结构,增强了注入电流场与光场的重叠,提高电注入效率。该VOA可实现20dB的光功率衰减量,所需要的最大功率为650mW,器件的片内插入损耗约为3.6dB。

关键词：可调谐光衰减器双脊型波导 SOI材料光网络无源光器件光波分复用系统

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立方相MgxZn1-xO纳米晶体薄膜的物理特性

立方相MgxZn1-xO纳米晶体薄膜的物理特性

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第五届中国功能材料及其应用学术会议

作者：吴惠桢梁军劳燕锋陈乃波徐天宁邱东江中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室浙江大学物理系

介绍了在si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相MgxZn1-xO(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相MgxZn1-x... 详细信息

介绍了在si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相MgxZn1-xO(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相MgxZn1-xO薄膜的折射率.与已报道的六方相MgxZn1-x(0≤x≤0.5)薄膜的折射率相类似,在400-800nm的可见光区域,不同Mg含量的立方相MgxZn1-xO薄膜,其折射率随入射波长的色散关系遵循一阶Sellmeier方程.对给定400nm的入射光波长,当薄膜中的Mg含量由55%增至100%时,其折射率由1.89衰减至1.73.

关键词：立方相MgxZn1-xO薄膜微结构光学特性

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立方相Mg<,x>Zn<,1-x>O纳米晶体薄膜的物理特性

立方相Mg<,x>Zn<,1-x>O纳米晶体薄膜的物理特性

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第五届中国功能材料及其应用学术会议

作者：吴惠桢梁军劳燕锋陈乃波徐天宁邱东江中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海) 浙江大学物理系(浙江杭州)

介绍了在Si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相MgZnO(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相MgZnO薄膜的... 详细信息

介绍了在Si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相Mg<,x>Zn<,1-x>O(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相Mg<,x>Zn<,1-x>O薄膜的折射率.与己报道的六方相Mg<,x>Zn<,1-x>O(0≤x≤0.5)薄膜的折射率相类似,在400~800nm的可见光区域,不同Mg含量的立方相Mg<,x>Zn<,1-x>O薄膜,其折射率随入射波长的色散关系遵循一阶Sellmeier方程.对给定400nm的入射光波长,当薄膜中的Mg含量由55﹪增至100﹪时,其折射率由1.89衰减至1.73.

关键词：立方相MgZnO薄膜微结构光学特性纳米晶体

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采用MMI结构研制具有平顶谱特性的AWG

采用MMI结构研制具有平顶谱特性的AWG

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中国光学学会2004年学术大会

作者：贾科淼唐衍哲李柏阳杨建义江晓清吴亚明王跃林浙江大学信息科学与电子工程系中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室

在AWG输入端设置多模干涉(MMI)耦合器,我们在SiO2光波导材料上设计并制作了具有平顶谱特性的1×8阵列波导光栅(AWG)。本文首先简要介绍了采用MMI结构展宽AWG滤波谱线的原理,给出了数值模拟结果。通过对所研制的器件进行测试,并与常... 详细信息

在AWG输入端设置多模干涉(MMI)耦合器,我们在SiO2光波导材料上设计并制作了具有平顶谱特性的1×8阵列波导光栅(AWG)。本文首先简要介绍了采用MMI结构展宽AWG滤波谱线的原理,给出了数值模拟结果。通过对所研制的器件进行测试,并与常规AWG比较,结果表明,器件的1dB带宽由0.22nm增为0.43nm,增加近100%,3dB带宽由0.39nm增为0.72nm,增加85%。而20dB带宽仅由1.04nm增为1.56nm,只增加了50%。同时,器件插损为5.72dB,串扰优于-30dB,PDL小于0.5dB。

关键词：波分复用阵列波导光栅带宽

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基于接触式极化法的电光聚合物光调制器研究

基于接触式极化法的电光聚合物光调制器研究

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中国光学学会2004年学术大会

作者：杨建义江晓清李锡华周强王明华王跃林浙江大学信息与电子工程系中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室

本文对有机聚合物电光材料的接触式极化法,以及相应的光调制器件进行了研究。利用接触式极化法具有的极化区域选择性、极化方向性控制等特点,进行了光偏振调制器、MZ型光推挽强度调制器、高线性度Y分支定向耦合器型光强度调制器、光圆... 详细信息

本文对有机聚合物电光材料的接触式极化法,以及相应的光调制器件进行了研究。利用接触式极化法具有的极化区域选择性、极化方向性控制等特点,进行了光偏振调制器、MZ型光推挽强度调制器、高线性度Y分支定向耦合器型光强度调制器、光圆偏振调制器等的研制工作。

关键词：集成光学有机聚合物光波导电光效应电极化光调制器

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