检索结果-内蒙古大学图书馆

采用离子束增强技术(IBED)在100mm硅片上合成了AlN薄膜。以速率0.05nm/s蒸发高纯Al得到AlN样品,XPS结果证实了成功合成了AlN薄膜,其N/Al比为0.618:1,扩展电阻结果表明其绝缘性能良好,原子力显微镜(AFM)显示其表面平整光滑,均方根粗糙度(RMS)为0.13nm,满足键合需要。利用智能剥离技术(Smart-cutprocess)成功地制备了以AlN薄膜为埋层的SOI(silicon-on-insulator)材料。剖面透射电镜照片(XTEM)给出了此SOI结构,高分辨TEM实验结果表明上层硅具有与衬底硅相似的结晶质量可满足器件制造的要求。

关键词：制备绝缘埋层 AlN薄膜键合 SOI 离子束增强沉积氮化铝

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不同能量氮氧共注入形成的多层SOI结构

引用

功能材料与器件学报 2002年第3期8卷 228-232页

作者：刘相华陈猛刘忠立王曦中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束开放研究实验室上海200050 中国科学院半导体研究所北京100083

将氮和氧离子在不同能量下依次注入于硅片,并经1200oC,2h高温退火后,形成具有含有中间硅层的夹心埋层SOI结构。对该样品做俄歇电子能谱(AES)、剖面透射电镜(XTEM)、二次离子质谱(SIMS)和击穿场强等测试,表明退火后形成具有Si-N-O、Si和S... 详细信息

将氮和氧离子在不同能量下依次注入于硅片,并经1200oC,2h高温退火后,形成具有含有中间硅层的夹心埋层SOI结构。对该样品做俄歇电子能谱(AES)、剖面透射电镜(XTEM)、二次离子质谱(SIMS)和击穿场强等测试,表明退火后形成具有Si-N-O、Si和Si2O夹心埋层的SOI结构。其击穿场强最大为5×106V/cm,与普通剂量SIMOX的相当。测试还发现氮在界面处有明显的富集效应,而且其在前界面的富集行为明显大于其在后界面的。

关键词： SOI 离子注入硅结构

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三色碳纳米管场发射灯的研制

三色碳纳米管场发射灯的研制

引用

第二届全国纳米技术与应用学术会议

作者：冯涛李琼张继华于伟东柳襄怀王曦徐静芳邹世昌中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室(上海) 华东师范大学电子科学与技术系(上海)

报道了以粉末状碳纳米管为原料用丝网印刷法制备图形化的碳纳米管阴极的技术.采用热处理和氢等离子体表面处理方法提高了丝网印刷法制备的碳纳米管阴极的场发射性能,处理后阴极的阈值场强从4V/μm降到~1V/μm,场发射电流密度在4.5V/μm... 详细信息

报道了以粉末状碳纳米管为原料用丝网印刷法制备图形化的碳纳米管阴极的技术.采用热处理和氢等离子体表面处理方法提高了丝网印刷法制备的碳纳米管阴极的场发射性能,处理后阴极的阈值场强从4V/μm降到~1V/μm,场发射电流密度在4.5V/μm时达到了2.53mA/cm<'2>,发射点密度从~10<'3>/cm<'2>增加到~10<'5>/cm<'2>.在此基础上,成功地设计和封装了三极管结构的三色高亮度碳纳米管场发射灯器件.

关键词：碳纳米管场发射丝网印刷法氢等离子体表面处理阴极材料

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类金刚石薄膜作为阴极阵列的场发射显示器研制

引用

功能材料与器件学报 2002年第3期8卷 293-296页

作者：冯涛茅东升李炜柳襄怀王曦张福民李琼徐静芳诸玉坤中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束开放研究实验室上海200050 华东师范大学电子科学与技术系上海200062

采用真空磁过滤弧沉积(FAD)的方法制备的类金刚石(DLC)薄膜具有良好的场发射性能。通过离子束技术和微细加工技术可以实现DLC薄膜的图形化并能大大提高薄膜的场发射性能。测试表明,DLC薄膜孔洞阵列具有很好的电子场发射性能,阈值电场达... 详细信息

采用真空磁过滤弧沉积(FAD)的方法制备的类金刚石(DLC)薄膜具有良好的场发射性能。通过离子束技术和微细加工技术可以实现DLC薄膜的图形化并能大大提高薄膜的场发射性能。测试表明,DLC薄膜孔洞阵列具有很好的电子场发射性能,阈值电场达到了2.1V/μm,当场强为14.3V/μm时,电流密度达到了1.23mA/cm2。利用图形化的DLC薄膜作为阴极,设计和制作了矩阵选址单色场发射显示器(FED)样管。

关键词：类金刚石薄膜阴极阵列场发射显示器

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