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文献类型

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  • 3 篇 教育学
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  • 1 篇 文学

主题

  • 68 篇 太赫兹
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  • 40 篇 微机电系统
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  • 26 篇 石墨烯
  • 26 篇 soi
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  • 22 篇 ingaas
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  • 18 篇 光电探测器
  • 18 篇 微机械陀螺
  • 18 篇 垂直腔面发射激光...
  • 17 篇 微电子机械系统
  • 17 篇 半导体激光器
  • 17 篇 传感器
  • 16 篇 卷积神经网络
  • 15 篇 气态源分子束外延

机构

  • 468 篇 中国科学院上海微...
  • 374 篇 中国科学院上海微...
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  • 31 篇 中国科学院太赫兹...
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作者

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  • 100 篇 宋志棠
  • 100 篇 张永刚
  • 91 篇 李昕欣
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  • 51 篇 吴亚明
  • 50 篇 李铁
  • 49 篇 谭智勇
  • 47 篇 孔祥燕
  • 46 篇 车录锋

语言

  • 1,960 篇 中文
检索条件"机构=上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室"
1960 条 记 录,以下是1931-1940 订阅
排序:
离子束辅助沉积碳膜抑制栅电子发射研究
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电子学报 2002年 第5期30卷 661-663页
作者: 柳襄怀 任琮欣 江炳尧 朱宏 刘炎源 刘静贤 中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室 上海200050 中国科学院电子学研究所 北京100080
本文利用离子束辅助沉积方法在钼栅极的表面镀上一层碳膜 ,采用模拟二极管的方法测量阴极活性物质Ba、BaO蒸发沉积在镀碳钼栅与纯钼栅表面后的电子发射性能 .测量结果表明 ,镀碳钼栅的电子发射量显著减少 .依据XPS、电子探针对钼栅极表... 详细信息
来源: 评论
倒扣芯片连接焊点的热疲劳失效
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Journal of Semiconductors 2002年 第6期23卷 660-667页
作者: 彩霞 陈柳 张群 徐步陆 黄卫东 谢晓明 程兆年 中科院上海微系统与信息技术研究所中德联合实验室 上海200050
测量了有无芯下填料 B型和 D型两种倒扣芯片连接器件的焊点温度循环寿命 ,运用超声显微镜 (C- SAM)和扫描电镜 (SEM)观察了焊点微结构粗化和裂纹扩展 ,并采用三维有限元模拟方法分析了焊点在温度循环条件下的应力应变行为 .结合实验和... 详细信息
来源: 评论
基于绝缘体上的硅材料的全内反射型阵列波导光栅器件的设计
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光学学报 2002年 第9期22卷 1100-1103页
作者: 李柏阳 江晓清 唐衍哲 杨建义 王明华 李铁 吴亚明 王跃林 浙江大学信息与电子工程学系 杭州3100272 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点联合实验室 上海200050
设计了一种基于绝缘体上的硅材料的全内反射型阵列波导光栅解复用器件。将一全内反射波导镜引入原弯曲的波导列阵中 ,该波导镜具有偏振补偿的功能和缩小器件尺寸的特点。在器件数值模拟的基础上 ,制作了原理性器件 。
来源: 评论
一种新型SOI结构——SiGe-OI材料研究进展
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物理 2002年 第4期31卷 219-223页
作者: 安正华 张苗 门传玲 谢欣云 沈勤我 林成鲁 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
SOI(silicononinsulator ,绝缘层上的硅 )技术和SiGe(silicongermanium ,锗硅 )技术都是微电子领域的前沿技术 .SiGe-OI(SiGe -on -insulator ,绝缘层上的锗硅 )新型材料是最近几年来才出现的一种新型SOI材料 ,它同时具备了SOI技术和SiG... 详细信息
来源: 评论
SOI新结构——SOI研究的新方向
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物理 2002年 第4期31卷 214-218页
作者: 谢欣云 林青 门传玲 安正华 张苗 林成鲁 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
SOI(silicon on insulator :绝缘体上单晶硅薄膜 )技术已取得了突破性的进展 ,但一般SOI结构是以SiO2 作为绝缘埋层 ,以硅作为顶层的半导体材料 ,这样导致了一些不利的影响 ,限制了其应用范围 .为解决这些问题和满足一些特殊器件 电路... 详细信息
来源: 评论
一种新型微机械陀螺的研究
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技术通讯 2002年 第9期12卷 38-41页
作者: 熊斌 黄小振 王跃林 王渭源 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室 上海200050
设计了一种检测模态和驱动模态具有相近品种因子的微机械陀螺。这种我们称之为栅型结构的陀螺由悬空弹簧将具有栅条的检测质量块与衬底相联。计算结果表明 ,这种器件在大气压条件下其驱动模态和检测模态的品质因子几乎同为 14 0。同时 ... 详细信息
来源: 评论
涂布法制备碳纳米管场发射阴极及其性能的研究
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发光学报 2002年 第4期23卷 406-408页
作者: 冯涛 柳襄怀 王曦 李琼 徐静芳 诸玉坤 中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束开放研究实验室 上海200050 华东师范大学电子科学与技术系 上海200062
碳纳米管(CNT)作为场发射阴极(FEC)具有很好的性能。报导了利用粉末状碳纳米管制作CNT-FEC的方法,包括涂布方法、纯化方法和表面处理方法。主要关心的FEC性能为电子发射均匀性、电流密度和寿命。
来源: 评论
A Generalized Reynolds' Equation For Squeeze-Film Air Damping in MEMS
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Journal of Semiconductors 2002年 第12期23卷 1245-1248页
作者: 鲍敏杭 孙远程 杨恒 王跃林 复旦大学微电子学系专用电路国家重点实验室 上海200433 中国科学院上海微系统和信息技术研究所传感器国家重点实验室 上海200050
A differential equation that is generally effective for squeeze film air damping of perforated plate and non perforated plate as well as in MEMS devices is *** perforated plate,the thickness and the dimensions of th... 详细信息
来源: 评论
SOI的自加热效应与SOI新结构的研究
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功能材料与器件学报 2002年 第2期8卷 205-210页
作者: 林青 谢欣云 朱鸣 张苗 林成鲁 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
阐述了自加热效应产生的原因以及它对SOI电路的影响,并介绍了为克服自加热效应和满足某些特殊器件和电路的要求,国内外正在竞相探索研究的新型SOI结构,如SOIM、SilicononAlN、GPSOI、SiCOI、GeSiOI、SON、SSOI等。结合SOI新结构制备工作... 详细信息
来源: 评论
用于微电子机械系统封装的体硅键合技术和薄膜密封技术
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中国工程科学 2002年 第6期4卷 56-62页
作者: 王渭源 王跃林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室 上海200050
对静电键合、体硅直接键合和界面层辅助键合等三种体硅键合技术 ,整片操作、局部操作和选择保护等三种密封技术 ,以及这些技术用于微电子机械系统的密封作了评述 ,强调在器件研究开始时应考虑封装问题 ,具体技术则应在保证器件功能和尽... 详细信息
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