检索结果-内蒙古大学图书馆

无机材料学报 2003年第6期18卷 1351-1356页

作者：林志浪郑新和王群周美玲中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室上海200050 北京工业大学材料科学与工程学院北京100022 中国科学院半导体研究所北京100083

高纯度的氮气中,以Al-Mg-Y合金为母合金,利用Lanxide技术合成了含烧结助剂Y_2O_3的复合AIN粉体.通过扫描电镜、X射线衍射、粒径分析及化学成分分析等检测手段对氮化产物进行表征.实验结果表明,合金氮化反应完全,氮化产物疏松易于粉化.... 详细信息

高纯度的氮气中,以Al-Mg-Y合金为母合金,利用Lanxide技术合成了含烧结助剂Y_2O_3的复合AIN粉体.通过扫描电镜、X射线衍射、粒径分析及化学成分分析等检测手段对氮化产物进行表征.实验结果表明,合金氮化反应完全,氮化产物疏松易于粉化.粉化后获得的复合AIN粉体具有纯度高,氧杂质含量低,粒度细小等优点.

关键词： AlN粉体 Lanxide技术铝合金烧结助剂

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压阻式高量程微加速度计的冲击校准

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传感器技术 2003年第11期22卷 78-80页

作者：郇勇张泰华杨业敏王钻开陆德仁中国科学院力学研究所非线性力学国家重点实验室北京100080 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家实验室上海200050

采用体硅微机械加工技术和扩散技术,制作压阻式高量程微加速度计,设计量程为50000gn。芯片材料为单晶硅,采用双列扁平陶瓷封装。为了测量其动态灵敏度,使用Hopkinson杆在约40000gn的加速度水平下进行了冲击校准。在电桥电压为6.33V的情... 详细信息

采用体硅微机械加工技术和扩散技术,制作压阻式高量程微加速度计,设计量程为50000gn。芯片材料为单晶硅,采用双列扁平陶瓷封装。为了测量其动态灵敏度,使用Hopkinson杆在约40000gn的加速度水平下进行了冲击校准。在电桥电压为6.33V的情况下,被测微加速度计的灵敏度为1.26μV/gn。

关键词：微电子机械系统微加速度计 Hopkinmn杆校准扩散技术芯片结构

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AlN薄膜室温直接键合技术

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Journal of Semiconductors 2003年第2期24卷 216-220页

作者：门传玲徐政安正华吴雁军林成鲁同济大学材料学院微电子所上海200092 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用离子束增强沉积技术在 10 0 mm硅片上制备大面积均匀 Al N薄膜 ,原子力显微镜 (AFM)显示其表面平整光滑 ,均方根粗糙度 (RMS)为 0 .13nm ,满足直接键合的需要 .同时 ,采用智能剥离技术成功实现了室温下 Al N与注氢硅片的直接键合 ,... 详细信息

采用离子束增强沉积技术在 10 0 mm硅片上制备大面积均匀 Al N薄膜 ,原子力显微镜 (AFM)显示其表面平整光滑 ,均方根粗糙度 (RMS)为 0 .13nm ,满足直接键合的需要 .同时 ,采用智能剥离技术成功实现了室温下 Al N与注氢硅片的直接键合 ,形成了以 Al N薄膜为埋层的 SOI结构 ,即 Al N上的硅结构 (SOAN) .用扩展电阻、卢瑟福背散射 -沟道、剖面透射电镜等技术分析了所形成的 SOAN结构 .

关键词：直接键合 A1N薄膜智能剥离绝缘层上硅离子束增强沉积

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功能碳薄膜化学键成分的椭偏光谱研究

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功能材料 2003年第5期34卷 582-584页

作者：莫党李芳陈第虎郭扬铭魏爱香中山大学理工学院光电材料与技术国家重点实验室广东广州510275 中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室

　用磁过滤真空离子溅射系统,改变加在单晶Si(100)衬底上的衬底偏压,制备不同sp3C键与sp2C键比例的碳薄膜样品。测量了2.0～5.0eV光子能量范围内各个碳薄膜样品的椭偏光谱。发现该谱与碳薄膜中的sp键比例有明显的关系。我们提出一种较... 详细信息

　用磁过滤真空离子溅射系统,改变加在单晶Si(100)衬底上的衬底偏压,制备不同sp3C键与sp2C键比例的碳薄膜样品。测量了2.0～5.0eV光子能量范围内各个碳薄膜样品的椭偏光谱。发现该谱与碳薄膜中的sp键比例有明显的关系。我们提出一种较简便的分析解谱方法,分析所测得的各个椭偏光谱,半定量地确定各碳薄膜样品的sp3C键与sp2C键比例。所得结果还与同类样品的拉曼光谱与吸收光谱测量结果相比较,结果基本上是一致的。研究结果表明椭偏光谱方法可以发展成一种较简便的、对样品无损伤的测定功能碳薄膜中的sp3C键成分的新方法。

关键词：功能碳薄膜化学键椭偏光谱四配位非晶碳拉曼光谱吸收光谱

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SOI材料中Cu杂质的纳米孔吸杂研究

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中国科学（E辑） 2003年第1期33卷 47-55页

作者：张苗吴雁军刘卫丽安正华林成鲁朱剑豪中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 香港城市大学物理与材料科学系

采用纳米孔吸杂方法对新型硅基材料SOI(silicon-on-insulator)中的Cu杂质进行了吸除研究.室温下,将3.5×1016cm-2的H+或9×1016cm-2的He+注入到SOI氧化埋层下面的硅衬底内,700℃退火形成纳米孔,研究纳米孔对SOI顶层硅中不同剂... 详细信息

采用纳米孔吸杂方法对新型硅基材料SOI(silicon-on-insulator)中的Cu杂质进行了吸除研究.室温下,将3.5×1016cm-2的H+或9×1016cm-2的He+注入到SOI氧化埋层下面的硅衬底内,700℃退火形成纳米孔,研究纳米孔对SOI顶层硅中不同剂量Cu杂质(5×1013,5×1014,5×1015cm-2)的吸除.剖面透射电子显微镜(XTEM)与二次离子质谱(SIMS)分析表明,700℃以上,Cu杂质可以穿过SIMOX和Smart—Cut材料不同的氧化埋层到达硅衬底,并被纳米孔吸附.SIMOX氧化埋层界面的本征缺陷对Cu杂质具有一定的吸附作用,但吸杂效果远远低于纳米孔吸杂,且高温下会将杂质释放出来.Smart—cut SOI的氧化埋层界面完整,不具备吸杂作用.1000℃退火后,纳米孔可吸附高达3.5×1015cm-2以上的Cu杂质,纳米孔吸杂效率随Cu注入剂量的降低而升高.当顶层硅中Cu剂量低于5×1014 cm-2时,纳米孔吸杂效率达到90%以上,并将顶层硅中Cu杂质浓度降低到原来的4％以下.纳米孔吸杂是一条解决SOI杂质去除难题的有效途径.

关键词： SOI材料吸杂离子注入纳米孔铜金属杂质化学键吸附纳米技术

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曲面过载保护的新型高g值冲击硅微机械加速度传感器的设计

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机械强度 2003年第2期25卷 148-150,214页

作者：董健李昕欣王跃林张鲲宋朝晖浙江大学信息与电子工程系杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

给出一种测量高g值冲击加速度的硅微机械加速度传感器的结构和动力学模型 ,此传感器为整体式悬臂梁结构 ,采用硅微机械加工技术制作 ,便于封装和大批量低成本制造。其敏感方向在硅片平面内 ,两个压敏电阻分布在悬臂梁的顶端 ,两个完全... 详细信息

给出一种测量高g值冲击加速度的硅微机械加速度传感器的结构和动力学模型 ,此传感器为整体式悬臂梁结构 ,采用硅微机械加工技术制作 ,便于封装和大批量低成本制造。其敏感方向在硅片平面内 ,两个压敏电阻分布在悬臂梁的顶端 ,两个完全相同的悬臂梁沿相反方向分布 ,四个压敏电阻构成惠斯通全桥连接 ;悬臂梁的过载保护采用上下两个曲面 ,一方面有效地提高悬臂梁的过载保护能力 ,另一方面调节加速度传感器的压膜阻尼 ,使之接近临界阻尼 ,有效抑制自由振动模态 ,提高测量精度。

关键词：曲面过载保护冲击硅微机械加速度传感器压膜阻尼

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建立DNA芯片技术检测丙型肝炎病毒基因型及其初步应用

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中华实验和临床病毒学杂志 2003年第4期17卷 375-377页

作者：毛红菊顾士民赵建龙刘江霞中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点联合实验室上海200050 上海市传染病总医院复旦大学医学院分子病毒学卫生部重点实验室

目的建立一种简便、快速的以DNA芯片技术为基础的丙型肝炎病毒基因分型检测方法。方法根据丙型肝炎病毒HCV的基因序列信息设计分型探针,将采用荧光标记的寡核苷酸引物所扩增的丙型肝炎病毒基因产物与结合在芯片上的特异性探针进行快速... 详细信息

目的建立一种简便、快速的以DNA芯片技术为基础的丙型肝炎病毒基因分型检测方法。方法根据丙型肝炎病毒HCV的基因序列信息设计分型探针,将采用荧光标记的寡核苷酸引物所扩增的丙型肝炎病毒基因产物与结合在芯片上的特异性探针进行快速杂交,通过扫描荧光强度值定性和定量判定结果。结果应用本法对65例患者血清中的丙型肝炎病毒核酸进行基因分型,对部分标本检测结果与测序法进行对比,吻合率达100％,说明检测结果有很高的特异性。结论我们所用DNA芯片技术检测HCV RNA及其基因分型,简便、快速、特异性好、灵敏度高、结果判定指标客观,可望在临床推广使用。

关键词： DNA芯片丙型肝炎病毒基因型 HCV基因传染病

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压控式毫米波MEMS移相器的可动薄膜

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Journal of Semiconductors 2003年第6期24卷 631-636页

作者：郭方敏朱自强赖宗声朱守正朱荣锦忻佩胜范忠贾铭程知群杨根庆华东师范大学信息科学和技术学院上海200062 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点开放实验室上海200050

介绍了采用金、铝硅合金等金属分别用作压控式 RF MEMS开关阵列——移相器的可动薄膜 ,实验表明金的延展性比较好 ,弹性比铝硅合金稍差 ,启动电压较高 .相比较含硅 4%的轻质量铝硅合金具有较低的启动电压( 5 V ) ,用该弹性膜制备的 2 1... 详细信息

介绍了采用金、铝硅合金等金属分别用作压控式 RF MEMS开关阵列——移相器的可动薄膜 ,实验表明金的延展性比较好 ,弹性比铝硅合金稍差 ,启动电压较高 .相比较含硅 4%的轻质量铝硅合金具有较低的启动电压( 5 V ) ,用该弹性膜制备的 2 1桥压控式开关阵列——毫米波移相器的下拉电压为 2 0 V时 ,相移量可达到 3 70°/3 .5 mm以上 ( 3 5 GHz) ,并能在不同的控制电压下根据要求改变相移量 ,其传输损耗为 5 5～ 90°/ d B。

关键词： RF MEMS开关移相器下拉电压铝硅合金

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悬臂式RF MEMS开关的设计与研制

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Journal of Semiconductors 2003年第11期24卷 1190-1195页

作者：郭方敏赖宗声朱自强贾铭初建朋范忠朱荣锦戈肖鸿杨根庆陆卫华东师范大学信息科学和技术学院上海200062 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

介绍了一种制作在低阻硅 (3～ 8Ω· cm)上的悬臂式 RF MEMS开关 .在 Cr/ Au CPW共面波导上 ,金 /Si Ox Ny/金三明治结构或电镀金作为悬置可动臂 ,静电受激作为开关机理 .当开关处于“关断”态 ,其隔离度小于- 35 d B(2 0～ 4 0 GHz... 详细信息

介绍了一种制作在低阻硅 (3～ 8Ω· cm)上的悬臂式 RF MEMS开关 .在 Cr/ Au CPW共面波导上 ,金 /Si Ox Ny/金三明治结构或电镀金作为悬置可动臂 ,静电受激作为开关机理 .当开关处于“关断”态 ,其隔离度小于- 35 d B(2 0～ 4 0 GHz) ;阈值电压为 13V ;开关处于“开通”态 ,插入损耗为 4～ 7d B(1～ 10 GHz) ,反射损耗为 - 15 d B.另外 ,还分析了开关的悬臂梁弯曲度与驱动电压的关系 ,并应用 ANSYS软件对开关进行了电学。

关键词：悬臂梁插入损耗隔离度 ANSYS软件阈值电压

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新型氮化铝埋层上硅结构的应力特性

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同济大学学报（自然科学版） 2003年第3期31卷 361-364页

作者：门传玲徐政安正华林成鲁同济大学材料科学与工程学院上海200092 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

为减轻传统SOI(silicon on insulator)材料的自加热效应 ,首次利用智能剥离技术 (smart cutprocess)成功制备了SOAN(silicon on aluminum nitride)结构 ,即以氮化铝 (AlN)薄膜为埋层的SOI结构 .采用离子束增强技术(IBED)在 10 .16cm(4in)硅片上合成了AIN薄膜 .剖面透射电镜照片证实了此SOAN结构 .高分辨的X射线衍射技术被用来研究此结构的剩余晶格应力 ,实验结果表明刚得到的SOAN结构在 110 0℃下退火

关键词：氮化铝薄膜应力高分辨X射线衍射

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