检索结果-内蒙古大学图书馆

中国机械工程 2003年第3期14卷 184-186页

作者：熊斌车录锋王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室

介绍了一种新型结构微机械陀螺的设计及制作。新型陀螺的驱动振动和敏感检测振动的阻尼均为滑膜阻尼 ,且几乎相同 ,惯性质量块为栅型结构 ,由弹性悬臂梁支撑 ;驱动固定电极和敏感检测固定电极位于惯性质量块下方。分析了新型陀螺的工作... 详细信息

介绍了一种新型结构微机械陀螺的设计及制作。新型陀螺的驱动振动和敏感检测振动的阻尼均为滑膜阻尼 ,且几乎相同 ,惯性质量块为栅型结构 ,由弹性悬臂梁支撑 ;驱动固定电极和敏感检测固定电极位于惯性质量块下方。分析了新型陀螺的工作特性 ,说明了陀螺结构参数对陀螺灵敏度的影响。实验结果表明 ,在大气状态下 ,新型栅结构微机械陀螺的驱动和敏感检测品质因子 Q均可达到

关键词：栅型结构微机械陀螺动力学方程角速度传感器微机械加工技术

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微机械陀螺传感器模型与接口电路的混合模拟

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固体电子学研究与进展 2003年第4期23卷 496-499页

作者：车录锋熊斌黄小振王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

根据微机械陀螺的动力学方程建立了组合微机械陀螺振动特性和电学特性的传感器等效电路模型 ,并通过电路模拟工具 PSPICE对模型进行验证。利用该模型与接口电路的混合模拟 ,可以分析陀螺整个系统的工作性能。

关键词：微机械陀螺传感器接口电路振动特性工作性能优化设计

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半导体激光器腔面镀膜研究

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半导体光电 2003年第3期24卷 203-205页

作者：吴根柱齐鸣何友军张永刚李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料重点实验室上海200050

从理论和实验两方面研究了半导体激光器腔面功率增强膜的镀制方法,得到一些新的镀膜设计方案,改善了传统半导体激光器腔面镀膜工艺。

关键词：端面反射率减反射膜高反射膜行波速率方程

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振动式微机械陀螺的等效电学模型

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机械工程学报 2003年第3期39卷 117-120,125页

作者：车录锋黄小振熊斌王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

根据振动式微机械陀螺的工作原理,建立了其机械特性的等效电路模型。陀螺差分检测电容模型和振动的等效电路模型构成了陀螺的等效电学模型,该模拟模型组合了传感器的机械特性和电学特性。陀螺等效电学模型通过电路模拟工具PSPICE实现,... 详细信息

根据振动式微机械陀螺的工作原理,建立了其机械特性的等效电路模型。陀螺差分检测电容模型和振动的等效电路模型构成了陀螺的等效电学模型,该模拟模型组合了传感器的机械特性和电学特性。陀螺等效电学模型通过电路模拟工具PSPICE实现,可用于分析陀螺的振动特性、对角速度的频响特性,优化陀螺的工作方式;还可以与接口电路混合模拟,分析陀螺和检测电路的整体性能,优化检测电路的设计。

关键词：微机械陀螺等效电学模型振动式

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一种微机械陀螺自激驱动方式的电学模拟

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仪器仪表学报 2003年第2期24卷 190-192,200页

作者：熊斌车录锋黄小振王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

为提高微机械陀螺的检测精度 ,稳定驱动振动速度幅度 ,提出了微机械陀螺的自激驱动方式 ,它能够使驱动振动自动稳定在驱动模态的固有频率上振动 ,以及保持恒定的驱动振动速度幅度。根据自激驱动电路原理 ,建立了驱动动力学方程的等效电... 详细信息

为提高微机械陀螺的检测精度 ,稳定驱动振动速度幅度 ,提出了微机械陀螺的自激驱动方式 ,它能够使驱动振动自动稳定在驱动模态的固有频率上振动 ,以及保持恒定的驱动振动速度幅度。根据自激驱动电路原理 ,建立了驱动动力学方程的等效电路模型 ,用 PSPICE软件对电路的工作状况进行了模拟。

关键词：微机械陀螺自激驱动电学模拟固有频率等效电路模型 PSPICE软件

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准分子脉冲激光沉积法制备的ZrO_2薄膜结构和电学性能的研究

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中国激光 2003年第4期30卷 345-348页

作者：章宁琳宋志棠邢溯万青林成鲁中国科学院上海微系统和信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用准分子脉冲激光沉积法 (PLD)分别在Pt/Ti/SiO2 /Si和SiO2 /Si衬底上制备了ZrO2 薄膜 ,采用扩展电阻法 (SRP)研究了薄膜纵向电阻分布 ;采用X射线衍射法 (XRD)研究了衬底温度对ZrO2 薄膜结晶性能的影响 ;精确测试了薄膜的表面粗糙度 ... 详细信息

采用准分子脉冲激光沉积法 (PLD)分别在Pt/Ti/SiO2 /Si和SiO2 /Si衬底上制备了ZrO2 薄膜 ,采用扩展电阻法 (SRP)研究了薄膜纵向电阻分布 ;采用X射线衍射法 (XRD)研究了衬底温度对ZrO2 薄膜结晶性能的影响 ;精确测试了薄膜的表面粗糙度 ;讨论了薄膜结晶性能与其电学I V特性之间的关系。

关键词：准分子脉冲激光沉积法 ZrO2薄膜衬底温度结晶结构电学性能

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SOIM新结构的制备及其性能的研究

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物理学报 2003年第1期52卷 207-210页

作者：谢欣云林青门传玲刘卫丽徐安怀林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

制备在以SiO2 为绝缘埋层的SOI材料上的电子器件存在着自加热问题 .为减少自加热效应和满足一些特殊器件电路的要求 ,利用多孔硅外延转移技术制备出以二氧化硅和氮化硅为多绝缘埋层的SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果... 详细信息

制备在以SiO2 为绝缘埋层的SOI材料上的电子器件存在着自加热问题 .为减少自加热效应和满足一些特殊器件电路的要求 ,利用多孔硅外延转移技术制备出以二氧化硅和氮化硅为多绝缘埋层的SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的SOIM新结构具有很好的结构和电学性能 ,退火后的氮化硅埋层为非晶结构 .

关键词：制备氮化硅薄膜二氧化硅薄膜 SOIM新结构多孔硅外延转移电绝缘隔离性能

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DSOI,SOI和体硅MOSFET的特性测量比较

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清华大学学报（自然科学版） 2003年第7期43卷 1005-1008页

作者：林羲董业民何平陈猛王曦田立林李志坚清华大学微电子学研究所北京100084 中科院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室上海200050

严重的自热效应和浮体效应是绝缘体上硅(SOI)器件的主要缺点。绝缘体上漏源(DSOI)结构的提出就是为了抑制SOI器件中的这两种效应。为了实现DSOI器件结构并且研究DSOI器件的特性,和SOI器件与体硅器件进行对比,采用新型的局域注氧工艺成... 详细信息

严重的自热效应和浮体效应是绝缘体上硅(SOI)器件的主要缺点。绝缘体上漏源(DSOI)结构的提出就是为了抑制SOI器件中的这两种效应。为了实现DSOI器件结构并且研究DSOI器件的特性,和SOI器件与体硅器件进行对比,采用新型的局域注氧工艺成功地在同一管芯上制作了DSOI、体硅和SOI3种结构的器件。通过对3种结构器件的电学特性和热学特性的测量比较,证明了DSOI器件成功地抑制了浮体效应,并且大大降低了自热效应。由于DSOI器件漏、源区下方埋氧层的存在,在消除了SOI器件严重的自热效应和浮体效应的同时,保持了SOI器件相对体硅器件的电学特性优势。DSOI器件成功地结合了SOI器件和体硅器件的优点,并且克服了两者的缺点,是一种很有希望的高速低功耗新器件。

关键词： DSOI SOI 体硅MOSFET 特性测量绝缘体上硅绝缘体上漏源自热效应浮体效应场效应器件

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MgZnO和ZnO晶体薄膜紫外发光特性比较

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红外与毫米波学报 2003年第5期22卷 349-352页

作者：陈奶波邱东江吴惠桢张寒洁鲍世宁何丕模浙江大学物理系浙江杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

用电子束蒸发反应沉积在Si(111)衬底上低温生长了立方MgZnO薄膜和高度C -轴取向的ZnO薄膜 .X 射线光电子能谱 (XPS)结果表明 ,立方MgZnO薄膜中的Mg含量比靶源中的高 .紫外光致荧光谱 (UVPL)测试显示 ,与ZnO相比MgZnO的荧光峰从 393nm蓝... 详细信息

用电子束蒸发反应沉积在Si(111)衬底上低温生长了立方MgZnO薄膜和高度C -轴取向的ZnO薄膜 .X 射线光电子能谱 (XPS)结果表明 ,立方MgZnO薄膜中的Mg含量比靶源中的高 .紫外光致荧光谱 (UVPL)测试显示 ,与ZnO相比MgZnO的荧光峰从 393nm蓝移至 373nm ,这可能与MgZnO的带隙变宽有关 .对ZnO薄膜的研究还发现 ,生长过程中充O2 与否对ZnO发光特性的影响显著 ,不充O2 时样品的紫外荧光峰较之充O2

关键词：紫外光致荧光谱 X射线光电子能谱晶体薄膜氧化锌电子束蒸发反应沉积法光谱蓝移光谱红移带隙

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微桥法研究低应力氮化硅力学特性及误差分析

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机械强度 2003年第4期25卷 395-400页

作者：宗登刚王钻开陆德仁王聪和中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 香港理工大学应用物理系

用微机械悬桥法研究低应力氮化硅薄膜的力学性能。对符合弹性验则的微桥进行测试 ,在考虑衬底变形的基础上 ,利用最小二乘法对其载荷—挠度曲线进行拟合 ,得到低应力lowpressurechemicalvapourdeposited (LPCVD)氮化硅的弹性模量为 3 14... 详细信息

用微机械悬桥法研究低应力氮化硅薄膜的力学性能。对符合弹性验则的微桥进行测试 ,在考虑衬底变形的基础上 ,利用最小二乘法对其载荷—挠度曲线进行拟合 ,得到低应力lowpressurechemicalvapourdeposited (LPCVD)氮化硅的弹性模量为 3 14 .0GPa± 2 9.2GPa ,残余应力为 2 65 .0MPa± 3 4.1MPa。探讨梯形横截面对弯曲强度计算和破坏发生位置的影响 ,得到低应力氮化硅的弯曲强度为 6.9GPa± 1.1GPa。对微桥法测量误差的分析表明 ,衬底变形。

关键词：微电子机械系统低压化学气相沉积氮化硅弹性模量残余应力弯曲强度微机械悬桥法误差分析

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